導(dǎo)語(yǔ)：如何才能寫(xiě)好一篇偏置電路設(shè)計(jì)，這就需要搜集整理更多的資料和文獻(xiàn)，歡迎閱讀由公務(wù)員之家整理的十篇范文，供你借鑒。

篇1

關(guān)鍵詞： 硅PIN光電二極管； 偏置電路； 電子濾波器； 閃爍探測(cè)器

中圖分類(lèi)號(hào)： TN710?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）13?0159?03

Design and application of low?price bias circuit for Si?PIN photodiodes

JIA Mu?lin1， ZENG Guo?qiang2， MA Xiong?nan3

（1. Guangxi Radiation Environment Supervision and Management Station， Naning 530222， China； 2. Chengdu University of Technologe， Chengdu 610059， China；

3. China Institude For Radiation Protection， Taiyuan 030006， China）

Abstract： The Si?PIN photodiodes have been more and more widely used in the areas of weak light signal detection， but the result of detection is more likely affected by bias voltage and other factors. The high?stability bias voltage with low ripple coefficient is essential for accurately achieving the detected weak light singal. A Si?PIN photodiode bias circuit based on TPS61040 DC/DC boost converting chip was design and applied to the weak light signal detection of the NaT （Tl） scintillator. A good result was achieved.

Keywords： Si?PIN photondiode； bias circuit； electronic filter； scintillator detector

硅PIN光電二極管（以下簡(jiǎn)稱SPD）作為一種成熟的半導(dǎo)體光電器件，因其特有的優(yōu)勢(shì)在自控、通信、環(huán)保、醫(yī)療及高能物理研究等領(lǐng)域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，但其使用極易受所加偏置電壓的影響。因此，在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)SPD上所加的偏置電壓的要求非常苛刻，必須具備很低的紋波系數(shù)和良好的穩(wěn)定性，這也就造成常用的SPD偏置電路成本較高。針對(duì)這一情況，本文將介紹一款基于TPS61040電壓轉(zhuǎn)換芯片的偏壓電路設(shè)計(jì)，并將其應(yīng)用于NaI（Tl）+SPD輻射探測(cè)器的信號(hào)檢測(cè)。

1 硅PIN光電二極管與偏置電壓關(guān)系

1.1 SPD及其偏置電壓簡(jiǎn)介

與普通光電二極管相比，SPD是由中間隔著本征層的PN結(jié)構(gòu)成。當(dāng)在PN兩端外加反向偏壓時(shí)，內(nèi)建電場(chǎng)幾乎集中于I層，使得耗盡層厚度加大，增大了對(duì)光子的吸收和轉(zhuǎn)換有效區(qū)域，提高了量子效率；同時(shí)，PN節(jié)雙電層間距加寬，降低了器件本身的結(jié)電容，如圖1所示。使得器件的響應(yīng)速度提高，有利于在微弱光脈沖信號(hào)檢測(cè)領(lǐng)域的運(yùn)用；此外，結(jié)電容的降低減小了信號(hào)電荷在其上的分配，有利于為前置放大電路輸入更多的原始信號(hào)電荷。

圖1 偏置電壓與結(jié)電容關(guān)系

1.2 偏置電壓電平選擇

但偏置電壓不是越高越好，原因是SPD的暗電流隨偏壓的增加而增加，如圖2所示。當(dāng)偏壓超過(guò)一定值時(shí)，暗電流隨偏壓呈線性增長(zhǎng)趨勢(shì)，使得整個(gè)系統(tǒng)的信噪比迅速降低。在進(jìn)行微弱光信號(hào)檢測(cè)時(shí)，若所加偏壓自身噪聲較大，將直接影響到有用信號(hào)的提取，甚至可能將有用信號(hào)完全湮沒(méi)。綜合SPD的特性曲線和實(shí)驗(yàn)結(jié)果，一般將偏置電壓設(shè)定在24 V。

圖2 偏置電壓與暗電流關(guān)系

2 偏置電路設(shè)計(jì)

