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>> “射頻集成電路設計”課程教學改革初探 應用于相控陣收發(fā)組件的射頻微波集成電路設計探討 納米尺度互連線寄生參數的仿真及應用于CMOS射頻集成電路設計 模擬集成電路設計教學探討 《集成電路設計》課程教學改革與探索 集成電路設計本科教學改革探索 集成電路設計與集成系統專業(yè)人才培養(yǎng)模式的探究 集成電路設計與集成系統專業(yè)CDIO培養(yǎng)模式的研究與實踐 集成電路設計專業(yè)課程體系改革與實踐 《數字集成電路設計原理》課程教學探索 集成電路設計作為專業(yè)核心課程設置的探討 集成電路設計方法及IP設計技術的探討 集成電路設計的本科教學現狀及探索 模擬集成電路設計教學方法探討 《專用集成電路設計》教學方法初探 結合集成電路設計大賽談創(chuàng)新能力的培養(yǎng) 同步數字集成電路設計中的時鐘偏移分析 《2012中國集成電路設計業(yè)發(fā)展報告》的統計及結論 模擬集成電路設計的自動化綜合流程研究 以工程需求為導向的集成電路設計閉環(huán)教育研究 常見問題解答 當前所在位置：l.

[3]http：//.cn/Info/html/n14730_1.htm.

[4]http：///info/20121026/227691.shtml.

[5]馮衛(wèi)東.美科學家證實電路世界第四種基本元件存在[N/OL].科技日報，2008-05-06.

[6]李九生.“微波與射頻技術”課程新式教學理念應用[J].科技信息，2010，（6）.

[7]李金鳳，王健，劉歡.“射頻集成電路設計”課程教學改革初探[J].考試周刊，2012，(15).

[8]張銀蒲.基于射頻方向課程群的教學改革與創(chuàng)新[J].唐山學院學報，2013，（1）.

[9]王立華.虛擬網絡分析儀在射頻電路設計中的應用[J].電子測量技術，2012，（4）.

收稿日期：2013-09-10

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[關鍵詞]教研統一 人才培養(yǎng) 方法與機制

[中圖分類號] C961 [文獻標識碼] A [文章編號] 2095-3437（2015）07-0114-03

一、引言

關于大學高水平本科人才的培養(yǎng)，其影響因素很多，而圍繞教學與科研相互關系的討論或說爭論長期以來一直是高等教育研究領域備受關注的重要課題。[1]大學最核心的任務是確保本科教育質量，如果科研除了有利于人才培養(yǎng)之外，不能很好地服務本科教育，將喪失可持續(xù)發(fā)展的潛力;而將知識創(chuàng)新與教授有機結合起來，有效發(fā)揮科研的人才培養(yǎng)功能，對高校教學水平提高、教師教研水平提升、學生學習效果改善具有積極甚至無可替代的作用。

綜觀世界一流大學，無不要求其教師教學科研水平。我校從頂層設計角度制訂了“教研統一”的辦學理念。[2]筆者長期從事集成電路設計領域的科研與教學工作，結合專業(yè)特點，將多年來在教學與科研相互促進融合方面的探索進行梳理，并對其中面臨的困難與挑戰(zhàn)進行了思考。

二、教研統一的探索

目前國內不少大學存在不同程度的“科研先行”發(fā)展理念，造成了教學的“短板”。為促進集成電路設計與集成系統專業(yè)工程應用型人才的培養(yǎng)，本專業(yè)一線教師長期積極探索科研促進和服務教學的方式方法，將先后承擔的國家自然科學基金重點項目、國家“863”重大專項、國家自然科學基金項目、國家科技攻關項目，以及省部級、廳局級、橫向項目等數十項科研項目及成果以多種方式融入本科教學，努力使科研引領教學水平的提升，整個教學科研團隊先后于2010年和2012年被評為“陜西省省級教學團隊”――通信專用集成電路設計核心課程教學團隊和“陜西省首批重點科技創(chuàng)新團隊”――西安郵電大學通信專用集成電路與集成系統重點科技創(chuàng)新團隊，探索形成了“科研嵌入”理論教學內容、“科研反哺”實踐教學環(huán)境、“科研提高”師資隊伍建設和“科研啟發(fā)”應用型人才培養(yǎng)的教研統一方案，努力提高科研對教學的貢獻率。

（一）“科研嵌入”理論教學內容

為了踐行“教研統一”，在理論教學方面，貫徹科研項目分模塊進課堂、進實驗、進畢業(yè)設計，落實前沿技術進講義、進習題、進考試環(huán)節(jié)，同時根據科研項目開發(fā)實際，總結工程經驗，凝練科研案例，編寫系列教材。通過將科研子模塊“嵌入”教學、“嵌入”教材，豐富了教學內容，拓寬了學生視野，提高了學生實踐能力，實現了科研成果進課堂、教學水平上臺階的目標。近年來承擔并以多種形式融入教學的主要科研項目有：

項目1：國家自然科學基金面上項目“三維視頻處理系統芯片動態(tài)可重構可編程體系結構研究”，經費160萬元;

項目2：陜西省科技統籌項目“北斗二號 / GPS雙模接收機芯片組”，經費150萬元;

項目3：陜西省重大創(chuàng)新專項“雙網數字傳真機開發(fā)”，經費75萬元;

項目4：陜西省重大創(chuàng)新專項“SDH片上系統設計與實現”，經費50萬元;

項目5：國家自然科學基金重點項目“新一代圖形處理系統芯片體系結構及關鍵技術研究”，經費440萬元;

項目6：某國防項目“圖形處理器IP研發(fā)”，經費99萬元;

項目7：陜西省“13115”創(chuàng)新專項“高速數據網絡包交換芯片研制與開發(fā)”，經費135萬元;

項目8：國家“863”重大專項“基于NOC的多處理器系統片上高性能互連技術研發(fā)”，經費200萬元;

項目9：國家“863”項目“寬帶交換高速交換芯片的研究開發(fā)”，經費360萬元;

項目10：國家自然科學基金“無線通信自重構容錯NOC研究”，經費60萬元。

上述項目與理論教學、實踐教學以及集中實踐環(huán)節(jié)相結合的具體操作如下：

1.集成電路專業(yè)導論：將項目1“APU體系結構、計算模式統一等”作為內容;將項目2“北斗、GPS以及伽利略等”的對比研究作為內容;將項目8“片上網絡NOC的項目”引入教學;將項目9“電路交換、分組交換的發(fā)展及研發(fā)現狀”引入課堂。

2.數字集成電路設計：將項目1、5中“涉及的長線、功耗、缺陷問題引入教學”作為內容;將項目6、7中的模塊作為案例用于新編教材;將項目9“PLL、CDR單元、全定制振蕩器”作為教學案例。

3.集成電路工藝原理：將項目1、5中“紅墻問題、三維工藝”引入教學;項目7、9、10成果引起企業(yè)關注，與航天某所建立工藝聯合實驗室;將項目9開發(fā)過程中針對工藝的比較引入教學。

4.EDA技術實驗：以項目1“4×4可重構陣列”，項目3“將圖像CIS掃描、熱敏打印頭以及步進電機控制電路”，項目4“字符重排、幀定位等單元設計”，項目5和6“命令處理器”作為教學案例;將項目7、8、9、10前端設計中積累的代碼編寫經驗、綜合腳本撰寫方法引入教學，將設計后端的STA用于新編教材中。

5.SoC設計方法學：以項目7、8、9的研發(fā)流程作為典型的SoC設計流程進行對比講解。

6.計算機組成與設計：將項目1、5“ILP、OLP、DLP的統一”作為課程的主題研討內容。

7.Verilog HDL數字系統設計：將項目1、5“反饋環(huán)、命令處理器、存儲管理器等”作為大型實驗案例;將項目4、7、9“PRBS序列產生、字符重排、幀定位單元”作為實驗內容;將項目8、9、10“將分配管理單元、虛通道路由器”作為案例，并將驗證平臺的搭建作為大型案例引入教學。

8.通信原理：依據項目3建議授課教師將傳統傳真協議T.30、網絡傳真協議等引入課程;依據項目4建議授課教師將SDH內容講解與項目開發(fā)結合起來;依據項目4、9建議授課教師將世界上第一套符合ITU-T標準STM-256幀結構的40G SDH設備等引入課程。

9.基于FPGA的嵌入式系統設計：將項目1、5“如何在Micro Blazer上移植操作系統、如何與底層電路交互”作為案例;將項目3雙網傳真機作為典型的嵌入式系統引入教學。

10.FPGA課程設計：將項目1和5“反饋環(huán)、Cache開發(fā)、命令處理器”，項目9、10“隊列管理、VC分配、交換分配”等簡化后作為題目。

11.集成電路設計課程設計：將項目1和5“幾何變換、三維剪裁、圖元裝配”，項目9、10“隊列管理、VC分配、交換分配”等作為題目。

12.SoPC課程設計：將項目3、5、6、7電路驗證轉化為SoPC方式進行以作為課程設計題目，項目7、8“PRBS序列產生、字符重排、幀定位等單元的開發(fā)”作為題目。

13.畢業(yè)設計：將項目1、5、6“基于可重構陣列的DCT變換、2D加速器、命令處理器、像素染色器等”，項目3“傳真機方案設計、模塊電路設計、軟件方案、通信協議等”，項目4、7、9“PRBS序列產生、字符重排、幀定位等單元增加基于C的驗證”，項目9、10“隊列管理、VC分配、交換分配、torus結構等”，項目8“驗證涉及的基于SV的驗證平臺、PLI平臺等”作為畢業(yè)設計題目。

（二）“科研反哺”實踐教學環(huán)境

集成電路設計是一個工程實踐性很強的領域，所需的儀器設備、工具軟件、工作條件成本高昂，建立完善的設計實踐環(huán)境常令學科建設經費捉襟見肘。而在承擔各級各類科研項目的過程中，逐步建立起了較高水平的科研平臺，如部級重點實驗室、省級工程中心、校企聯合實驗室等，在這些科研平臺上積累了豐富的硬件資源、空間資源和人才資源。通過探索“科研反哺”，對實踐教學環(huán)境的建設和提升起到了積極的促進作用。具體措施包括：

1.共享科研平臺的硬件資源，提升學生實踐環(huán)節(jié)的物質基礎：在高水平科研帶動下，先后投入數千萬元建立了集成電路設計環(huán)境、工藝生產線，并與Altera、Xilinx、Intel、TI、廣州周立功、772所等建立了聯合實驗室，相關的儀器、設備、開發(fā)工具等通過合理共享逐步向本科生開放，向實踐教學資源轉化，提升了實踐環(huán)境的物質基礎。

2.利用科研平臺的空間資源，為學生提供校外實習實訓的機遇與環(huán)境：通過科研合作，先后與烽火、中興、華為、兗礦、煤炭科學院、深亞等相關設計企業(yè)、終端用戶等建立了校外實習基地，豐富了學生的實習實訓環(huán)境。

3.發(fā)揮科研平臺的人才優(yōu)勢，轉化為第一、第二課堂的教學優(yōu)勢：主持和參與科研項目的高水平教授、中青年教師、碩士研究生等是科研平臺的人才優(yōu)勢，強調實施教授年授課學時數不低于120學時、項目負責人至少承擔一門本科生專業(yè)課、青年教師指導學生參加興趣小組和學科競賽、碩士研究生承擔助教等一系列措施，對學生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)起到了積極作用。

通過上述舉措，先后建設了陜西省實驗教學示范中心――“計算機與微電子學實驗教學中心”和“電工電子實驗教學中心”、陜西省人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實驗區(qū)――“電子信息工程應用型人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實驗區(qū)”和“集成電路設計與集成系統工程應用型人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實驗區(qū)”。

（三）“科研提高”師資隊伍水平

集成電路設計的工程性要求教師必須具備豐富的實踐經驗，而科研正是彌補經驗“短板”的有效途徑。在具體實踐中采取的“科研提高”師資水平的措施主要有：

1.劃撥科研經費資助青年教師攻讀碩士、博士：為了培養(yǎng)青年教師，形成人才梯隊，一線青年教師先后有6人都是在科研項目專門審批劃撥的經費資助下攻讀博士、碩士，畢業(yè)后先后承擔了陜西省自然科學基金項目、教育部重點項目、陜西省教育廳專項項目等10余項;多名青年教師指導本科生、研究生參加學科競賽，先后獲得大學生電子設計競賽陜西省一等獎第一名和全國二等獎多次、研究生電子設計競賽西北賽區(qū)特等獎兩次、全國二等獎和三等獎各一次以及全國優(yōu)秀指導教師獎。

