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首頁(yè) SCI 期刊工程技術(shù)期刊中科院4區(qū) JCRQ3 期刊介紹(非官網(wǎng))

數(shù)據(jù)庫(kù)收錄SCIE
創(chuàng)刊年份1986年
年發(fā)文量193
H-index99

Semiconductor Science And Technology

期刊中文名：半導(dǎo)體科技ISSN：0268-1242E-ISSN：1361-6641

該雜志國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：SEMICOND SCI TECH，是由出版商IOP Publishing Ltd.出版的一本致力于發(fā)布工程技術(shù)研究新成果的的專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)期刊。該雜志以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究為重點(diǎn)，主要發(fā)表刊登有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文文章、行業(yè)最新科研成果，扼要報(bào)道階段性研究成果和重要研究工作的最新進(jìn)展，選載對(duì)學(xué)科發(fā)展起指導(dǎo)作用的綜述與專(zhuān)論，促進(jìn)學(xué)術(shù)發(fā)展，為廣大讀者服務(wù)。該刊是一本國(guó)際優(yōu)秀雜志，在國(guó)際上有很高的學(xué)術(shù)影響力。

基本信息：: 期刊簡(jiǎn)稱(chēng)：SEMICOND SCI TECH; 是否OA：未開(kāi)放; 是否預(yù)警：否; Gold OA文章占比：10.23%

出版信息：: 出版地區(qū)：ENGLAND; 出版周期：Monthly; 出版語(yǔ)言：English; 出版商：IOP Publishing Ltd.

評(píng)價(jià)信息：: 中科院分區(qū)：4區(qū); JCR分區(qū)：Q3; 影響因子：1.9; CiteScore：4.3

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雜志介紹中科院JCR分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 投稿經(jīng)驗(yàn)

雜志介紹

Semiconductor Science And Technology雜志介紹

《Semiconductor Science And Technology》是一本以English為主的未開(kāi)放獲取國(guó)際優(yōu)秀期刊，中文名稱(chēng)半導(dǎo)體科技，本刊主要出版、報(bào)道工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及在該領(lǐng)域取得的各方面的經(jīng)驗(yàn)和科研成果，介紹該領(lǐng)域有關(guān)本專(zhuān)業(yè)的最新進(jìn)展，探討行業(yè)發(fā)展的思路和方法，以促進(jìn)學(xué)術(shù)信息交流，提高行業(yè)發(fā)展。該刊已被國(guó)際權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，為該領(lǐng)域相關(guān)學(xué)科的發(fā)展起到了良好的推動(dòng)作用，也得到了本專(zhuān)業(yè)人員的廣泛認(rèn)可。該刊最新影響因子為1.9，最新CiteScore 指數(shù)為4.3。

本刊近期中國(guó)學(xué)者發(fā)表的論文主要有：

Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg
Author: Wang, Mao; Shaikh, M. S.; Kentsch, U.; Heller, R.; Zhou, Shengqiang
Emission and capture characteristics of electron trap (E-emi=0.8 eV) in Si-doped beta-Ga2O3 epilayer
Author: Qu, Haolan; Chen, Jiaxiang; Zhang, Yu; Sui, Jin; Gu, Yitian; Deng, Yuxin; Su, Danni; Zhang, Ruohan; Lu, Xing; Zou, Xinbo
Straightforward synthesis and mechanism insight of TiO2/a'-AgVO3 heterostructure with enhanced photocatalytic activity
Author: Liu, Yangbin; Liu, Nian; Lin, Minghua; Zhou, Yun; Ouyang, Xiaoping
The interplay of process parameters and influence on the AlN films on sapphire fabricated by DC magnetron sputtering and annealing
Author: Liu, Huan; Guo, Wei

英文介紹

Semiconductor Science And Technology雜志英文介紹

Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

中科院SCI分區(qū)

Semiconductor Science And Technology雜志中科院分區(qū)信息

2023年12月升級(jí)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 4區(qū)

小類(lèi)：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū)