2.1 升壓芯片確定

通常，便攜式儀器配用的電源電壓為較低，無(wú)法滿足SPD偏置電壓電平24 V的要求，須進(jìn)行升壓處理。目前，主要選用APD（雪崩光電二極管）專用升壓芯片（如：MAX5026，MAX1932等）構(gòu)成SPD的偏置電路，但成本相對(duì)較高，且這類(lèi)芯片升壓幅度遠(yuǎn)超過(guò)SPD的需要，造成了一定的浪費(fèi)。因此，設(shè)計(jì)一款低成本的SPD專用偏置電路是非常有必要的。

本文選用的TPS61040升壓芯片是一款由德州儀器公司生產(chǎn)的電感式DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器，其主要特點(diǎn)是價(jià)格低、功耗低、轉(zhuǎn)換效率高。該芯片采用脈沖頻率調(diào)制（FPM）模式，開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)1 MHz；輸入電壓范圍為1.8～6 V，可選用的供電電源較為豐富，適用性強(qiáng)；最高輸出電壓可達(dá)28 V，可滿足絕大部分SPD的偏壓電平要求。

2.2 TPS61040工作原理

TPS61040的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)如圖3所示，其脈沖頻率調(diào)制模式（PFM）工作原理如下：轉(zhuǎn)換器通過(guò)FB腳檢測(cè)輸出電壓，當(dāng)反饋電壓降到參考電壓1.233 V以下時(shí)，啟動(dòng)內(nèi)部開(kāi)關(guān)，使電感電流增大，并開(kāi)始儲(chǔ)能；當(dāng)流過(guò)外部電感的電流達(dá)到內(nèi)部設(shè)定的電流峰值400 mA或者開(kāi)關(guān)啟動(dòng)時(shí)間超過(guò)6 μs時(shí)，內(nèi)部開(kāi)關(guān)自動(dòng)關(guān)閉，電感所儲(chǔ)能量開(kāi)始釋放；反饋電壓低于1.233 V或內(nèi)部開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)間超過(guò)400 ns，開(kāi)關(guān)再次啟動(dòng)，電流增大。通過(guò)PFM峰值電流控制的調(diào)配，轉(zhuǎn)換器工作在不間斷導(dǎo)通模式，開(kāi)關(guān)頻率取決于輸出電流大小。這種方式使得轉(zhuǎn)換器具有85%的轉(zhuǎn)換效率。芯片內(nèi)部集成的MOSFET開(kāi)關(guān)，可使輸出端SW與輸入端隔離。在關(guān)斷過(guò)程中輸入電壓與輸出電壓間無(wú)聯(lián)接，可將關(guān)斷電流減小到0.1 μA量級(jí)，從而大大降低了功率。

圖3 TPS61040的功能模塊

2.3 升壓電路設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)（圖4所示）采用5 V電池作為電源，輸出電壓+24.5 V。根據(jù)TPS61040的數(shù)據(jù)手冊(cè)可知反饋電平?jīng)Q定了輸出電壓的值，反饋電平又與分壓電阻直接相關(guān)，輸出電壓[Vout]可按如下公式計(jì)算：

[Vout=1.233*（1+RTRB）]

式中：[RT]和[RB]分別為上下分壓電阻，在電池供電的情況下，二者的最大阻值分別為2.2 MΩ與200 kΩ。在選擇反饋電阻時(shí)，應(yīng)綜合考慮阻值與反饋電平的關(guān)系，較小的阻值有利于減小反饋電平的噪聲，本文中[RT]和[RB]分別選用阻值1 MΩ與51 kΩ的電阻，根據(jù)上式可得輸出的電壓電平為24.5 V。為減小輸出電壓的紋波，可在[RT]上并聯(lián)一補(bǔ)償電容。三極管[Q1]用于隔離負(fù)載與輸入電源。

圖4 升壓轉(zhuǎn)換器原理圖

2.4 濾波電路設(shè)計(jì)

根據(jù)PFM模式的工作原理可知，流過(guò)儲(chǔ)能電感的電流呈現(xiàn)周期性的變化，從而將其內(nèi)貯存的磁能轉(zhuǎn)化為電能輸出，造成了偏置電路的輸出電平也呈周期性變化，波形近似為三角波，如圖5所示。這使得升壓轉(zhuǎn)換器輸出的電壓不能直接用于的SPD偏置。