2.人才引進注重科研方向、優(yōu)勢互補：在師資隊伍建設中，注重科研經歷、工程能力、國際背景，如引進的美籍全職教授有Nvidia、貝爾實驗室、猶他大學等國際知名企業(yè)、科研院所長達29年的開發(fā)經歷，并被聘為陜西省“百人計劃”特聘專家。

（四）“科研啟發(fā)”應用型人才培養(yǎng)

通過科研融入教學，對啟發(fā)學生潛力、培養(yǎng)學生工程應用能力起到了積極作用;同時選拔興趣濃厚者作為科研助手參與項目研發(fā)，由高水平教授直接指導，這些學生有多名進入Intel、MTK、華為、中興等知名企業(yè)，擔任開發(fā)經理、技術骨干等關鍵崗位，或考取知名高校的研究生，并迅速成長為導師科研團隊中的骨干成員。

總之，科研成果分模塊進課堂，豐富了教學內容;前沿技術進教案，拓寬了學生視野;科研設備向教學資源轉化，改善了教學條件;堅持高水平教授為本科生授課，保障了教學中心地位;總結科研和工程經驗，更新了教學內容，出版了系列教材，提高了學生工程實踐能力，形成了科研促進教學的良好局面。

三、教研統一的思考

盡管在多年的教學科研實踐中摸索了一些“教研統一”的方式方法，但終究不是機制，無法形成長效。而“教師的薪水、晉升，最終是依據其科研成果，而不是其教學績效，大學制訂的教師學術獎勵體系中幾乎看不到教學的影子”[3]，“教學和科研的統一正在隨著科研的興盛及二者之間激勵機制的不平衡而受到破壞，科研正在越來越遠離教學，甚至是毫不相干”。[4]那么，如何讓教師發(fā)揮主觀能動性，積極投身教研統一的探索？又如何讓學生積極投身運用專業(yè)知識解決實際問題的實踐，為學生實踐能力培養(yǎng)與提高形成合力呢？

（一）倡導研究性教學

大學師資管理模式、績效考核方式決定著大學教師的工作方式、工作效率和工作效果[5]，畢竟對多數人而言，指揮棒在哪里，工作的方向就在哪里。因此對工程實踐性強的專業(yè)，可從教學的要求上倡導研究性教學，從績效考核上拉近、拉平教學與科研獎勵，不僅讓只灌輸書本知識的現象得到改觀，也讓學術水平高的教師有意愿對學生傾囊相授。

同時，一個高效的科研團隊必然也是一個優(yōu)勢互補的水平梯隊，而一個專業(yè)的教學也是理論與實踐、抽象與具體、構想與實現的結合。因此，可從校級層面上制訂科研團隊對專業(yè)教學的工作目標，再由科研團隊細分任務與計劃，并分解科研項目，組織教學活動，做到教師人盡其才，學生人盡其用，這樣既可以調動教師積極性，又可以發(fā)揮學生能動性。

（二）強調教學中心地位

從教師角度看，教學過程中應著重關注學生的學習過程，以教學為中心，以學生為主體，以教師為主導，以學習為主線。在基礎課、專業(yè)基礎課的支持下，專業(yè)課教學可以按“問題驅動、案例驅動、項目驅動、前沿驅動”的節(jié)奏循序漸進，逐步提升。教學方式方法的改革將在一定程度上促進“教研統一”的踐行。

（三）發(fā)揮學生科研潛力

從學生角度看，專業(yè)知識的掌握程度，除了卷面成績外，還可以有多種表現形式，如：1.參加教師科研項目，獨立運用專業(yè)知識或在教師指導下多方查閱、調研，完成相關模塊的設計，并撰寫小論文或申請國家發(fā)明專利，或錄用或發(fā)表，或實審或授權;2.參加學科競賽，競賽題目可以從日常應用角度激發(fā)學生的靈感，也可是教師科研項目轉化，通過自由組隊，在省級及以上政府機構組織的裝試性競賽、國家級行業(yè)協會組織的裝試性競賽上獲獎等。對諸如此類情形，從學校學院角度給以獎勵、鼓勵，也將在一定程度上促進“教研統一”的踐行。

四、總結

本文結合集成電路設計專業(yè)工程實踐性強的特點，在長期的教學科研實踐中，探索出了一套“科研嵌入”理論教學內容、“科研反哺”實踐教學環(huán)境、“科研提高”師資隊伍建設和“科研啟發(fā)”應用型人才培養(yǎng)的教研統一方案;同時為了實現科研促進教學、提高人才培養(yǎng)的效果，從學校角度、教師角度和學生角度思考了倡導研究性教學、強調教學中心地位、發(fā)揮學生科研潛力的“教研統一”長效機制。

[ 注 釋 ]

[1] 梁林梅.國外關于本科教學與科研關系的探析[J].江蘇高教，2010（3）：67-60.

[2] 盧建軍.深化高教改革要抓好頂層設計[N].光明日報，2014-06-17.

[3] Serow R C.Research and teaching at a research university[J].Higher Education，2000（4）：449-463.

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關鍵詞:FC;SoC;電源管理模塊;電路

中圖分類號:TP331文獻標識碼:A文章編號:1009-3044(2010)10-2449-02

隨著集成電路設計技術和超深亞微米技術的高速發(fā)展,集成電路設計已步入片上系統SoC(System on Chip)時代。SoC是專用集成電路ASIC(Application Specific Integrated Circuits)設計方法學中的新技術,是指以嵌入式系統為核心,以IP核復用技術為基礎,集軟、硬件于一體,并追求產品系統最大包容的集成芯片。SoC是將數字電路、模擬電路、信號采集和轉換電路、存儲器、MPU、MCU、DSP等集成在一塊芯片上實現一個系統。以超深亞微米(VDSM)工藝和IP核復用(IP Reuse)技術為支撐的系統級芯片技術將是超大規(guī)模集成電路(VLSI)發(fā)展的必然趨勢和主流。

為突破傳統電源管理模式,將研發(fā)的智能電源管理模塊以SoC為核心,利用SoC內部的ARM922T處理器提供處理能力,外部配置AD采樣邏輯、存儲器等資源;并采用光纖通道(Fiber Channel,FC)為通信接口,通過FC總線,接收系統其它模塊發(fā)送的控制命令,進一步提高了電源模塊的可靠性、通用性、易擴展性和靈活的配置能力,并促進了FC技術的應用,保證了系統功能和性能的優(yōu)化。

1 智能電源管理模塊的系統結構

智能電源管理模塊是以片上系統SoC為控制中心,實現對數據的采集。模塊由電壓電流調理電路、開關陣列電路、AD選通轉換電路、控制器、存儲器、FC接口等構成,主要負責電源模塊的檢測和控制。當上電BIT測試正確,則電源管理模塊以一組固定的動作序列去控制開關陣列PSA向外供電;若流經PSA電流超出范圍Is≥IsMAX,控制PSA并對其進行狀態(tài)轉換;在應急供電下,停止對通用模塊供電,只對關鍵模塊供電;電源管理模塊通過FC接口與系統管理者進行傳輸開關動作狀態(tài)、報警信息、數據(各支路電流),記錄電源自測試BIT結果、故障信息。

電源管理模塊系統結構包括如圖1所示的主要功能塊。

2 電源管理模塊電路設計

2.1 復位電路

復位類型包括上電復位、手動復位、調試口復位、軟件復位和看門狗復位。

上電或手動復位有效時產生200ms的低電平復位信號,提供給SoC芯片作為系統復位觸發(fā)源之一。調試口復位由外部調試工具產生,用于復位ARM922T處理器的調試接口。軟件復位指系統根據軟件運行要求生成的復位觸發(fā)源。而當系統在規(guī)定時間內,沒有得到響應時產生看門狗復位。

當SoC芯片接收到上述復位類型中任意一種觸發(fā)復位機制,由SoC芯片輸出系統復位信號對電源管理模塊進行復位。

2.2 時鐘電路

電源管理模塊中需要使用時鐘的電路有:SoC芯片、FC接口。其中,SoC芯片選擇53.125MHz運行時鐘,內部進行4倍頻提供ARM922T處理器使用。FC接口收、發(fā)數據時鐘頻率為106.25MHz。

2.3 存儲器電路

電源管理模塊中的存儲器是SDRAM存儲器。該存儲器工作電壓為3.3V,封裝為54引腳的TSOP,容量為32M*16。在設計時使用2片K4S511632E實現32位操作。SoC芯片內置SDRAM存儲器控制器,提供SDRAM的時序控制邏輯,并且提供SDRAM訪問時鐘,時鐘頻率為56.125MHz,同存儲器時鐘的時鐘頻率和相位在EDA設計時保持一致。

2.4 電壓轉換電路

模塊中使用了多種電壓的電源,分別為+3.3V、+2.5V和+1.8V,統一由外部+5V經電壓轉換電路實現,輸出電流可達到3A。由于SoC芯片要求內核上電時間萬余I/O上電時間,所以在設計時對內核電壓(+1.8V)轉換電路增加場效應管控制,使其滿足SoC芯片供電要求。

電壓轉換電路設計圖如圖2所示。

2.5 模擬量輸入電路

系統的模擬量信號是由多路模擬開關進行選通。多路開關是采用2片16通道模擬開關和1片8通道模擬開關,通過4位通道地址選取相應通道,其中最高位為片選位。因此,最多可選通38路模擬信號,滿足本模塊所需的24路模擬量信號的要求。模擬開關用于選通被測試信號,包括4路電壓檢測信號、16路電流模擬量信號和4路應急模擬量信號,通過對GPIO0-5配置進行通道選擇。

A/D轉換器件控制端直接與EBI接口連接,CS信號接EBI_CS2,讀寫信號則與EBI讀寫信號相連。A/D轉換的操作為中斷方式或查詢方式,轉換結束標志EOC信號作為外部中斷連接到SoC芯片,當轉換結束后產生中斷,由SoC芯片讀取轉換結果并作出相應處理。EOC信號在設計時也連接到SoC芯片的GPIO端,可作為輸入信號,當轉換開始后查詢該信號狀態(tài)判斷是否轉換結束。

模擬量輸入和A/D轉換電路如圖3所示。

2.6 離散量輸出電路

離散量輸出主要用于控制開關陣列的工作狀態(tài),當狀態(tài)一旦置出,在沒有檢測到錯誤或是在沒有接受到系統管理者更新指令時,該狀態(tài)是不能變更的。

在設計時,利用EBI數據作為開關陣列的控制信號。首先,對EBI數據通過鎖存器進行鎖存,然后進行電平轉換,以此輸出滿足開關陣列使用的+5V電平信號,初始默認開關陣列的狀態(tài)為全開,所以采用+5V上拉方式保證離散量輸出信號為高電平。設計圖如圖4所示。

2.7 FC接口

SoC芯片提供FC接口,所以只需要在外部連接串并轉化器和光電收發(fā)器即可。串并轉換器具有10bitTx/Rx總線接口,提供并行回環(huán)測試模式,接收、發(fā)送時鐘可達到106.25MHz,兼容SSTL-2電平,供電電壓為3.3V。而光電收發(fā)器也采用的是一款高性能光纖模塊,具有4通道接收器/發(fā)送器,單通道帶寬1Gbps至2.7Gbps,兼容8B/10B數據格式。設計過程中重點考慮PCB制作和FC接口端接匹配電阻的選擇。

3 結論

電源管理系統模塊利用FC接口,通過FC總線接受應用系統中其他模塊發(fā)送的控制命令,并根據命令,控制開關陣列的輸出,可以實現分別為各可替換功能模塊(LRM)的上下電。而當智能電源模塊發(fā)生故障時,電源管理模塊能夠通過FC總線將故障信息發(fā)送給應用系統的主控模塊。在系統控制下,發(fā)生供電系統的重構動作,從而實現電源故障隔離。

參考文獻:

[1] Furber S[英].田澤,于敦山,盛世敏,譯.ARM SoC體系結構[M].北京航空航天大學出版社,2002.

