Ieee Electron Device Letters
期刊中文名：IEEE 電子器件字母ISSN：0741-3106E-ISSN：1558-0563
該雜志國際簡稱：IEEE ELECTR DEVICE L，是由出版商Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本致力于發(fā)布工程技術(shù)研究新成果的的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊。該雜志以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究為重點(diǎn)，主要發(fā)表刊登有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文文章、行業(yè)最新科研成果，扼要報(bào)道階段性研究成果和重要研究工作的最新進(jìn)展，選載對學(xué)科發(fā)展起指導(dǎo)作用的綜述與專論，促進(jìn)學(xué)術(shù)發(fā)展，為廣大讀者服務(wù)。該刊是一本國際優(yōu)秀雜志，在國際上有很高的學(xué)術(shù)影響力。
雜志介紹
Ieee Electron Device Letters雜志介紹
《Ieee Electron Device Letters》是一本以English為主的未開放獲取國際優(yōu)秀期刊，中文名稱IEEE 電子器件字母，本刊主要出版、報(bào)道工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究動態(tài)以及在該領(lǐng)域取得的各方面的經(jīng)驗(yàn)和科研成果，介紹該領(lǐng)域有關(guān)本專業(yè)的最新進(jìn)展，探討行業(yè)發(fā)展的思路和方法，以促進(jìn)學(xué)術(shù)信息交流，提高行業(yè)發(fā)展。該刊已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，為該領(lǐng)域相關(guān)學(xué)科的發(fā)展起到了良好的推動作用，也得到了本專業(yè)人員的廣泛認(rèn)可。該刊最新影響因子為4.1，最新CiteScore 指數(shù)為8.2。
本刊近期中國學(xué)者發(fā)表的論文主要有：
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Development of a Cesium Vapor MEMS Cell for Differential Measurement of Microwave Electromagnetically Induced Transparency
Author: Zhu, Jingtong; Zhao, Rui; Li, Zhonghao; Hao, Desheng; Zu, Kaixuan; Shi, Yunbo; Tang, Jun; Liu, Jun
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Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes
Author: Zhang, Zhaohao; Zhang, Fan; Zhang, Yadong; Xu, Gaobo; Wu, Zhenhua; Zhang, Qingzhu; Li, Yongliang; Yin, Huaxiang; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun
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Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics
Author: Zhang, Tao; Wang, Xue; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhao, Xiaoli; Liu, Xiaoqian; Han, Xu; Tang, Qingxin; Liu, Yichun
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Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
Author: Yang, Huan; Zhou, Xiaoliang; Lu, Lei; Zhang, Shengdong
英文介紹
Ieee Electron Device Letters雜志英文介紹
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.
中科院SCI分區(qū)
Ieee Electron Device Letters雜志中科院分區(qū)信息
| 2023年12月升級版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 2022年12月升級版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 2021年12月舊的升級版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 2021年12月基礎(chǔ)版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 2021年12月升級版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
| 2020年12月舊的升級版 |
綜述：否
TOP期刊：否
大類：工程技術(shù) 2區(qū)
小類：
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC |
中科院SCI分區(qū)：是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心科學(xué)計(jì)量中心的科學(xué)研究成果。期刊分區(qū)表自2004年開始發(fā)布，延續(xù)至今；2019年推出升級版，實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)版、升級版并存過渡，2022年只發(fā)布升級版，期刊分區(qū)表數(shù)據(jù)每年底發(fā)布。 中科院分區(qū)為4個(gè)區(qū)。中科院分區(qū)采用刊物前3年影響因子平均值進(jìn)行分區(qū),即前5%為該類1區(qū)，6%～20%為2區(qū)、21%～50%為3區(qū)，其余的為4區(qū)。1區(qū)和2區(qū)雜志很少，雜志質(zhì)量相對也高，基本都是本領(lǐng)域的頂級期刊。
JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）
Ieee Electron Device Letters雜志 JCR分區(qū)信息
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) |
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
收錄子集：SCIE
分區(qū)：Q2
排名：94 / 352
百分位：
73.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) |
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
收錄子集：SCIE
分區(qū)：Q1
排名：77 / 354
百分位：
78.39% |
JCR分區(qū)：JCR分區(qū)來自科睿唯安公司,JCR是一個(gè)獨(dú)特的多學(xué)科期刊評價(jià)工具，為唯一提供基于引文數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)信息的期刊評價(jià)資源。每年發(fā)布的JCR分區(qū)，設(shè)置了254個(gè)具體學(xué)科。JCR分區(qū)根據(jù)每個(gè)學(xué)科分類按照期刊當(dāng)年的影響因子高低將期刊平均分為4個(gè)區(qū)，分別為Q1、Q2、Q3和Q4，各占25%。JCR分區(qū)中期刊的數(shù)量是均勻分為四個(gè)部分的。
CiteScore 評價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）
Ieee Electron Device Letters雜志CiteScore 評價(jià)數(shù)據(jù)
- CiteScore 值：8.2
- SJR：1.25
- SNIP：1.5
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q1 | 128 / 797 |
84% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q1 | 51 / 284 |
82% |
歷年影響因子和期刊自引率
投稿經(jīng)驗(yàn)
Ieee Electron Device Letters雜志投稿經(jīng)驗(yàn)
該雜志是一本國際優(yōu)秀雜志，在國際上有較高的學(xué)術(shù)影響力，行業(yè)關(guān)注度很高，已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC綜合專業(yè)領(lǐng)域?qū)I(yè)度認(rèn)可很高，對稿件內(nèi)容的創(chuàng)新性和學(xué)術(shù)性要求很高，作為一本國際優(yōu)秀雜志，一般投稿過審時(shí)間都較長，投稿過審時(shí)間平均 約1.3個(gè)月 ，如果想投稿該刊要做好時(shí)間安排。版面費(fèi)不祥。該雜志近兩年未被列入預(yù)警名單，建議您投稿。如您想了解更多投稿政策及投稿方案，請咨詢客服。
免責(zé)聲明
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。
同大類學(xué)科相關(guān)期刊
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ENGINEERING, CIVIL
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ENGINEERING, MECHANICAL
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ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARY
中科院 2區(qū)
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Csee Journal Of Power And Energy Systems
ENERGY & FUELS
中科院 2區(qū)
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Proceedings Of The Institution Of Mechanical Engineers Part B-journal Of Enginee
ENGINEERING, MECHANICAL
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