要得到理想的偏置電壓，必須對(duì)其進(jìn)行處理。本文采用電子濾波器來(lái)完成偏壓的濾波，電路原理如圖6所示。根據(jù)電子濾波器有放大電容的作用，可以用容量和體積均較小的電容來(lái)實(shí)現(xiàn)超大電容的功能，基本設(shè)計(jì)如圖6所示。通過(guò)濾波處理后，成功將偏置電壓的紋波控制在2 mV以內(nèi)（見(jiàn)圖7），且整個(gè)偏壓電路體積較小，而且成本較低。

圖5 升壓轉(zhuǎn)換器輸出電壓波形

圖6 偏壓濾波原理圖

圖7 濾波后的偏壓

3 應(yīng)用實(shí)例

本文選用的SPD為濱淞公司S3590?08型大面積硅PIN光電二極管，可用于閃爍探測(cè)器中光電轉(zhuǎn)換功能，選用的閃爍體為一塊體積Φ30 mm×25 mm的圓柱形NaI（Tl）晶體，通過(guò)一塊聚光光錐將NaI（Tl）晶體發(fā)出微弱光線匯集到S3590?08的受光面進(jìn)行探測(cè)，并采用本文設(shè)計(jì)的升壓電路為S3590?08提供偏壓；選用的放射源核素為Cs?137。SPD輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)前置放大器（原理如圖8所示）處理后，輸出信號(hào)的波形如圖9所示，可見(jiàn)本文設(shè)計(jì)的偏置電路基本達(dá)到輻射信號(hào)檢測(cè)的需要。

圖8 前放原理圖

圖9 加有偏壓核脈沖信號(hào)波形

4 結(jié) 論

本實(shí)驗(yàn)表明，基于TPS61040升壓轉(zhuǎn)換器的升壓電路是可以用作對(duì)偏壓要求較高的SPD的偏置電源，與采用APD專用偏壓芯片構(gòu)成的同類(lèi)電路相比，成本更低，且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗較低、體積較小，具有一定的實(shí)際運(yùn)用價(jià)值。

參考文獻(xiàn)

[1] 尼曼（美）.半導(dǎo)體物理與器件[M].3版.北京：電子工業(yè)出版社，2005.

[2] 凌球，郭蘭英.核輻射探測(cè)[M].北京：原子能出版社，1992.

[3] 侯振義.直流開(kāi)關(guān)電源技術(shù)及應(yīng)用[M].北京：電子工業(yè)出版社，2006.

[4] 薛永毅.新型電源電路應(yīng)用實(shí)例[M].北京：電子工業(yè)出版社，2001.

篇2

關(guān)鍵詞：數(shù)控直流電源；穩(wěn)壓電源；電壓源；電流源

中圖分類(lèi)號(hào)：TM461文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：10053824（2013）04006707

0引言

數(shù)控直流穩(wěn)壓電源應(yīng)用非常廣泛，是學(xué)習(xí)電子信息工程、通信工程、機(jī)電一體化、電氣自動(dòng)化等電類(lèi)專業(yè)學(xué)生必然涉及到的一個(gè)電工電子課程設(shè)計(jì)項(xiàng)目。全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽曾于第一屆A題、第二屆A題和第七屆F題（電流源），全國(guó)首屆高職院校技能競(jìng)賽樣題以及省級(jí)院校競(jìng)賽都有涉及，用來(lái)檢驗(yàn)學(xué)生的電子設(shè)計(jì)能力，可見(jiàn)其普遍性。

雖然較多論文都涉及，但電路設(shè)計(jì)的多樣性以及制作經(jīng)驗(yàn)篇幅鮮少，不足以使讀者完成作品并舉一反三。筆者參閱數(shù)十篇關(guān)于數(shù)控直流電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，發(fā)現(xiàn)許多很難讀懂的問(wèn)題。例如，給出參數(shù)設(shè)計(jì)輸出達(dá)20 V電壓，但運(yùn)放直接驅(qū)動(dòng)達(dá)林頓管明顯無(wú)法輸出達(dá)22 V以上。又如，通篇無(wú)關(guān)緊要的內(nèi)容，唯獨(dú)缺少比較放大環(huán)節(jié)設(shè)計(jì)及關(guān)鍵電路的完整連接，也就是說(shuō)DAC輸出到調(diào)整管之間內(nèi)容匱乏，這也是本文解決問(wèn)題的初衷。