篇4

預計在未來10到20年，微電子器件抗輻射加固的重點發(fā)展技術是：抗輻射加固新技術和新方法研究；新材料和先進器件結構輻射效應；多器件相互作用模型和模擬研究；理解和研究復雜3－D結構、系統封裝的抗輻射加固；開發(fā)能夠降低測試要求的先進模擬技術；開發(fā)應用加固設計的各種技術。本文分析研究了微電子器件抗輻射加固設計技術和工藝制造技術的發(fā)展態(tài)勢。

2輻射效應和損傷機理研究

微電子器件中的數字和模擬集成電路的輻射效應一般分為總劑量效應（TID）、單粒子效應（SEE）和劑量率（DoesRate）效應。總劑量效應源于由γ光子、質子和中子照射所引發(fā)的氧化層電荷陷阱或位移破壞，包括漏電流增加、MOSFET閾值漂移，以及雙極晶體管的增益衰減。SEE是由輻射環(huán)境中的高能粒子（質子、中子、α粒子和其他重離子）轟擊微電子電路的敏感區(qū)引發(fā)的。在p－n結兩端產生電荷的單粒子效應，可引發(fā)軟誤差、電路閉鎖或元件燒毀。SEE中的單粒子翻轉（SEU）會導致電路節(jié)點的邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉。劑量率效應是由甚高速率的γ或X射線，在極短時間內作用于電路，并在整個電路內產生光電流引發(fā)的，可導致閉鎖、燒毀和軌電壓坍塌等破壞［1］。輻射效應和損傷機理研究是抗輻射加固技術的基礎，航空航天應用的SiGe，InP，集成光電子等高速高性能新型器件的輻射效應和損傷機理是研究重點。研究新型器件的輻射效應和損傷機理的重要作用是：1）對新的微電子技術和光電子技術進行分析評價，推動其應用到航空航天等任務中；2）研究輻射環(huán)境應用技術的指導方法學；3）研究抗輻射保證問題，以增加系統可靠性，減少成本，簡化供應渠道。研究的目的是保證帶寬／速度不斷提升的微電子和光（如光纖數據鏈接）電子電路在輻射環(huán)境中可靠地工作。圖1所示為輻射效應和損傷機理的重點研究對象。研究領域可分為：1）新微電子器件輻射效應和損傷機理；2）先進微電子技術輻射評估；3）航空航天抗輻射保障；4）光電子器件的輻射效應和損傷機理；5）輻射測試、放射量測定及相關問題；6）飛行工程和異常數據分析；7）提供及時的前期工程支持；8）航空輻射效應評估；9）輻射數據維護和傳送。

3抗輻射加固設計技術

3．1抗輻射加固系統設計方法

開展抗輻射加固設計需要一個完整的設計和驗證體系，包括技術支持開發(fā)、建立空間環(huán)境模型及環(huán)境監(jiān)視系統、具備系統設計概念和在軌實驗的數據庫等。圖2所示為空間抗輻射加固設計的驗證體系。本文討論的設計技術范圍主要是關于系統、結構、電路、器件級的設計技術。可以通過圖2所示設計體系進行抗輻射加固設計：1）采用多級別冗余的方法減輕輻射破壞，這些級別分為元件級、板級、系統級和飛行器級。2）采用冗余或加倍結構元件（如三模塊冗余）的邏輯電路設計方法，即投票電路根據最少兩位的投票確定輸出邏輯。3）采用電路設計和版圖設計以減輕電離輻射破壞的方法。即采用隔離、補償或校正、去耦等電路技術，以及摻雜阱和隔離槽芯片布局設計；4）加入誤差檢測和校正電路，或者自修復和自重構功能；5）器件間距和去耦。這些加固設計器件可以采用專用工藝，也可采用標準工藝制造。

3．2加固模擬／混合信號IP技術

最近的發(fā)展趨勢表明，為了提高衛(wèi)星的智能水平和降低成本，推動了模擬和混合信號IP需求不斷增加［2］。抗輻射加固模擬IP的數量也不斷增加。其混合信號IP也是相似的，在高、低壓中均有應用，只是需在不同的代工廠加工。比利時IMEC，ICsense等公司在設計抗輻射加固方案中提供了大量的模擬IP內容。模擬IP包括抗輻射加固的PLL和A／D轉換器模塊，正逐步向軟件控制型混合信號SoCASIC方向發(fā)展。該抗輻射加固庫基于XFab公司180nm工藝，與臺積電180nm設計加固IP庫參數相當。TID加固水平可以達到1kGy，并且對單粒子閉鎖和漏電流增加都可以進行有效加固。

3．3SiGe加固設計技術

SiGeHBT晶體管在空間應用并作模擬器件時，對總劑量輻射效應具有較為充分和固有的魯棒性，具備大部分空間應用（如衛(wèi)星）所要求的總劑量和位移效應的耐受能力［3］。目前，SiGeBiCMOS設計加固的熱點主要集中在數字邏輯電路上。SEE／SEU會對SiGeHBT數字邏輯電路造成較大破壞。因此，這方面的抗加設計技術發(fā)展較快。對先進SiGeBiCMOS工藝的邏輯電路進行SEE／SEU加固時，在器件級，可采用特殊的C－B－ESiGeHBT器件、反模級聯結構器件、適當的版圖結構設計等來進行SEE／SEU加固。在電路級，可使用雙交替、柵反饋和三模冗余等方法進行加固設計。三模冗余法除了在電路級上應用外，還可作為一種系統級加固方法使用。各種抗輻射設計獲得的加固效果各不相同。例如，移相器使用器件級和電路級并用的加固設計方案，經過LET值為75MeV•cm2／mg的重粒子試驗和標準位誤差試驗后，結果顯示，該移相器整體抗SEU能力得到有效提高，對SEU具有明顯的免疫力。

4抗輻射加固工藝技術

目前，加固專用工藝線仍然是戰(zhàn)略級加固的強有力工具，將來會越來越多地與加固設計結合使用。因為抗輻射加固工藝技術具有非常高的專業(yè)化屬性和高復雜性，因此只有少數幾個廠家能夠掌握該項技術。例如，單粒子加固的SOI工藝和SOS工藝，總劑量加固的小幾何尺寸CMOS工藝，IBM的45nmSOI工藝，Honeywe1l的50nm工藝，以及BAE外延CMOS工藝等。主要的抗輻射加固產品供應商之一Atmel于2006年左右達到0．18μm技術節(jié)點，上一期的工藝節(jié)點為3μm。Atmel的RTCMOS，RTPCMOS，RHCMOS抗輻射加固專用工藝不需改變設計和版圖，只用工藝加固即可制造出滿足抗輻射要求的軍用集成電路。0．18μm是Atmel當前主要的抗輻射加固工藝，目前正在開發(fā)0．15μm技術，下一步將發(fā)展90nm和65nm工藝。Atmel采用0．18μm專用工藝制造的IC有加固ASIC、加固通信IC、加固FPGA、加固存儲器、加固處理器等，如圖3所示。

5重點發(fā)展技術態(tài)勢

5．1美國的抗輻射加固技術

5．1．1加固設計重點技術

美國商務部2009年國防工業(yè)評估報告《美國集成電路設計和制造能力》，詳細地研究了美國抗輻射加固設計和制造能力［4］。擁有抗輻射加固制造能力的美國廠商同時擁有抗單粒子效應、輻射容錯、抗輻射加固和中子加固的設計能力。其中，擁有抗單粒子效應能力的18家、輻射容錯14家、輻射加固10家，中子加固9家。IDM公司是抗輻射加固設計的主力軍，2006年就已達到從10μm到65nm的15個技術節(jié)點的產品設計能力。15家公司具備10μm～1μm的設計能力，22家公司具備1μm～250nm的設計能力，24家公司具備250nm～65nm設計能力，7家公司的技術節(jié)點在65nm以下，如圖5所示。純設計公司的抗輻射加固設計能力較弱。美國IDM在設計抗輻射產品時所用的材料包括體硅、SOI，SiGe等Si標準材料，和藍寶石上硅、SiC，GaN，GaAs，InP，銻化物、非結晶硅等非標準材料兩大類。標準材料中使用體硅的有23家，使用SOI的有13家，使用SiGe的有10家。使用非標準材料的公司數量在明顯下降。非標材料中，GaN是熱點，有7家公司（4個小規(guī)模公司和3個中等規(guī)模公司）在開發(fā)。SiC則最弱，只有兩家中小公司在研發(fā)。沒有大制造公司從事非標材料的開發(fā)。

5．1．2重點工藝和制造能力

美國有51家公司從事輻射容錯、輻射加固、中子加固、單粒子瞬態(tài)加固IC產品研制。其中抗單粒子效應16家，輻射容錯15家，抗輻射加固12家，中子加固8家。制造公司加固IC工藝節(jié)點從10μm到32nm。使用的材料有標準Si材料和非標準兩大類。前一類有體硅、SOI和SiGe，非標準材料則包括藍寶石上硅，SiC，GaN，GaAs，InP，銻化物和非晶硅（amorphous）。晶圓的尺寸有50，100，150，200，300mm這幾類。抗輻射加固產品制造可分為專用集成電路（ASIC）、柵陣列、存儲器和其他產品。ASIC制造能力最為強大，定制ASIC的廠商達到21家，標準ASIC達到13家，結構化ASIC有12家。柵陣列有：現場可編程陣列（FPGA）、掩膜現場可編程陣列（MPGA）、一次性現場可編程陣列（EPGA），共19家。RF／模擬／混合信號IC制造商達到18家，制造處理器／協處理器有11家。5．1．3RF和混合信號SiGeBiCMOS據美國航空航天局（NASA），SiGe技術發(fā)展的下一目標是深空極端環(huán)境應用的技術和產品，例如月球表面應用。這主要包括抗多種輻射和輻射免疫能力。例如，器件在＋120℃～－180℃溫度范圍內正常工作的能力。具有更多的SiGe模擬／混合信號產品，微波／毫米波混合信號集成電路。系統能夠取消各種屏蔽和專用電纜，以減小重量和體積。德國IHP公司為空間應用提供高性能的250nmSiGeBiCMOS工藝SGB25RH［5］，其工作頻率達到20GHz。包括專用抗輻射加固庫輻射試驗、ASIC開發(fā)和可用IP。采用SGB13RH加固的130nmSiGeBiCMOS工藝可達到250GHz／300GHz的ft／fmax。采用該技術，可實現SiGeBiCMOS抗輻射加固庫。

5．2混合信號的抗輻射加固設計技術

如果半導體發(fā)展趨勢不發(fā)生變化，則當IC特征尺寸向90nm及更小尺寸發(fā)展時，混合信號加固設計技術的重要性就會增加［6］。設計加固可以使用商用工藝，與特征尺寸落后于商用工藝的專用工藝相比，能夠在更小的芯片面積上提高IC速度和優(yōu)化IC性能。此外，設計加固能夠幫助設計者擴大減小單粒子效應的可選技術范圍。在20～30年長的時期內，加固設計方法學的未來并不十分清晰。最終數字元件將縮小到分子或原子的尺度。單個的質子、中子或粒子碰撞導致的后果可能不是退化，而是整個晶體管或子電路毀壞。除了引入新的屏蔽和／或封裝技術，一些復雜數字電路還需要具備一些動態(tài)的自修復和自重構功能。此外，提高產量和防止工作失效的力量或許會推動商用制造商在解決這些問題方面起到引領的作用。當前，沒有跡象表明模擬和RF電路會最終使用與數字電路相同的元件和工藝。因此，加固混合信號電路設計者需要在模擬和數字兩個完全不同的方向開展工作，即需要同時使用兩種基本不同的IC技術，并應用兩種基本不同的加固設計方法。

6結束語

篇5

中國半導體行業(yè)協會理事長、中芯國際董事長江上舟同志因病于2011年6月27日不幸逝世，享年64歲。

江上舟同志是上海芯片產業(yè)的奠基人、國家大飛機項目的啟動者之一，推動了包括大飛機和半導體在內的多個重大科技項目。江上舟同志曾在海南省、上海市政府部門擔任重要領導職務。

江上舟同志一生為推動我國半導體產業(yè)的發(fā)展作出了突出貢獻，他的逝世是中國半導體業(yè)界的重大損失，也是國家科技界的重大損失。（本刊編輯：黃友庚）

全國半導體封裝測試研討會

在煙臺舉行

第九屆中國半導體封裝測試技術與市場研討會日前在山東省煙臺市開發(fā)區(qū)召開。此次會議聚集了400多位國內外各大半導體企業(yè)、科研院所、高校的專家學者，就如何促進我國半導體封測業(yè)更快更好發(fā)展進行了深入研討與交流。

會議重點介紹了我國半導體封裝測試產業(yè)調研、3D封裝技術、TSV技術、綠色封裝技術、封裝可靠性與測試技術、表面組裝與高密度互連技術、封裝基板制造技術、先進封裝設備、封裝材料等及其市場走向與應對措施。這是我國半導體封裝測試業(yè)界的重要盛會，也是半導體產業(yè)鏈之間的一個極具意義的交流平臺。

2010年，我國集成電路產業(yè)在2009年緩慢復蘇的基礎上，呈現出強勁的增長勢頭。隨著芯片集成度的極大提高，高端封裝產品的技術含量日重，封裝測試的成本在集成電路成本中所占比重加大，并且受集成電路價格波動的影響較小。中國半導體行業(yè)協會畢克允副理事長介紹，面對這一形勢，有必要提高對發(fā)展半導體封裝測試業(yè)的認識，充分發(fā)揮我國的成本優(yōu)勢，加強對封裝測試業(yè)的研發(fā)支持，提高創(chuàng)新能力鼓勵資源整合，擴大國際合作，在我國培育出全球性半導體封測大公司。（來自中半協封裝分會）