2022年12月升級(jí)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 4區(qū)

小類(lèi)：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū)

2021年12月舊的升級(jí)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 4區(qū)

小類(lèi)：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū)

2021年12月基礎(chǔ)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 3區(qū)

小類(lèi)：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū)

2021年12月升級(jí)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 4區(qū)

小類(lèi)：

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū)

2020年12月舊的升級(jí)版

綜述：否

TOP期刊：否

大類(lèi)：工程技術(shù) 3區(qū)

小類(lèi)：

PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理 3區(qū)

ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：電子與電氣 4區(qū)

MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科學(xué)：綜合 4區(qū)

中科院SCI分區(qū)：是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心科學(xué)計(jì)量中心的科學(xué)研究成果。期刊分區(qū)表自2004年開(kāi)始發(fā)布，延續(xù)至今；2019年推出升級(jí)版，實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)版、升級(jí)版并存過(guò)渡，2022年只發(fā)布升級(jí)版，期刊分區(qū)表數(shù)據(jù)每年底發(fā)布。中科院分區(qū)為4個(gè)區(qū)。中科院分區(qū)采用刊物前3年影響因子平均值進(jìn)行分區(qū),即前5%為該類(lèi)1區(qū)，6%～20%為2區(qū)、21%～50%為3區(qū)，其余的為4區(qū)。1區(qū)和2區(qū)雜志很少，雜志質(zhì)量相對(duì)也高，基本都是本領(lǐng)域的頂級(jí)期刊。

JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

Semiconductor Science And Technology雜志 JCR分區(qū)信息

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)

學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：211 / 352

百分位：

40.2%

學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：301 / 438

百分位：

31.4%

學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：50 / 79

百分位：

37.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)

學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：238 / 354

百分位：

32.91%

學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：293 / 438

百分位：

33.22%

學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER

收錄子集：SCIE

分區(qū)：Q3

排名：51 / 79

百分位：

36.08%

JCR分區(qū)：JCR分區(qū)來(lái)自科睿唯安公司,JCR是一個(gè)獨(dú)特的多學(xué)科期刊評(píng)價(jià)工具，為唯一提供基于引文數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)信息的期刊評(píng)價(jià)資源。每年發(fā)布的JCR分區(qū)，設(shè)置了254個(gè)具體學(xué)科。JCR分區(qū)根據(jù)每個(gè)學(xué)科分類(lèi)按照期刊當(dāng)年的影響因子高低將期刊平均分為4個(gè)區(qū)，分別為Q1、Q2、Q3和Q4，各占25%。JCR分區(qū)中期刊的數(shù)量是均勻分為四個(gè)部分的。

CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

Semiconductor Science And Technology雜志CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

CiteScore 值：4.3
SJR：0.411
SNIP：0.741

學(xué)科類(lèi)別	分區(qū)	排名	百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering	Q2	305 / 797	61%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Condensed Matter Physics	Q2	167 / 434	61%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Materials Chemistry	Q2	137 / 317	56%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	126 / 284	55%

歷年影響因子和期刊自引率

投稿經(jīng)驗(yàn)

Semiconductor Science And Technology雜志投稿經(jīng)驗(yàn)

該雜志是一本國(guó)際優(yōu)秀雜志，在國(guó)際上有較高的學(xué)術(shù)影響力，行業(yè)關(guān)注度很高，已被國(guó)際權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，該雜志在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC綜合專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域?qū)I(yè)度認(rèn)可很高，對(duì)稿件內(nèi)容的創(chuàng)新性和學(xué)術(shù)性要求很高，作為一本國(guó)際優(yōu)秀雜志，一般投稿過(guò)審時(shí)間都較長(zhǎng)，投稿過(guò)審時(shí)間平均一般,3-6周，如果想投稿該刊要做好時(shí)間安排。版面費(fèi)不祥。該雜志近兩年未被列入預(yù)警名單，建議您投稿。如您想了解更多投稿政策及投稿方案，請(qǐng)咨詢(xún)客服。