直流穩(wěn)壓電源按照功率管工作狀態(tài)，分為線性穩(wěn)壓電源、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源2種。鑒于電類(lèi)專業(yè)課程設(shè)計(jì)的需要，本文重點(diǎn)解析線性穩(wěn)壓電源之關(guān)鍵設(shè)計(jì)，如與OP放大器設(shè)計(jì)聯(lián)系密切的部分，希望對(duì)讀者制作該項(xiàng)目或?qū)懻撐挠兴鶐椭?/p>

1設(shè)計(jì)要求的性能指標(biāo)與測(cè)試方法

1）輸出電流IL（即額定負(fù)載電流），它的最大值決定調(diào)整管（三端穩(wěn)壓器）的最大允許功耗PCM和最大允許電流ICM，要求：IL （Vimax-Vomin）

2）根據(jù)輸出電壓范圍和最大輸出電流的指標(biāo)，U/I可計(jì)算出等效負(fù)載阻值。例如，輸出電壓要求達(dá)30 V，最大輸出電流1 A，因此模擬負(fù)載應(yīng)滿足從幾Ω到30 Ω之間，調(diào)整管耗散功率應(yīng)滿足30 W以上，考慮加散熱片。

1.2質(zhì)量指標(biāo)

紋波電壓：是指疊加在輸出電壓Uo上的交流分量。在額定輸出電壓和負(fù)載電流下，用示波器觀測(cè)其峰一峰值，Uo（p-p）一般為毫伏量級(jí)，也可以用交流電壓表測(cè)量其有效值。紋波系數(shù)是紋波電壓與輸出電壓的百分比。設(shè)計(jì)中主要涉及濾波電路RLC充放電時(shí)間常數(shù)的計(jì)算。一般在全波式橋式整流情況下，根據(jù)下式選擇濾波電容C的容量：RL?C=（3-5）T/2，式中T為輸入交流信號(hào)周期，因而T=1/f=1/50=20 ms；RL為整流濾波電路的等效負(fù)載電阻。

穩(wěn)壓系數(shù)Su和電壓調(diào)整率Ku均說(shuō)明輸入電壓變化對(duì)輸出電壓的影響[2]，因此只需測(cè)試其中之一即可。電源輸出電阻ro和電流調(diào)整率Ki均說(shuō)明負(fù)載電流變化對(duì)輸出電壓的影響[2]，因此也只需測(cè)試其中之一即可，具體操作參照指標(biāo)的定義來(lái)實(shí)施。

2.2DAC接口電路的設(shè)計(jì)

2.3調(diào)整管控制電路、電壓采樣與電流采樣電路的

2.4ADC接口電路的設(shè)計(jì)、同時(shí)具備電壓源與電流源功能的設(shè)計(jì)

2.6具備電壓預(yù)置記憶存儲(chǔ)部分的設(shè)計(jì)

2.7保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

2.8.2濾波電路的設(shè)計(jì)

3結(jié)語(yǔ)

曾經(jīng)查閱數(shù)十篇類(lèi)似穩(wěn)壓電源電路圖，深感模擬電路設(shè)計(jì)的重要性。本文將電壓源與電流源的設(shè)計(jì)方案同時(shí)羅列，便于讀者理解設(shè)計(jì)要領(lǐng)。重點(diǎn)解析DAC輸出后的電路設(shè)計(jì)，圖中電壓、電流數(shù)據(jù)全部基于proteus交互式仿真完成。電路設(shè)計(jì)的連貫性、采樣電路取值、運(yùn)放電路與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)等，是同類(lèi)論文較少論述的環(huán)節(jié)，可以有效解決目前存在的諸多問(wèn)題，有助于讀者提高電路解析能力。僅此拋磚引玉，希望本文的設(shè)計(jì)能對(duì)讀者在實(shí)際工作中有所幫助，不當(dāng)之處請(qǐng)多指教。

參考文獻(xiàn)：

[1]高吉祥.全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽培訓(xùn)系列教程――基本技能訓(xùn)練與單元電路設(shè)計(jì)[M].北京：電子工業(yè)出版社，2007.

[2]鄧堅(jiān)，楊燕翔，齊剛. 數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)[J].計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制，2008，16（12）：19911993.

[3]楊秀增，黃燦勝. 基于Nios II的高精度數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)[J]. 電子設(shè)計(jì)工程，2009，17（9）：4749.