2011中國通信集成電路技術

與應用研討會9月蘇州召開

為進一步推進集成電路技術的進步，促進通信、集成電路與物聯網產業(yè)的融合發(fā)展，中國通信學會通信專用集成電路委員會、中國電子學會通信學分會定于2011年9月22-23日在蘇州舉辦“2011中國通信集成電路技術與應用研討會暨物聯網應用論壇”。

本次會議以“創(chuàng)新應用與融合發(fā)展”為主題，圍繞通信集成電路技術與物聯網應用，重點研討集成電路的技術發(fā)展，以及物聯網應用對通信產業(yè)、集成電路產業(yè)帶來的機遇。會議期間將舉辦產品應用展示，集中展示集成電路設計技術以及在通信、物聯網等領域的應用。

自2003年起，“中國通信集成電路技術研討會”被確定為每年一屆的行業(yè)例會，曾先后在昆明、杭州、成都、大連、西安、蘇州、上海、武漢等地成功舉辦，并贏得了與會者的廣泛認同，已經成為集成電路行業(yè)和通信行業(yè)非常關注的一項重要技術活動，依托中國電子學會和中國通信學會這兩大資源平臺，使該活動匯集了國內外主要的集成電路企業(yè)和通信廠商，形成了產業(yè)間技術與設計應用的互動交流平臺。（本刊編輯：黃友庚）

2011中國半導體行業(yè)協會

集成電路設計分會年會

（ICCAD 2011）11月西安召開

為了發(fā)揮西安深厚的科研優(yōu)勢，充分展示東西部產業(yè)資源的各自優(yōu)勢，培育核心技術，推動集成電路產業(yè)，尤其是設計業(yè)做強做大，實現下一個十年跨越式發(fā)展，中國半導體行業(yè)協會定于2011年11月17日-18日在西安舉辦“2011中國半導體行業(yè)協會集成電路設計分會年會暨中國集成電路設計產業(yè)十年成就展”。

本次年會以“優(yōu)化產業(yè)發(fā)展環(huán)境，提升核心競爭力，實現規(guī)模化快速發(fā)展”為主題，積極探討集成電路設計產業(yè)的機遇和挑戰(zhàn)，推動產業(yè)鏈的互動，促進我國集成電路設計產業(yè)持續(xù)、快速、健康地發(fā)展。大會將為集成電路產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的企業(yè)營造一個交流與合作的良好平臺，為世界各地和港、澳、臺的同行以及相關行業(yè)協會、中介組織等構筑一個與中國集成電路設計企業(yè)在技術、市場、應用、投資等領域互換信息、探討合作的交流平臺。同時，大會對于幫助本土產業(yè)構建高端交流平臺和企業(yè)合作機遇具有舉足輕重的意義，必將對促進產業(yè)整合，提升核心競爭力，實現產業(yè)規(guī)模化快速發(fā)展產生深遠的影響。（來自中半協設計分會）

甘肅集成電路產業(yè)目標鎖定：

“十二五”末超過120億塊

甘肅集成電路產業(yè)發(fā)展已駛入“快車道”：集成電路元器件封裝產業(yè)規(guī)模將在“十二五”末力爭達到120億塊以上，實現主營業(yè)務收入45億元，年均增速在30％以上。

據甘肅省工業(yè)和信息化委員會透露，在國家和地方一系列政策支持下，甘肅集成電路產業(yè)近幾年規(guī)模不斷擴大。“十一五”期間，產業(yè)規(guī)模年均增長40.2％，主營業(yè)務收入年均增長32.2％，利潤總額年均增長27.6％。2010年，甘肅集成電路產業(yè)完成工業(yè)總產值18.12億元，同比增長43％；實現工業(yè)銷售產值17.46億元，同比增長51％。在集成電路生產企業(yè)中，“領頭羊”華天電子集團年封裝能力由10年前的800萬塊增加到目前的50億塊以上，躋身國內同行業(yè)內資企業(yè)前三位。

同時，甘肅集成電路產業(yè)創(chuàng)新能力亦水漲船高。近年來，先后完成數百項重大技改、重點工程項目及重點新產品，為近百項國家重點工程提供了大量可靠的集成電路產品，70多個系列和產品獲得國家重大科技成果、科技進步等獎項，建成1個國家級企業(yè)技術中心和2個省級研發(fā)中心，研發(fā)人員占到從業(yè)人員總數的近23％。

據介紹，針對產業(yè)總量偏少、競爭能力較弱、缺乏區(qū)位優(yōu)勢等突出問題，甘肅將在“十二五”期間力爭實現集成電路產業(yè)主導產品由單一向多元的結構轉變，實現技術水平由中低端向高端轉變，建成以天水、蘭州、平涼為核心的微電子、電真空器件、軍工電子等3大科研生產基地，培育出2-3個效益突出、收入過10億元、具有核心競爭力的龍頭企業(yè)。（來自新浪網）

2011年全球半導體資本

設備支出將達448億美元

據技術研究和咨詢公司Gartner預測，2011年全球半導體資本設備支出將達到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導體庫存出現過剩修正，再加上晶圓設備制造供過于求，將導致2012年半導體資本設備支出略有下滑。

Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示：“盡管日本的災難性地震威脅將破壞電子產品供應鏈，但自我們在2011年第一季度的預測以來，資本支出和設備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力，此次地震的影響已降低到最小程度。”（來自半導體行業(yè)網）

英飛凌創(chuàng)新電源管理產品

亮相PCIM Asia 2011

作為全球領先的功率半導體供應商，英飛凌在上海召開的2011 PCIM亞洲展覽會(2011年6月21日至23日)上展示了最新的IGBT技術、CoolMOSTM CFD系列、高端功率二極管、晶閘管產品及各種為新能源功率變換準備的功率組件等。

英飛凌的逆導型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設計出更高能效的電機驅動家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統更低。

英飛凌最新推出市場領先的集成快速體二極管的650V CoolMOS CFD2產品，可將諸如服務器、太陽能設備、電信機房開關電源和照明裝置等設備的能效提升至新的高度。

英飛凌新推出的60V至150V CanPAK，進一步完善了其OptiMOS功率MOSFET產品陣容。同時，英飛凌進一步擴充了第二代碳化硅肖特基二極管，推出了采用新的TO-247HC（長爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。

英飛凌中國工業(yè)及多元化電子市場部高級經理馬國偉先生表示：“英飛凌的節(jié)能產品，可以更好地降低成本，全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求，同時為我們的客戶帶來明顯的競爭優(yōu)勢。”（本刊編輯：胡 ）

國民技術：雙界面

IC卡芯片實現三大創(chuàng)新

由國民技術推出的高安全性雙界面IC卡芯片Z8HCR的成功研發(fā)并產業(yè)化，Z8HCR的誕生將填補我國商用密碼產品在非接觸CPU卡上的空白，打破了外國對此技術的限制，為我國民族產業(yè)的發(fā)展作出了貢獻。

據國民技術相關人士介紹，Z8HCR實現了三大創(chuàng)新，雙界面是該芯片的一個創(chuàng)新點，目前國內還未有帶非接觸式接口與接觸式接口的同類產品，如何控制在不同模式下的電源問題，是該項目能夠成功實施的關鍵。另外，高安全性是該芯片的另一個創(chuàng)新點。國產算法的引入，不僅提高了芯片本身的安全性，也為該領域的國產化提供了技術保證。此外，高性能是該芯片重要指標，此芯片立足于達到國外芯片的性能要求，且部分超越國外芯片，可支持多應用。

Z8HCR可廣泛應用于電子政務、電子商務、電子防偽等多個領域。（來自半導體行業(yè)網）

展訊新品 2G成重心

展訊近日了三款極具性價比的GSM芯片，包括面向終端采用ARM9內核的SC6800H，以及兩款面向低端市場的SC6610和SC6620。

如何普及移動互聯網，就是要降低成本，使每個用戶都能消費得起，其次是要提高性能。展訊市場副總裁康一博士表示，“對于低端產品而言，其核心競爭力是降低成本。我們把一些用于高端手機的手段用于低端手機。”

在康一看來，如果將iPhone看作“奔馳”、“寶馬”，那么奔馳寶馬是很難讓移動互聯網得到普及。

展訊內部人士表示，全球很多不發(fā)達的地區(qū)，有很多人現在用的手機非常簡單，甚至還有用戶根本沒用過手機，跟移動互聯網的發(fā)展“搭不上邊”，“6610和6620的尺寸很小，性價比比較高，可滿足國內及海外新興市場低端手機市場需求。”

據悉，展訊SC6610和SC6620將多媒體加速器、觸摸屏背光、射頻接口都集成到了芯片上，使得產品在成本上更具優(yōu)勢，而連接的簡便也將大大縮短終端設計時間。（來自半導體行業(yè)網）

同方微電子成功開發(fā)

出雙界面銀行IC卡產品

上海華虹NEC電子有限公司日前宣布，北京同方微電子有限公司（以下簡稱“同方微電子”）基于公司成熟的0.13微米嵌入式存儲器工藝，成功地開發(fā)出了高安全性和高可靠性的雙界面銀行IC卡產品。該產品將有力地配合并推進國家“十二五”期間金融IC卡的遷移和應用，促進國內銀行IC卡的產業(yè)升級和可持續(xù)發(fā)展。

為了配合國家“十二五”期間金融IC卡推廣工作的順利進行，2010年上半年華虹NEC啟動了針對雙界面銀行IC卡產品的工藝開發(fā)與IP配套升級，歷時半年時間，于2011年初完成了工藝的硅驗證工作，工藝特性完全滿足銀行IC卡極其嚴格的高安全性和高可靠性的設計要求。同方微電子作為國內銀行IC卡的主要參與設計廠商，基于華虹NEC升級改造后的0.13微米嵌入式存儲器工藝，采用創(chuàng)新的設計理念，在短短半年內就完成了全新的雙界面銀行IC卡的設計、流片和驗證工作。目前，該產品采用華虹NEC高可靠性的EEPROM IP，已經完成了全面的功能評價，實測性能達到了同行業(yè)先進水平。（來自華虹NEC）

中國微電子推出革命性

和諧統調處理器技術

中國微電子科技集團有限公司日前公布推出一項革命性手持移動終端的嶄新突破性技術，和諧統調處理器（Harmony Unified Processor）技術，主要針對中國流動裝置市場。

和諧統調處理器技術把兩種不同類型的處理器，中央處理器（CPU）和圖像處理器（GPU）統一在一個核芯內，同時結合了多線程虛擬管線（MVP）、平行運算內核、獨立的指令集架構、優(yōu)化的編譯器、以及靈活切換的動態(tài)負載均衡等新技術；這嶄新科技將會是半導體行業(yè)發(fā)展中的里程碑，也為移動計算和移動通訊領域帶來更具成本效益及低功耗等優(yōu)點的新產品。

具備和諧統調處理器技術的硅片現已完成生產，并進入封裝測試階段，而系統單芯片制成品主要針對正蓬勃發(fā)展的Android平板計算機市場，預期于本年底前開始量產。（來自半導體行業(yè)網）

燦芯半導體第一顆40nm芯片驗證成功

燦芯半導體（上海）有限公司與中芯國際集成電路制造有限公司共同宣布燦芯半導體第一顆40nm芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。

燦芯半導體與新思科技有限公司（Synopsys,Inc.,）及中芯國際深度合作，使燦芯自主研發(fā)的40nm芯片一次性流片成功。這顆芯片集成了Synopsys Design Ware嵌入式存儲器和邏輯庫，以及中芯國際自主研發(fā)的PLL、I/O等關鍵IP部件，成功驗證了燦芯半導體在40nm工藝線上的前端和后端設計流程。（來自燦芯半導體）

飛思卡爾32位MCU出新品

飛思卡爾半導體近日推出新的32位Qorivva微控制器（MCU），該產品基于Power Architecture技術，目的是使過去只有在豪華汽車中才能見到的環(huán)繞攝像泊車輔助系統變得更加經濟適用并普及到更廣泛的車型中。Qorivva MPC5604E 32位MCU通過快速以太網傳輸高分辨率的壓縮視頻數據，可以提供360度車周全景，從而實現更加安全、簡便地泊車。（來自飛思卡爾）

Marvell推出超低功耗40nm

四端口10GBASE-T PHY芯片

美滿電子科技（Marvell）近日宣布推出88X3140和88X3120 Alaska? X PHY芯片，可為交換機、服務器和存儲客戶帶來突破性的優(yōu)勢。

