導(dǎo)語：PIC單片機開發(fā)研究論文一文來源于網(wǎng)友上傳，不代表本站觀點，若需要原創(chuàng)文章可咨詢客服老師，歡迎參考。

摘要pic單片機在國內(nèi)日益流行，本文介紹MicrochipPIC系列單片機開發(fā)過程中軟、硬件設(shè)計的一些經(jīng)驗、技巧。

關(guān)鍵詞Microchip單片機功耗編程

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由美國Microchip公司生產(chǎn)的PIC系列單片機，由于其超小型、低功耗、低成本、多品種等特點，已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、通信、家電、玩具等領(lǐng)域，本文總結(jié)了作者在PIC單片機開發(fā)過程中的一些經(jīng)驗、技巧，供同行參考。

1怎樣進一步降低功耗

功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA）。為進一步降低功耗，在保證滿足工作要求的前提下，可采用降低工作頻率的方法，工作頻率的下降可大大降低功耗（如PIC16C××在3V，32kHz下工作，其電流可減小到15μA），但較低的工作頻率可能導(dǎo)致部分子程序（如數(shù)學(xué)計算）需占用較多的時間。在這種情況下，當(dāng)單片機的振蕩方式采用RC電路形式時，可以采用中途提高工作頻率的辦法來解決。

具體做法是在閑置的一個I/O腳（如RB1）和OSC1管腳之間跨接一電阻（R1），如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進行快速運算時先置RB1=1，由于充電時，電容電壓上升得快，工作頻率增高，運算時間減少，運算結(jié)束又置RB1=0，進入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R1的阻值而定（注意R1不能選得太小，以防振蕩電路不起振，一般選取大于5kΩ）。

另外，進一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。執(zhí)行“sleep”指令，機器處于睡眠狀態(tài)，功耗為幾個微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用“sleep”指令來等待事件，也可在延時程序里使用（見例1、例2）。在延時程序中使用“sleep”指令降低功耗是一個方面，同時，即使是關(guān)中斷狀態(tài)，PortB端口電平的變化可喚醒“sleep”，提前結(jié)束延時程序。這一點在一些應(yīng)用場合特別有用。同時注意在使用“sleep”時要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。

圖1提高工作頻率的方法

例1（用Mplab-C編寫）例2（用Masm編寫）

Delay()Delay

{；此行可加開關(guān)中斷指令

/*此行可加開關(guān)中斷指令*/movlw.10

for(i=0;i<=10;i++)movwfCounter

SLEEP();Loop1

}Sleep

decfszCounter

gotoLoop1

return

2注意INTCON中的RBIF位

INTCON中的各中斷允許位對中斷狀態(tài)位并無影響。當(dāng)PORTB配置成輸入方式時，RB<7:4>引腳輸入在每個讀操作周期被抽樣并與舊的鎖存值比較，一旦不同就產(chǎn)生一個高電平，置RBIF=1。在開RB中斷前，也許RBIF已置“1”，所以在開RB中斷時應(yīng)先清RBIF位，以免受RBIF原值的影響，同時在中斷處理完成后最好是清RBIF位。

3用Mplab-C高級語言寫PIC單片機程序時要注意的問題

3.1程序中嵌入?yún)R編指令時注意書寫格式見例3。

例3

…………

while(1){#asmwhile(1){

……#asm/*應(yīng)另起一行*/

#endasm……

}/*不能正確編譯*/#endasm

……}/*編譯通過*/

……

當(dāng)內(nèi)嵌匯編指令時，從“#asm”到“endasm”每條指令都必須各占一行，否則編譯時會出錯。

3.2加法、乘法的最安全的表示方法見例4。

例4

#include<16c71.h>

#include

unsignedinta,b;

unsignedlongc;

voidmain()

{a=200;

b=2;

c=a＊b;

}/*得不到正確的結(jié)果c=400*/

原因是Mplab-C以8×8乘法方式來編譯c=a＊b，返回單字節(jié)結(jié)果給c，結(jié)果的溢出被忽略。改上例中的“c=a＊b；”表達式為“c=a；c=c＊b；”，最為安全（對加法的處理同上）。

.3了解乘除法函數(shù)對寄存器的占用

由于PIC片內(nèi)RAM僅幾十個字節(jié)，空間特別寶貴，而Mplab-C編譯器對RAM地址具有不釋放性，即一個變量使用的地址不能再分配給其它變量。如RAM空間不能滿足太多變量的要求，一些變量只能由用戶強制分配相同的RAM空間交替使用。而Mplab-C中的乘除法函數(shù)需借用RAM空間來存放中間結(jié)果，所以如果乘除法函數(shù)占用的RAM與用戶變量的地址重疊時，就會導(dǎo)致出現(xiàn)不可預(yù)測的結(jié)果。如果C程序中用到乘除法運算，最好先通過程序機器碼的反匯編代碼（包含在生成的LST文件中）查看乘除法占用地址是否與其它變量地址有沖突，以免程序跑飛。Mplab-C手冊并沒有給出其乘除法函數(shù)對具體RAM地址的占用情況。例5是乘法函數(shù)對0×13、0×14、0×19、0×1A地址占用情況。

例5

部分反匯編代碼

#include01A7081FMOVF1F,W

#include01A80093MOVWF13

；借用

unsignedlongValue@0x101A90820MOVF20,W

charXm@0x2d;01AA0094MOVWF14

；借用

voidmain()01AB082DMOVF2D,W

{Value=20;01AC0099MOVWF19

；借用

Xm=40;01AD019ACLRF1A

；借用

Value=Value＊Xm01AE235FCALL035Fh

；調(diào)用乘法函數(shù)

……01AF1283BCF03，5

}01B0009FMOVWF1F

；返回結(jié)果低字節(jié)

01B10804MOVF04，W

01B200A0MOVWF20

；返回結(jié)果高字節(jié)

4對芯片重復(fù)編程

對無硬件仿真器的用戶，總是選用帶EPROM的芯片來調(diào)試程序。每更改一次程序，都是將原來的內(nèi)容先擦除，再編程，其過程浪費了相當(dāng)多的時間，又縮短了芯片的使用壽命。如果后一次編程的結(jié)果較前一次，僅是對應(yīng)的機器碼字節(jié)的相同位由“1”變成“0”，就可在前一次編程芯片上再次寫入數(shù)據(jù)，而不必擦除原片內(nèi)容。

在程序的調(diào)試過程中，經(jīng)常遇到常數(shù)的調(diào)整，如常數(shù)的改變能保證對應(yīng)位由“1”變“0”，都可在原片內(nèi)容的基礎(chǔ)繼續(xù)編程。另外，由于指令“NOP”對應(yīng)的機器碼為“00”，調(diào)試過程中指令的刪除，先用“NOP”指令替代，編譯后也可在原片內(nèi)容上繼續(xù)編程。

另外，在對帶EPROM的芯片編程時，特別注意程序保密狀態(tài)位。廠家對新一代帶EPROM芯片的保密狀態(tài)位已由原來的EPROM可擦型改為了熔絲型，一旦程序代碼保密熔絲編程為“0”，可重復(fù)編程的EPROM芯片就無法再次編程了。使用時應(yīng)注意這點，以免造成不必要的浪費（Microchip資料并未對此做出說明）。

參考文獻

1MicorchipPIC16CxxDataBook

2MPLAB-CUSER’SGUIDE