[4]許艷惠. 一種智能化高精度數(shù)控直流電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J]. 微計(jì)算機(jī)信息，2007，23（32）：136138.

[5]DAC0832手冊(cè).National Semiconductor Corporation DS005608[EB/OL].（20020120）[20121011]. http：///product/dac0832.

[6]岡村迪夫.OP放大電路設(shè)計(jì)[M].王玲，徐雅珍，李武平，譯.北京：科學(xué)出版社，2004.

[7]鈴木雅臣.晶體管電路設(shè)計(jì)（上）[M].周南生，譯.北京：科學(xué)出版社，2004.

[8]江海鷹，孫王強(qiáng)，孫杰，等. 實(shí)用高精度數(shù)控直流電流/電壓源[J].濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)：自然科學(xué)版，2006，20（3）：249251.

[9]彭軍.運(yùn)算放大器及其應(yīng)用[M].北京：科學(xué)出版社，2008.

[10]清華大學(xué)電子學(xué)教研組.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程[M].3版.北京：高等教育出版社，2006.

[11]黃智偉.全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽系統(tǒng)設(shè)計(jì)[M].北京：北京航空航天大學(xué)出版社，2011.

[12]陳光明，施金鴻，桂金蓮.電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)與綜合實(shí)訓(xùn)[M].北京：北京航空航天大學(xué)出版社，2007.

篇3

【關(guān)鍵詞】嵌入式CortexTM-M3 LM3S811 溫度檢測(cè)

豆?jié){是現(xiàn)代科學(xué)公認(rèn)的營(yíng)養(yǎng)品，隨著家庭生活條件的改善、生活水平的提高以及出于對(duì)食品安全的考慮，富含植物性蛋白的豆?jié){正以無(wú)可阻擋的魅力走進(jìn)千家萬(wàn)戶，本論文即采用 嵌入式單片機(jī)設(shè)計(jì)的一款豆?jié){機(jī)。

1 LM3S811單片機(jī)介紹

TI公司的Stellaris系列的單片機(jī)，能夠使用戶以傳統(tǒng)的8位和16位器件的價(jià)位來(lái)享受32位的性能。該系列單片機(jī)是針對(duì)工業(yè)應(yīng)用方案而設(shè)計(jì)的，包括遠(yuǎn)程監(jiān)控、電子售貨機(jī)、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和交換機(jī)、工廠自動(dòng)化、建筑控制、運(yùn)動(dòng)控制、醫(yī)療器械、以及火警安防等。

LM3S811單片機(jī)的優(yōu)勢(shì)還在于能夠方便的運(yùn)用多種ARM的開(kāi)發(fā)工具和片上系統(tǒng)（SoC）的底層IP應(yīng)用方案，能夠滿足各種需求。另外，該單片機(jī)使用了兼容ARM的Thumb?指令集的Thumb2指令集來(lái)減少存儲(chǔ)容量的需求，并以此達(dá)到降低成本的目的。因此，本設(shè)計(jì)采用LM3S811單片機(jī)作為控制芯片。

2 豆?jié){機(jī)工作流程與硬件設(shè)計(jì)

2.1 豆?jié){機(jī)工作流程

正常上電后按豆?jié){按鈕，蜂鳴器“嘀”一聲，指示燈亮。

（1）延時(shí)2秒、隨后加熱到80℃，打豆10秒后停5秒。

（2）自動(dòng)加熱掛泡，停止加熱10秒。

（2）打豆10秒，停10秒如此循環(huán)6次。

（3）加熱到掛泡，如此循環(huán)3次。

（4）打豆10秒，停6秒如此循環(huán)6次。

（5）加熱到掛泡，如此循環(huán)6次。

完成后蜂鳴器提示音1秒一聲，一分鐘后轉(zhuǎn)至每間隔10秒蜂鳴器“嘀”一聲提示音，表示工作進(jìn)程結(jié)束。

2.2 豆?jié){機(jī)硬件電路設(shè)計(jì)