四端口的88X3140和雙端口的88X3120在銅質雙絞線上實現了10Gb以太網連接。其顯著的優(yōu)勢包括低延遲、低運行功耗、高抗干擾度，以及支持節(jié)能以太網標準等先進的電源管理特性。它在100米距離時單個端口功耗為2.5瓦，是高密度應用的理想產品。此外，Marvell已經基于Marvell? Prestera?-CX交換機芯片開發(fā)出了參考設計，在1RU機架配置下支持多達48個10GBASE-T端口。（來自Marvell）

NXP推出市場就緒型

NFC“智能”汽車鑰匙解決方案

“智能”汽車鑰匙市場的先驅――恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出針對多功能汽車鑰匙的生產就緒單芯片解決方案――NCF2970（KEyLink Lite）。通過引入近距離無線通訊（NFC） 技術增強汽車鑰匙的功能，恩智浦的KEyLink Lite解決方案可以與配備了NFC功能的手機、平板電腦、筆記本電腦等外部設備互連，幫助汽車制造商營造全新的駕馭體驗。 （來自NXP）

TI基于C28x

和Cortex-M3的雙核MCU問市

近日，德州儀器（TI）宣布推出新型C2000 Concerto雙核微控制器（MCU）系列，可幫助開發(fā)人員設計出環(huán)保性能與連接能力更佳的應用。這種新型Concerto 32位微控制器將TI的具有同類領先性能的C28x內核及控制外設與ARM Cortex-M3內核及連接外設組合起來，以提供一種分區(qū)明確的架構，可在單個具有成本效益的器件中支持實時控制和高級連接。（來自TI）

賽普拉斯FIFO存儲器即將投產

賽普拉斯半導體公司近日宣布推出一款容量高達72 Mbit的先進先出 （FIFO）存儲器。該款全新的高容量（HD） FIFO 是視頻及成像應用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求。與大型PFGA結合使用時，HD FIFO可作為標準同步DRAM存儲器的高級緩沖備選方案。新型HD FIFO可提供18、36以及72Mbit的容量版本，能夠支持3.3V和1.8V LVCMOS及HSTL1等眾多I/O標準。（來自賽普拉斯）

飛思卡爾半導體

50Gbits/s通信芯片

飛思卡爾半導體日前展示了一款名為QorIQAdvancedMultiprocessing（AMP）的網絡芯片產品，主要面向大流量網絡通信市場。這款芯片基于一個64位的 Powere65002.5GHzAltivec處理器核心開發(fā)，采用28nm制程，擁有24個虛擬核心以用來處理交換和路由業(yè)務。

同時，面對較為低端的客戶，飛思卡爾還有12核1.6GHz和24核2.0GHz的產品可供選擇。首款使用該芯片的設備是飛思卡爾的T4240，它已經可以實現50Gbits/s的吞吐量。（來自飛思卡爾）

Microchip擴展RF功率放大器產品線

美國微芯科技公司宣布，推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件，擴展其RF功率放大器產品線。SST12LP17E是同類產品中體積最小但能完全匹配的功率放大器，只需要一個DC旁路電容即可實現最優(yōu)性能。SST12LP18E的工作電壓是Microchip全線RF功率放大器中最低的，并可在-20℃至+85℃條件下工作。新器件可工作于2.7V的低電壓，線性輸出功率高達18.5dBm為2.5%EVM于IEEE802.11gOFDM54Mbps標準下，輸出23.5dBm時附加功率效率高達38%于IEEE802.11b標準下。這些功率放大器采用8引腳2mmx2mmx45mmQFN封裝。它們是小尺寸、高效率和低電池電壓工作的嵌入式WLAN應用的理想選擇，如消費電子市場、手機、游戲機、打印機和平板電腦。（來自Microchip）

IMEC利用CMOS工藝制程

GaN MISHEMTs

歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅片上生長GaN/AlGaN的技術。

借助這項新技術，GaNMISHEMTs（metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors）能夠嚴格按照CMOS的污染控制要求在工藝線上進行生產（不再需要加入金這種貴金屬），進而能夠在200mm硅襯底上大批量生產高質量的氮化鎵產品。（來自半導體行業(yè)網）

瑞薩開發(fā)出不需要電池的

無線通信技術

瑞薩電子日前正式宣布開發(fā)出一種新的近距離無線通訊技術：傳感器不需電池即可通過藍牙或無線局域網將數據發(fā)送出去。

此技術的重點有兩個：首先是利用發(fā)信端和收信端之間電磁波信噪比的改變來讀取傳感器傳送數據的近距離無線技術。另外就是自動探測環(huán)境中能量較強的電磁波（手機信號或WiFi/WLAN信號等）并轉換成電能的微型發(fā)電技術。

這兩者的結合，使得小于1米的通信距離內傳感器發(fā)送數據不需依靠電池得以實現。這種新的無線通訊技術以后可能應用的例子有：使用電子計算器計算得出結果后靠近PC直接發(fā)送結果到PC中；在創(chuàng)可貼上加入溫度傳感器，用智能手機實時監(jiān)控體溫數據等。（來自CSIA）

AMD推出低功耗計算

和圖像處理混合芯片

AMD日前正式推出了其低功耗旗艦產品－Fusion處理器。Fusion芯片融合了x86架構的計算處理器和圖像處理器，成為AMD和INTEL、ARM等競爭移動應用市場的“殺手锏”。不過，AMD資深研究人員PhilRogers暗示，Fusion芯片的架構設計并不是封閉、排外的，Fusion的系統架構設計在未來可以融合其它架構的計算處理器和圖像處理器組成一個“異質”的多核平臺。AMD將對外公布有關的技術文檔，使Fusion成為一個開放的軟硬件開發(fā)平臺。（來自CSIA）

意法半導體（ST）通過CMP

為業(yè)界提供28納米CMOS制程

意法半導體與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實驗室及企業(yè)可通過CMP提供的芯片中介服務使用意法半導體的28 nm CMOS制程開發(fā)芯片設計。

雙方在上一代CMOS合作項目的成功促使了這次推出的28nm CMOS制程服務。雙方于2008年、2006年、2004年及2003年分別推出45nm、65nm、90nm及130nm制程服務。此外，CMP還提供意法半導體的65nm和130nm SOI以及130nm SiGe制造制程服務。舉例來說，170所大專院校和企業(yè)已可使用意法半導體的90nm CMOS制程設計規(guī)則和設計工具，200余所大專院校和企業(yè)（60%為歐洲客戶；40%為美洲和亞洲客戶）已可使用65nm bulk和 SOI CMOS制程設計規(guī)則和設計工具。目前，45/40納米CMOS制程服務仍在開發(fā)階段。（來自意法半導體）

新岸線NuSmart 2816移動處理器

新岸線公司最近了一款NuSmart2816處理器。該產品擁有強大性能的移動終端設備處理器，采用了先進的Coretex-A9構架，性能卓越，且價格合理。新岸線市場行銷副總裁楊宇新先生告訴媒體：“目前已經有品牌選用了NuSmart2816作為平板電腦的核心，第一款產品將在今年10月份左右上市。”并且，新岸線的下一代產品，功耗更低的Coretex-A9構架處理器已經準備好了，代號為NuSmart2810，屆時這款處理器將把A9雙核處理器的成本拉的更低一些。并且，新岸線的4核AMR構架的產品也在積極研發(fā)中，預計8-12個月后將投入生產。（來自CSIA）

思百吉成功舉辦2011中國客戶答謝會

思百吉（Spectris）集團（美國邁思肯的母公司）在上海成功舉辦了“攜手未來，2011共創(chuàng)輝煌”客戶答謝會和記者招待會。百余名主要客戶代表和二十多家重要媒體參加了此次活動， 思百吉集團在活動中分享了其在中國這個主要市場上的發(fā)展狀況。

在記者招待會上，思百吉集團首席執(zhí)行官John OHiggins先生和大家分享了思百吉集團在中國市場的業(yè)務增長及其對技術和產品的未來規(guī)劃。

John OHiggins先生表示：在全球經濟不景氣的情況下，他們在中國市場的銷售額卻仍不斷增長。過去兩年中，共創(chuàng)造了2億多英鎊的銷售額。如今，中國已經成為其全球第二大市場，繼全國的各主要城市后，思百吉也開始進軍西部地區(qū)與二線城市。

雖然進入中國已有40年，思百吉這個名字對于許多人而言都是一個陌生的名字。隨著時間的推移，這家制造高精儀器儀表與控制設備的國際巨鱷，其旗下的13家子公司都在悄然之中悉數進駐了中國市場，其業(yè)務范圍已經逐漸滲透了我國鋼鐵、汽車、能源等工業(yè)領域。

John OHiggins先生總結說：“我們在中國有強大的客戶基礎和良好的發(fā)展機遇，未來我們將繼續(xù)向中國市場投資，致力于產品的本地化，全面完善中國地區(qū)的服務和支持體系，尋求有技術特點的公司作為合作伙伴，不斷研發(fā)新產品，以滿足客戶的需求。”（本刊編輯：黃友庚）

Marvell業(yè)界首款TD單芯片

方案率先在華商用

全球整合式芯片解決方案廠商美滿電子科技（Marvell）日前宣布，成功推出Marvell單芯片在TD智能手機、平板電腦和無線路由器的應用。

Marvell公司業(yè)界領先的TD-SCDMA方案可以提供世界級的3D圖像、手機游戲、移動電視、高清視頻性能，并且通過Marvell美觀易用的Kinoma軟件，為不同平臺提供統一的用戶體驗。同時，PXA920系列產品是業(yè)界首款TD-SCDMA單芯片方案，融合了高性能應用處理器和調制解調器，讓大眾期待已久的1000元智能手機成為現實。這一平臺同時支持全球的3G和2G標準，讓OEM廠商可以為中國及中國以外的市場快速開發(fā)WCDMA智能手機、平板電腦和無線路由器。

Marvell完整的手機平臺解決方案包括單芯片通信處理器和應用處理器、射頻模塊、電源管理芯片以及集成有Wi-Fi/藍牙/FM調頻功能的連接單芯片，該單芯片支持1x1和2x2移動MIMO通信系統并具有波束成形（beamforming）功能。Marvell的TD-SCDMA芯片和軟件解決方案由上海的研發(fā)中心開發(fā)，該中心有約1000名工程師專注于中國市場。（來自Marvell）

Intersil兩款新型穩(wěn)壓器，

用戶可對其編程

Intersil公司近日宣布，推出兩款微型電源管理芯片――ISL9305和ISL9305H，進一步擴大其針對消費電子市場的電源管理產品家族。ISL9305和ISL9305H這兩款芯片提供多通道電源輸出需求并支持靈活的I2C接口編程，非常適合當下消費電子的設計需求。ISL9305和ISL9305H采用4x4mm封裝，包含兩個800mA（ISL9305）、1500mA（ISL9305H）同步開關降壓穩(wěn)壓器和兩個300mA低壓差（LDO）線性穩(wěn)壓器，這一集成減少了元件總數并降低了產品總成本。 （來自Intersil）

盛群雙向無線電

應用專用SOC MCU問市

盛群半導體推出HT98R068為雙向無線電應用專用SOC MCU。此IC主要是用于類似無線電對講機產品如FRS, MURS, GMRS等市場的含音訊處理的MCU。 在音訊處理功能方面, 包括pre-emphasis/de-emphasis、 壓擴、可編程擾頻設定、DTMF編解碼、可編程selective code編解碼及亞音頻的CTCSS/DCS編解碼。靈活的音訊處理路徑與并行的亞音頻信號處理可提供各種組合的操作模式。（來自盛群半導體）

ST-Ericsson創(chuàng)新組件

將電池壽命提升30%

意法?愛立信目前推出一個全新的產品系列，這一系列的產品可以顯著提升手機和其他連接設備的電池使用壽命。與直接由電池供電的解決方案相比，這個創(chuàng)新的電源管理組件可以將移動設備的通話時間或互聯網連接時間最高提升30%。基于意法?愛立信的開拓性PM3533集成解決方案，移動設備的雙模射頻子系統可以采用低截止電壓電池技術，從而充分利用電池電源。（來自ST-Ericsson）

明導Capital工具覆蓋范圍

擴展至電氣設計領域之外

Mentor Graphics公司近日宣布旗下的Capital產品套裝有重大擴展。Capital套裝當前為汽車、航空和國防工業(yè)提供強大的電氣系統和線束設計流程，而現在又有三款新產品加入，可以同時將流程向上游（產品規(guī)劃和架構設計）和下游（產品維修維護）擴展。隨著新型工具針對解決車型配置復雜性管理,線束制造,以及車輛維修維護文檔管理等多方面難題，Capital系列工具也將覆蓋范圍擴大到從產品定義架構到維修服務。新工具采用了突破性技術，對于OEM廠商、線束制造商和售后服務部門而言具有很高的商業(yè)價值。 （來自Mentor Graphics）

Atmel基于ARM9的MCU

可與Android系統兼容

微控制器及觸摸解決方案的供應商愛特梅爾公司（Atmel Corporation）宣布其基于ARM的產品SAM9G45和SAM9M10將支持Android操作系統 ，應用于消費、工業(yè)和計算市場。愛特梅爾以32位ARM926處理器為基礎的SAM9G45和SAM9M10 ARM9器件現可兼容Android操作系統，為運行Android操作系統的SAM9M10-G45-EK板提供完整的板級支持包（board support package, BSP）。 （來自Atmel）

SanDisk全新嵌入式

閃存驅動器iNAND EXTREME

SanDisk近日宣布推出全新iNAND Extreme嵌入式閃存驅動器（Embedded Flash Drive; EFD）系列；這是針對運行在高級操作系統下以及數據密集型應用的高端平板電腦所推出的首款系列產品，每秒連續(xù)寫入和讀取的速度分別達50MB與80MB。高性能的嵌入式閃存存儲設備，可大幅提高平板電腦的多媒體同步速度、轉文件速度，與操作系統的反應力。 （來自SanDisk）

S2C 正式其新產品

Verification Module

S2C近日宣布他們已經開發(fā)了一種原型驗證產品，即TAI Verification Module（專利申請中）。它允許使用者通過一條x4 PCIe Gen2通道到連接FPGA原型中的用戶設計和用戶的電腦，使得用戶能夠使用大量數據和測試向量對FPGA原型中的用戶設計進行快速驗證。基于Altera Stratix-4 GX FPGA的TAI Verification Module將Altera 的SignalTap Logic Analyzer集成到了S2C的TAI Player軟件中，它能支持在多個FPGA進行RTL 級別調試。這項創(chuàng)新的技術在設計編譯過程中建立了多組，每組480個probe，從而使用戶能在不需要進行冗長的FPGA重新編譯的情形下在多個FPGA中查看數以千計的RTL級probe。（來自S2C）

飛兆新增工業(yè)類型封裝的

PowerTrench MOSFET器件

對于需要提升系統效率并最大限度減少元件數目的高效AC-DC轉換器等應用的設計人員來說，構建一個具備快速開關特性、更高效率和功率密度的現代電源系統是一項非常重要的指標。為了幫助設計人員應對這一挑戰(zhàn)，飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）為100V和150V PowerTrench MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇，包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。 （來自飛兆）

恩智浦推出集成LCD圖像

控制器的LPC1788微控制器

恩智浦半導體近日了LPC1788微控制器，這是業(yè)界首款采用ARM? CortexTM-M3技術且集成LCD控制器的MCU，目前已批量上市。LPC178x系列擁有最高96KB片上SRAM以及32位外接存儲器接口，幫助客戶輕松實現低成本、高質量的圖像應用。LPC178x系列支持眾多圖像顯示面板，是工業(yè)自動化、銷售網點和醫(yī)療診斷應用的理想選擇。 （來自恩智浦）

MIPS 科技推動“Apps on MIPS”開發(fā)

美普思科技公司（MIPS）日前宣布推出全新 MIPS 應用程序開發(fā)（MAD：MIPS Application Development ）計劃，旨在促進 MIPSTM架構應用程序的快速發(fā)展。該計劃將提供性能和兼容性測試的技術支持與服務，以確保應用程序能夠在 MIPS-BasedTM 設備上運行。通過這項由 MIPS 開發(fā)人員社區(qū)所提出的最新計劃，開發(fā)人員能快速構建與 MIPS-BasedTM 移動設備完全兼容的應用程序，為游戲和其它應用程序帶來理想的用戶體驗。

MAD 計劃初期將定位于 AndroidTM 平臺的 MIPS-Based 設備應用程序開發(fā)。MIPS 開發(fā)工程師團隊能夠提供兼容性和性能分析，并將結果反饋給應用程序開發(fā)人員。在 MIPS 開發(fā)人員社區(qū)網站 developer.省略 上可獲得完整的文件和技術支持。此外，開發(fā)人員還能夠充份利用 MAD 套件（MAD Kit） 開發(fā) Android 應用程序。MAD 套件包括由 Android 軟件開發(fā)套件（SDK）和 QEMU 仿真器組成的完整工具鏈，以及本機開發(fā)套件（NDK）（r5b Windows/Linux）。我們同時還會提供高級移動硬件平臺。（來自美普思科技）

奧地利微電子首款3D霍爾傳感器

AS5410可感應絕對位置

奧地利微電子公司近日推出全球首款基于全功能3D霍爾平臺的線性位置傳感器AS5410。獨特的3D霍爾傳感器解決方案可在汽車和工業(yè)應用中感應絕對位置，提供超高分辨率的位置信息。AS5410能在設備啟動后即刻檢測一個簡單兩級磁鐵的絕對位置，應用中無需預先運行參考定位。即便使用非常小的磁鐵，位置感測也可支持大范圍的機械運行距離。AS5410 3D霍爾編碼器可通過SPI接口預設四種基本操作模式，提供快速便捷的配置操作。所有信號調理，包括對溫度影響的補償等均在片內實現。（來自奧地利微電子）

微捷碼宣布推出支持GLOBALFOUNDRIES

低功耗技術的參考流程

微捷碼（Magma）設計自動化有限公司近日宣布，一款支持GLOBALFOUNDRIES 28納米超低功耗（SLP）高K金屬柵（HKMG）技術的netlist-to-GDSII參考流程正式面市。這款簽核就緒（sign-off-ready）的參考流程可與GLOBAL- FOUNDRIES的簽核驗證模塊相集成，且通過利用Talus IC實現系統獨特的Talus Flow Manager和Talus Visual VolcanoTM提供獨特的可視化功能，還使得雙方客戶能夠快速輕松地先輸入現有設計、然后以28納米SLP工藝對其性能進行分析并評估。不同于其它IC實現環(huán)境，Talus Flow Manager是隨著Talus Vortex一起加入的這款流程，從而去除了對額外工具的投資需求。（來自微捷碼）

ADI推出一款高性能

雷達模擬前端IC:AD8283

汽車安全理念一直在發(fā)展演變，現在已經從座位安全帶、安全氣囊和碰撞檢測等被動系統發(fā)展到具有防撞和事故預防功能的主動檢測網絡。作為一項尤為令人振奮的主動安全改進措施，雷達可以顯著降低因分心而導致的行車事故數量及嚴重程度。Analog Devices, Inc.的集成式慣性 MEMS 檢測技術曾讓安全氣囊在15年前成為一項標準汽車安全特性，近日又推出一款價格低廉的高性能雷達 AFE（模擬前端）IC。ADI 公司高集成度的 AD8283汽車雷達 AFE（模擬前端）IC 包含接收路徑信號調理和數據采集電路，使終端系統可實現自適應巡航控制、盲點檢測以及其它基于雷達的檢測和預防應用。（來自ADI）

TI最新OMAP 4處理器

可將網頁瀏覽性能提升80%

德州儀器（TI） 近日宣布推出超節(jié)能OMAP4470應用處理器，該處理器屬于OMAP 4平臺系列，能夠使處理功耗、圖形、顯示子系統功能及多層用戶界面組合等方面的性能達到有效平衡。多內核OMAP4470處理器的時鐘速度高達1.8 GHz，為目前市場上所有解決方案之冠，同時網絡瀏覽性能提升80%，內存帶寬增加，圖形功能提高2.5倍(通過Imagination Technologies的POWERVRTM SGX544以及獨特的硬件組合引擎實現）。（來自TI）

新唐NuMicro微控制器

NUC122 閃亮登場

新唐科技繼成功推出以ARM? CortexTM-M0為核心的32位微控制器 - NUC100/NUC120 和 NuMicro M051TM系列后，新成員NUC122系列于近日閃亮登場。NUC122系列以最低功耗、低閘數、精簡程序代碼，內建USB及多種高速通訊能力器件等特性，使其執(zhí)行效能為一般微控制器的數倍。其先進低功耗工藝與內建 USB 2.0全速裝置，特別適用于消費電子、工業(yè)控制、安防、通訊系統，與需要高速計算的數據采集系統領域。 （來自新唐科技）

安森美五款超小型

低壓降線性穩(wěn)壓器出爐

安森美半導體（ON Semiconductor）近日推出五款超小封裝的低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術，均能提供150毫安的輸出電流。這五款新器件都非常適合于應用在電池供電的便攜設備（如MP3播放器、手機、手持GPS系統、照相機及錄像機）、家用電器（包括機頂盒及數字視頻錄像機）和網絡/通信設備（服務器及路由器），以及非常講究節(jié)省電能及空間的其他應用。 （來自安森美）

美國國家半導體

推出全新高亮度LED驅動器

美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）近日宣布推出全新高集成度線性LED驅動器LM3466，可簡化街燈等大功率大型照明燈具的設計。僅需幾個無源組件，LM3466便能提供一個完整系統，可實現在現有任一款的AC/DC恒流源基礎上驅動每個LED燈串。現今的LED驅動器通常需要多個組件，才能正確地驅動一個LED燈串，而為了維持多個LED燈串間的電流相同，常會令設計變得更為復雜。通過集成MOSFET并采用獨特的控制方法，LM3466能夠解決上述問題。（來自美國國家半導體）

美商柏恩復合式扭矩和角度傳感器

美商柏恩（Bourns?）公司，近日推出一款全新復合式扭矩和角度感應器。該款新的傳感器是專為電子動力輔助控制應用系統（EPAS）和其它汽車系統所設計的，除了結合了扭矩和轉向角度測量外，還取代了以往使用兩個離散感應器進而節(jié)省空間和成本。新款復合式扭矩和角度感應器乃使用柏恩（Bourns?）' Hall Effect （HE） 的非時鐘簧線 （Non- clockspring） 扭矩傳感器技術，藉由傳動器輸入功率來測量其扭矩轉向，并且同時轉換成控制方向盤轉動的速度和方向。新款復合式感應器中的扭矩感應器是專為EPAS設計的，其控制角度信號器可用于各種汽車系統，包括電子穩(wěn)定控制（ESC），進階前照明系統（AFLS），導航和輔助停車系統。 （來自Bourns?）

MIPS和矽統科技持續(xù)推動

AndroidTM 進入數字家庭應用

日前，美普思科技公司（MIPS）攜手中國臺灣矽統科技公司共同宣布，雙方將共同推動 AndroidTM 平臺進入數字家庭應用，樹立新的里程碑。兩家公司合作推出以矽統科技新款 MIPS-BasedTM 集成網絡電視平臺為基礎的優(yōu)化 Android 解決方案，現已面市。同時，矽統科技獲得了全新超標量多處理 MIPS32TM 1074KfTM 同步多處理系統（CPS）授權，用于開發(fā)下一代芯片產品。

矽統科技全新高集成度的網絡電視平臺采用雙內核高性能 MIPS 處理器，可提供定制化 widget，并支持 YouTube、Facebook、eBay、Flickr、天氣和財經以及在線電影租賃等廣受歡迎的服務。該平臺可支持高端圖像和增強的視頻處理，以及 Adobe? Flash? Player 10.1 與電視視頻流功能。該產品同時支持視頻點播和 Skype等網絡通信。并能與其他 Android 平板電腦和智能手機等設備進行無縫互操作和互聯；提供遙控和視頻共享等功能。全新互聯網電視平臺現已能夠通過矽統科技獲得。（來自美普思科技）

三洋用于數碼錄音筆的

音頻處理器LC823425即將量產

三洋半導體（安森美半導體成員公司）推出用于數碼錄音筆（IC recorder）等便攜設備的音頻處理方案―LC823425。這產品包含內置硬連線MP3編碼器/解碼器系統，提供業(yè)界最低的功耗5毫瓦，以內置數字信號處理器（DSP）支援先進功能。LD823425利用新開發(fā)的MP3文件格式硬件解碼器，將編碼期間的功耗相較于此前產品降低50%。這器件還利用低壓90納米工藝提供約5 mW的總功耗，達致業(yè)界最低的MP3錄音/播放功耗水平。（來自三洋半導體）

微捷碼宣布其

Titan Analog Design Kit正式面市

微捷碼（Magma）設計自動化有限公司近日宣布，支持臺積電（TSMC）180納米/65納米工藝的Titan Analog Design Kit正式面市，它以與工藝和規(guī)格無關且可重復利用的模塊化模擬電路模塊――Titan FlexCell實現了Titan基于模型的設計方法。這款工具包提供了一個模擬設計生態(tài)系統，使得微捷碼和臺積電雙方客戶均可顯著改善設計質量和設計師效率。Titan Analog Design Kit設計工具包包括了與技術無關的FlexCell、相關電路原理圖、符號、測試基準、完整文檔和一份指南。通過使用這款工具包、Titan模擬設計加速器（Titan ADX）、FlexCell以及目標工藝信息和規(guī)格，用戶可創(chuàng)建滿足其特定需求的模擬設計。這種獨特的新方法通過可重復利用FlexCell 電路模塊實現了非常快速的模擬設計。（來自MAGMA）

核高基專項資金或本周開始下撥

預計總金額超過1000億元

近日有消息人士透露，政府相關部門將于近日向幾家企業(yè)下撥2010年“核高基”專項資金，獲得資金的企業(yè)集中在基礎軟件領域。國家“核高基”專項資金分批次下撥，本次下撥或在本周內執(zhí)行。

“核高基”專項將持續(xù)至2020年，中央財政為此安排預算328億元，加上地方財政以及其他配套資金，預計總投入將超過1000億元。

有消息人士近日透露，相關政府部門上周向多家企業(yè)下發(fā)了有關2010年“核高基”專項資金的批復函件，具體資金應該在本周內下撥。獲得資金的企業(yè)集中在基礎軟件領域，包括國產操作系統廠商、國產數據庫廠商以及國產辦公軟件廠商等。（來自半導體行業(yè)網）

諾基亞西門子通信投資

半導體創(chuàng)新公司 ClariPhy Inc.

諾基亞西門子通信的投資將支持ClariPhy開發(fā)高集成度單芯片互補金屬氧化物半導體（CMOS）集成電路（IC），用于高性能光網絡數字信息處理（DSP）。高容量傳輸網絡是交付固定和移動寬帶的關鍵。IPTV、按需視頻、云計算和服務所需的數據量每年以60%的速度增長。

高容量光網絡用于智能傳輸網絡中，可幫助服務提供商的多服務數據傳輸網絡實現最低整體擁有成本。智能傳輸網絡基于諾基亞西門子通信規(guī)劃、安裝、整合、提供、維護和優(yōu)化IP集成的能力，可運營多廠商傳輸網絡。除專業(yè)服務外，智能傳輸網絡還包括諾基亞西門子通信的產品。

諾基亞西門子通信對ClariPhy的投資和已經安裝的智能傳輸網絡將改善現有的光纖網絡，讓諾基亞西門子通信的帶寬突破100G。此外，該投資能讓諾基亞西門子通信在速度更快的速率卡（400G，1T）開發(fā)中保持領先，解決IP網絡流量的大規(guī)模增長問題。（來自半導體行業(yè)網）

2011年全球半導體行業(yè)景氣回顧

分析了年初以來全球半導體行業(yè)的運行數據。銷售額方面，需求穩(wěn)健，淡季不淡；產能利用率方面，持續(xù)處于高位，我們預測行業(yè)開工情況將維持良好局面；BB值方面，今年前5個月，美國BB值從0.85的低位持續(xù)反彈；日本BB值1-2月增長勢頭良好，但3月受地震影響開始略有回落，總的來看，半導體行業(yè)資本開支進入穩(wěn)定成長期。

風險提示。日本震后的電力、交通恢復進度如果較慢，將影響全球半導體的原材料、設備供應，以及需求情況；中國大陸人工成本上漲將影響相應公司利潤。（來自半導體行業(yè)網）

英飛凌展出配備

SiC JFET的功率模塊等

德國英飛凌科技在東京舉行的展會“智能電網展2011&新一代汽車產業(yè)展2011”，展出了各種功率模塊。在會場上，英飛凌還展示了功率循環(huán)壽命延至原產品10倍的功率模塊，延長了功率循環(huán)壽命。

此次，英飛凌將鍵合引線的材料由鋁改為銅，提高了產品的可靠性。該公司表示，利用銅線的鍵合技術已用于其MOSFET等，此次就是以該技術為基礎的。

另外，英飛凌為接合功率半導體芯片和DCB基板采用了名為“擴散焊接方式”的方法。由于與普通方法相比，焊錫層較薄并且熱阻較小等，能提高產品的可靠性。

英飛凌在會場上展示了利用上述.XT技術的耐壓1200V、電流900A的IGBT功率模塊。（來自半導體行業(yè)網）

ADI 公司的1W、2級集成驅動

放大器覆蓋整個蜂窩頻率范圍

ADI最近推出兩款1W、2級 RF 驅動放大器 ADL5605和 ADL5606，它們能夠覆蓋無線通信系統所用的整個蜂窩頻率范圍。高集成度放大器 ADL5605（工作頻率范圍700MHz 至1000MHz）和 ADL5606（工作頻率范圍1800MHz 至2700MHz）引腳兼容，易于調諧，并且集成了兩個增益級；與傳統的分立設計相比，電路板空間大大節(jié)省。

此外，新款 RF 驅動放大器集成了內部有源偏置和快速關斷功能，支持需要省電模式的應用，或者間歇性發(fā)射信號的無線電能計量等應用。這些高性能寬帶 RF 驅動放大器非常適合各種有線和無線應用，包括：蜂窩基礎設施；工業(yè)、科研和醫(yī)療（ISM）頻段功率放大器；防務和儀器儀表設備等。 （來自ADI公司）

士蘭微電子通過質量/

環(huán)境管理體系監(jiān)督審核

近日士蘭微電子迎來了方圓標志認證浙江審核中心審核組對我司ISO19001-2008版本的第二次監(jiān)督審核。

在審核過程中，審核組檢查了公司質量/環(huán)境管理體系覆蓋的產品、過程和區(qū)域，對公司在認證范圍內的質量/環(huán)境管理體系與審核準則的持續(xù)符合性進行了抽查驗證，并與各部門的當事人進行了交流和現場的抽樣審核。

經過兩天的嚴格審查，審核組對公司的質量/環(huán)境管理體系運作情況作出了較高評價：公司有關人員理解標準比較到位，公司的管理體系比較完善，質量和環(huán)境管理體系均沒有開具不符合報告，體系運行有效。（來自半導體行業(yè)網）

中國電科海康威視

全新一代DVR產品

近日，中國電科所屬第52研究所海康威視推出全新一代網絡硬盤錄像機（DVR）產品。該系列DVR在處理性能、系統穩(wěn)定性等多方面獲得革命性突破，給終端用戶帶來全新體驗，重新定義了DVR產品的新高度。

該產品采用領先的3D視頻數字降噪技術、圖像倍幀與反隔行算法，搭載創(chuàng)新型高清視頻處理系統，使圖像更細膩、更清晰，全新操作界面，讓操作更人性化。可同時支持16路高畫質4CIF實時編碼與16路4CIF實時解碼，支持16路高清IPC的接入、存儲和高清解碼顯示；可同時實現16路實時預覽與16路同步實時回放，實現真正的DULLHD雙輸出獨立顯示；支持雙千兆網口，網絡性能強勁，支持網絡容錯、負載均衡、雙網隔離等特點，為多樣化的監(jiān)控網絡提供最貼合的應用方案，適應視頻監(jiān)控大規(guī)模網絡化的發(fā)展趨勢。（來自半導體行業(yè)網）

西南集成電路設計有限公司將在

美國TowerJazz工廠生產射頻IC產品

西南集成電路設計有限公司（SWID）是一家本土無晶圓IC設計公司。最近該公司選擇在美國加州紐波特比奇（NewportBeach）進行代工生產，利用其鍺硅BiCMOS工藝技術來制造該公司的射頻IC產品。

TowerJazz宣布了這一合作。Tower半導體于2008年接管了美國捷智科技公司（JazzTechnologiesInc.），包括捷智在紐波特比奇的200毫米晶圓廠。此舉非同一般，標志著由中國臺灣企業(yè)代工無晶圓設計流程的全盤逆轉。在此次的事件中，中國設計流程從東方轉向西方國家，并于加州制造。這在一定程度上反映了日趨成熟的中國設計以及部分鍺硅制造業(yè)的專業(yè)程度。（來自半導體行業(yè)網）

工信部：十一五電子

發(fā)展基金投2.3億做3G研發(fā)

在26日舉行的“十一五”電子信息產業(yè)發(fā)展基金成果匯報展示會上，工業(yè)和信息化部總經濟師周子學透露，“十一五”期間，電子發(fā)展基金累計投入34.71億元，安排項目1825個，其中，在3G研發(fā)上的投入為2.3億。

周子學表示，五年來，電子發(fā)展基金累計投入34.71億元，安排項目1825個。其中，在第三代移動通信、發(fā)光二極管、太陽能光伏、信息安全技術產品等新興領域，分別投入資金2.285億元、5900萬元、3650萬元、2.96億元支持關鍵技術研發(fā)。

而在軟件、集成電路、新型顯示器件等核心關鍵技術研發(fā)上，電子發(fā)展基金分別投入資金9.31億元、3.96億元、3.68億元，分別安排項目561個、175個、89個，并通過集成電路研發(fā)資金投入19.5億元，支持了209個項目。

據了解，電子發(fā)展基金設立于1986年，用于支持軟件、集成電路、計算機及網絡設備、通信設備、數字視聽、基礎元器件等各門類產品和信息技術推廣應用。（來自中國信息產業(yè)網）

英飛凌推出新款

XC2000 16位車用單片機

為了幫助中低檔汽車采用高檔汽車的安全和舒適裝置，同時符合最嚴格的燃耗和尾氣排放要求，英飛凌科技股份公司近日宣布壯大其大獲成功的XC2000車用單片機產品家族，推出成本優(yōu)化型新器件。英飛凌這次壯大XC2000產品家族陣容的主要宗旨是，幫助汽車系統供應商在不引進多個單片機平臺的情況下，擴充其產品陣容并拓寬其性能范圍。英飛凌此舉將為客戶提供伸縮自如的汽車解決方案，其軟硬件重復利用率很高，能夠顯著降低客戶的成本。

新款XC2000 16位器件的典型應用包括：低成本車身控制模塊（BCM）、低成本氣囊或低端引擎管理系統等。為了進一步縮小占板空間，新款XC2000器件采用了成本優(yōu)化的超小型封裝。（來自英飛凌科技）

篇6

關鍵詞: 片上網絡；GALS；異步FIFO；環(huán)形緩沖

中圖分類號：TP302.1文獻標識碼：A

Design of GALS Interface for Network-on-Chip

HONG Jia-jie, WU Ning

（College of Information Technology Science, Nanjing University

of Aeronautics and Astronautics； Nanjing China； 210016）

Abstract:This paper proposes a design method for GALS（Globally Asynchronous and Locally Synchronous） interface based on handshake protocol. The delay of data transfer is reduced by using asynchronous FIFOs as input buffers. The interface also uses concept of circular buffer to manage multi-buffers, so that the interface is scalable. The synthesis and simulation in FPGA show that our GALS can provide reliable asynchronous communication services, an interface with 4 channels required 405 ALUT （Adaptive Look-Up Table） and ran at 211MHz.

Key words: Network-on-Chip; GALS; Asynchronous FIFO; Circular buffer

隨著片上系統（SoC，System-on-Chip）集成的IP核數目的不斷增大，傳統的基于總線的通信結構將嚴重制約整個芯片的性能[1]。片上網絡（NoC，Network-on-Chip）將是一種有效的通信解決方案，它可以看作是將互聯網應用到SoC設計領域的結果[2]。

NoC不需要全局同步時鐘是其較之于總線結構的一個優(yōu)點。隨著工藝技術的進步和系統規(guī)模的增大，低延遲的全局時鐘布線將會變得非常困難；同時，全局時鐘產生了巨大的功耗[3]。全局異步局部同步架構（GALS）可以解決全局同步時鐘帶來的諸多問題，它可以應用于NoC的設計，NoC中的每個IP核是一個工作于獨立時鐘局部同步子系統，IP核與網絡通過GALS接口以異步的方式進行數據傳輸[4]。

GALS接口是NoC同步時鐘域與異步時鐘域的分界，本文設計GALS接口是按照握手協議來協調數據在不同時鐘域之間的異步傳輸。

1GALS接口總體結構

GALS網絡接口可分為輸出、輸入兩個端口，每個端口主要由通道緩沖區(qū)、緩沖區(qū)選擇模塊、基于握手機制的自時鐘發(fā)生器、信號同步器四部分組成，它的總體結構如圖1 所示。

數據緩沖區(qū)由若干個緩沖塊組成，緩沖塊可以由RAM或FIFO實現。在NoC中可以將通信服務劃分為保證服務（Guaranteed services，GT）和盡力服務（Best-effort services，BE）[5]，相應的數據包也分為GT包和BE包。為此，可以將通道緩沖塊分為兩類，一類存儲GT包，另一類用來存儲BE包。GT服務的優(yōu)先級較高，所以GT緩沖塊的數據將優(yōu)先得到服務。

對于輸出緩沖區(qū)，往緩沖塊寫數據的過程同時也是數據組包的過程。數據從緩沖塊的第二個地址開始依次寫入，數據寫入完畢后，再將數據包頭寫入首地址，這樣就完成了一個數據包的組包過程，而從緩沖塊讀數據是從首地址開始的，所以輸出緩沖塊需用RAM實現。

對于輸入緩沖區(qū)，從網絡來的數據輸入到緩沖對列，解包模塊首先從首地址讀取的包頭信息，再根據包頭信息從輸入緩沖塊中讀取有效數據，由此可見，存取過程是一個先進先出的過程，為了提高數據吞吐率可采用異步FIFO實現，異步FIFO的設計可參看文獻[6]。

自時鐘發(fā)生器用于產生讀寫時鐘，以輸出端口為例，request信號將在緩沖區(qū)滿信號afull和目的緩沖區(qū)有空閑時被觸發(fā)，request有效后，自時鐘發(fā)生器將產生緩沖區(qū)讀時鐘控制數據從緩沖區(qū)中讀出；當空標志aempty有效時，自時鐘發(fā)生器將停止產生讀時鐘。緩沖區(qū)的空/滿標志（aempty和afull）由于與本地時鐘不同步，需要經過同步器后才能進入組包或解包模塊。

2GALS接口關鍵設計

2.1基于握手協議的自時鐘發(fā)生器

本文采用了基于握手協議的自時鐘發(fā)生器來協調數據包的異步傳輸。握手協議主要有兩種形式：二相握手和四相握手，對于前者，它采用雙時鐘沿觸發(fā)，不適合于在FPGA上實現。本文的自時鐘發(fā)生器是基于四相握手協議的，它的電路如圖2所示。

在圖2中，當request被觸發(fā)時，讀時鐘r_clk產生一個上升沿，數據將會被讀出。為了保證數據能正確寫入，w_clk的上升沿只能在數據到達后產生，因為數據傳輸有一定的延遲，所以在自時鐘發(fā)生器中需要插入延遲單元，而FPGA中延遲單元對工藝、溫度、壓力等因素敏感，因此需要留有足夠的設計余量，延遲時間TDelay應滿足TDelay>TDelay_Data + TR_co +Tack_su。

TDelay_Data為數據延遲時間，Tack_su為ack時鐘信號的最小建立時間，TR_co為寄存器固有屬性，是數據送到輸出端口的內部延時參數。

2.2輸入緩沖區(qū)

對于輸入緩沖塊，若采用雙端口RAM實現，則需要將包中所有的微片都加載到緩沖塊后才能讀出，數據的延遲將與數據包的長度成線性關系。而輸入緩沖塊數據的存取是一個先進先出的過程，可以采用異步FIFO來實現。輸入緩沖區(qū)的結構如圖3所示。

輸入緩沖區(qū)設計的關鍵是準確地設計控制信號，與外部模塊相連的兩個關鍵信號是afull和aempty。afull并不反映異步FIFO的滿狀態(tài)，而是標志在該異步FIFO緩沖塊中還有包微片沒有讀完，其它數據包不允許寫入到該緩沖塊，它是由w_ok與r_ok異或得到的，w_ok和r_ok分別在一個數據包寫完和讀完時翻轉。aempty標志在該異步FIFO緩沖塊有數據可以讀取，它是由w_begin與r_ok異或得到的，w_begin在數據包頭寫進緩沖塊后翻轉。為了防止亞穩(wěn)態(tài)的發(fā)生，afull和aempty需要經過同步器后才可以送到外部模塊。

3.3環(huán)形緩沖區(qū)

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緩沖區(qū)的大小需要根據實際的網絡通信量確定，這就要求緩沖區(qū)具有良好的可擴展性。為此，在本文中采用了環(huán)形緩沖的概念來管理緩沖區(qū)，即將緩沖塊按環(huán)形組合起來。

對于環(huán)形緩沖區(qū)的管理，在同步系統中可以用狀態(tài)機來實現，而在本系統中，由于緩沖區(qū)的讀寫時鐘不同，不宜用狀態(tài)機來實現。最終，本文采用的是如圖4所示的電路，該電路當任意兩個緩沖塊同時為滿時將出現不確定情況。但是在這里，同時為滿的情況不可能出現，所以該電路是可行的。

路由單元向輸入通道緩沖區(qū)輸入數據包，一次只能對一塊緩沖塊進行操作，控制電路是通過緩沖塊的空標志來對環(huán)形緩沖區(qū)的緩沖塊進行操作。因為緩沖塊有可能同時為空，所以緩沖塊選擇模塊不能采用如圖4所示的電路。根據環(huán)形緩沖區(qū)的存取特點，滿的緩沖塊必是連續(xù)的，例如由4個緩沖塊組成的環(huán)形緩沖區(qū)，“滿空空滿”的情況是可能的，而“滿空滿空”是不可能的。而將要選擇的緩沖塊必為沿存儲方向的第一個空緩沖塊。由此得出write_enn=fulln?fulln-1（除緩沖塊全為空、滿時不適用），full為緩沖塊滿信號，下標為緩沖塊編號，write_en為1的存儲塊即是可以寫入的數據塊。

4仿真結果

輸入輸出端口分別為4緩沖塊的網絡接口用Altera公司的Stratix II器件EP2S15F484C3進行布局布線后仿真，共占用了405個ALUT，可以達到的最高頻率為211MHz。

輸出端的波形如圖5所示，data_out為組包模塊輸出的數據，在時鐘clk_r的驅動下寫入到輸出緩沖塊，flit_from_GT_a為從網絡接口輸出的數據，在握手時鐘request的驅動下從輸出緩沖塊讀出。

從圖5中可以看出，數據微片延遲了m×Tclk_r+3×Tclk_tran，m為數據包長度，Tclk_r為發(fā)送端時鐘周期，Tclk_tran位握手時鐘周期，延遲時間與數據包長度成線性關系。

輸入端的波形如圖6所示，data_net為來自網絡的數據，在握手時鐘ack的驅動下寫入的輸入緩沖塊，de_data為輸入到解包模塊的數據，在目的時鐘clk_d的驅動下從輸入緩沖塊讀出。

從圖6中可以看出，當往輸入緩沖區(qū)輸入兩個微片后，FIFO的空標志才無效，這是因為異步FIFO的空標志是保守的，在讀使能fifo_read_en_a有效后，數據開始從異步FIFO中讀出，數據微片延遲了2×Tclk_tran+2×Tclk_d，Tclk_d為接收端的時鐘周期，與數據包的長度無關。

5結論

本文基于GALS思想設計了片上網絡適配單元與網絡路由之間的異步通信接口，采用的基于四相握手協議的自時鐘發(fā)生器保證了可靠的跨時鐘域數據傳輸，用異步FIFO作為輸入緩沖區(qū)消除了數據包長度對傳輸延遲的影響，將多個緩沖塊組成循環(huán)緩沖區(qū)，使接口具有了良好的可擴展性。仿真結果表明：該接口支持較高的時鐘頻率和占用較少的面積。作為NoC的一個重要部件，該接口適用于各種拓撲結構的NoC。

參考文獻

[1] Benini, L., and De Micheli, G. Networks on chips: a new SoC paradigm[J]. Computer, 2002, 35（1）: 70-78.

[2] William J. Dally, Brian Towles. Route Packets, Not Wires: On-Chip Interconnection Networks[C]. Proceedings of the 38th Conference on Design Automation, Las Vegas, NV, 2001:684-689.

[3] E. G. Friedman. Clock Distribution Networks in Synchronous Digital Integrated Circuits[J]. Proceedings of the IEEE, 2001, 89（5）: 665-692.

[4] Andrew Linus. Nexus: An Asynchronous Crossbar Interconnect for Synchronous System-on-Chip Design[C].11th Symposium on High Performance Interconnects, Stanford, Calif, USA, 2003: 2-9.

[5] K.Goossens, J. van Meerbergen, A.Peeters, and P.Wielage. Networks on Silicon: Combining Best Effort and Guaranteed Services[C]. Proceedings of Design, Automation and Test in Europe Conference and Exhibition （DATE '02）, Paris, France, 2002: 423-425.

[6] 趙永建, 段國東, 李苗. 集成電路中的多時鐘域同步設計技術[J].計算機工程, 2008, 34（9）: 246-247.

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作者簡介

洪佳潔，碩士研究生，研究方向為集成電路設計和片上網絡。

篇7

教學中存在的問題

我國長期以來形成的教育模式較為封閉、單調，滿堂灌的傳統教學模式在教學中仍占據主體地位。在EDA技術這類實踐性、應用性很強的專業(yè)課程的講授中，如何提高學生實踐能力是需要教師不斷探究的問題。目前，課程教學歸納起來主要存在以下幾個方面問題：教學方式上，除了大量采取了多媒體教學形式外，教學方式仍是單向灌輸，學生在大多數情況下為被動接受，學習興趣和積極性不高;教學過程中，以教師為中心，教學目標主要是知識的傳播，但對知識運用涉及較少，且大多數由教師直接介紹給學生，側重于講解概念和機械式的演練，而要求學生獨立思考并進行問題解決的不多，同時，由于課時有限而內容較多，以至于在課堂上沒有學生發(fā)揮的時間;實驗，多為驗證性實驗，缺少設計性和綜合性實驗，學生理論聯系實際的能力不強;考核方式，仍采取傳統考試的方式，重點考察對知識的記憶程度，缺乏對學生思維方法、分析和解決問題的訓練。

改革措施

在EDA技術課程教學過程中，我們一直在研究如何提高教學效果，逐步完善教學大綱，不斷整合教學內容，同時在教學方式、考核方式等方面也做了一定改革。

“學中做，做中學”開啟教學模式，激發(fā)學生學習興趣 本課程主要講授：EDA技術的基本知識;可編程邏輯器件的結構原理;VHDL語言;EDA開發(fā)系統的使用。如果在課程講授初期按部就班從單純介紹基本知識入手，學生對可編程器件和EDA技術設計流程沒有感性的認識，這樣聽課會感到比較枯燥，沒有學習興趣，接受起來也比較困難。EDA技術實踐性很強，側重于應用，不需深入了解可編程邏輯器件的結構，就可完成一些數字電路的設計。為了更好更高效地利用有限的學時，從EDA技術開發(fā)工具和實驗系統介紹入手，幫助學生在感性上對EDA技術產生一定的認識，第一次課可以在實驗室以繪制原理圖的方式設計一個簡單的電路，教師演示整個設計的過程，然后讓學生學著再做一遍，這樣學生很快對EDA技術設計流程有了很清晰的認識，調動了學習積極性，以后再接受其他知識時會有整體性的概念，也不再有盲目性。

“學為主，教為輔”的教學探索 實施素質教育，培養(yǎng)創(chuàng)新人才，提高學生的動手實踐能力，應以學生自主學習為主，教師給予一定的引導。在VHDL語言的學習中，教師無需逐字逐句介紹語法規(guī)范語法要素及語句，在每次課結束后布置下次課學生應具備的電子電路知識，學生在課下可以利用一些時間進行相關知識資料的查詢和學習，增強主觀能動性。課堂上，教師對語句和相關語法簡單介紹后，學生就可以用這些語句自行設計預習的邏輯電路，遇到問題大家共同探討解決，培養(yǎng)學生獲取知識的能力。以不同的項目為載體學習VHDL語言，讓學生快速掌握EDA技術的基本內容，讓學生在完成具體項目的過程中來構建相關理論知識。

實踐環(huán)節(jié)教學改革探索 精心設計實驗內容，包括驗證性、設計性和綜合性實驗。驗證性實驗主要是鞏固所學的基礎理論知識，熟練掌握軟件開發(fā)工具的操作;綜合性實驗是課程的重點實驗，學生是實驗的首要開發(fā)者，可以培養(yǎng)學生的綜合設計能力，提高學生分析問題、解決問題的能力，可以多設計一些綜合性實驗內容供學生選擇。設計性實驗不做具體要求，以自主學習為主，為對此知識領域感興趣的同學作為課外的學習補充。另外，鼓勵學生參與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓練、電子設計大賽等各種實訓活動，做好后續(xù)的課程設計和畢業(yè)設計工作。學生的設計成果如圖一、圖二所示：

完善考核方式 采用“平時+實驗+期末考試”相結合的考核方式，分值劃分比例是：平時考勤10%、實驗40%、期末考試50%，避免考試前突擊背誦授課內容，更多重視平時學習過程的考核，注重動手實踐能力的考核，充分調動學生的上課積極性。實驗考核中包括預習情況、操作過程、實驗結果和實驗報告，嚴格考核每一環(huán)節(jié)。

結論