全自動(dòng)豆?jié){機(jī)硬件電路包括溫度傳感器電路、單片機(jī)最小系統(tǒng)以及輸出控制電路。

由于單片機(jī)內(nèi)部有上拉電阻，所以按鈕電路沒(méi)有連接上拉電阻；用單片機(jī)引腳直接控制繼電器的方式驅(qū)動(dòng)電加熱器與電機(jī)；溫度傳感器采用熱敏電阻KTY81-110，采用電阻串聯(lián)分壓法直接將熱敏電阻兩端的電壓輸入到單片機(jī)LM3S811的ADC中；采用變壓器降壓、整流、濾波后，經(jīng)過(guò)3.3V穩(wěn)壓器1117（3.3V）輸出，為豆?jié){機(jī)提供電源。通過(guò)這些電路設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)豆?jié){機(jī)系統(tǒng)。

3 基于LM3S811單片機(jī)的豆?jié){控制電路機(jī)程序框架

本設(shè)計(jì)為全自動(dòng)豆?jié){機(jī)，采用狀態(tài)機(jī)描述進(jìn)行編程。按照狀態(tài)機(jī)描述豆?jié){機(jī)不同得工作狀態(tài)，程序由C語(yǔ)言寫(xiě)出，主程序由單片機(jī)初始化、溫度傳感器初始化、鍵盤(pán)初始化等等，程序框架如下：

include " LM3S811.h"

定義數(shù)碼管譯碼數(shù)組；

定義數(shù)碼管位選數(shù)組；

定義LED燈數(shù)組；

定義保存在FLASH中數(shù)據(jù)的數(shù)組；

定義定時(shí)標(biāo)記變量；

定義其他全局?jǐn)?shù)組與變量； //例如定時(shí)變量dsbl等

函數(shù)原型聲明；

void main（void）

{

定時(shí)器0初始化； //實(shí)現(xiàn)時(shí)間標(biāo)記

定時(shí)器1初始化； //對(duì)定時(shí)變量定時(shí)

引腳初始化； //按鈕、水位電極、ADC、繼電器等引腳初始化

ADC初始化；

其他初始化語(yǔ)句；

while（1）

{

//按鍵處理語(yǔ)句；

{

功能選擇等按鈕語(yǔ)句； //按鈕變量anbl隨按下按鈕不同而不同

豆?jié){按鈕按下時(shí)，anbl=1； //對(duì)應(yīng)指示燈亮，表示工作狀態(tài)

燒水按鈕按下時(shí)，anbl=2；

攪拌按鈕按下時(shí)，anbl=3；

若沒(méi)有按鈕按下，anbl=4；

需要按鈕抬起判斷語(yǔ)句；

}

//低水位電極、防溢出電極、溫度檢測(cè)

if（sample_time= =1）

{

檢測(cè)水位電極； //設(shè)置低水位標(biāo)志，若是低水位，低水位標(biāo)志為1

檢測(cè)防溢出電極； //設(shè)置防溢出標(biāo)志，若是溢出，防溢出標(biāo)志為1

ADC轉(zhuǎn)換溫度值、數(shù)字濾波語(yǔ)句，轉(zhuǎn)換成溫度值。

sample_time= =0；

}

//狀態(tài)機(jī)

if （state_time= =1）

{

狀態(tài)機(jī)語(yǔ)句；

state_time=0；

按鈕變量=0

}

//輸出語(yǔ)句：

4 結(jié)論

TI公司的Stellaris系列的單片機(jī)，LM3S811單片機(jī)與Stellaris系列的所有成員是代碼兼容的，這為用戶提供了靈活性，能夠適應(yīng)各種精確的需求，必將得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

參考文獻(xiàn)

[1]都業(yè)弘.我國(guó)大豆磨{行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展[J].食品科學(xué)，1999（02）：28-29.

[2]李延鵬.ARM嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用完全手冊(cè)[M].北京：中國(guó)鐵道出版社，2013.

通訊作者簡(jiǎn)介

周立平（1979-），男，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所工程師。研究方向?yàn)樽詣?dòng)控制。

篇4

簡(jiǎn)要介紹了某制冷型長(zhǎng)波576×6元紅外焦平面探測(cè)器，并根據(jù)探測(cè)器要求設(shè)計(jì)了紅外成像系統(tǒng)的硬件電路。電路主要包括探測(cè)器偏置電路、時(shí)序驅(qū)動(dòng)、紅外模擬信號(hào)調(diào)理、數(shù)字化及存儲(chǔ)、數(shù)字視頻處理、視頻輸出接口電路。其中紅外數(shù)字視頻處理電路設(shè)計(jì)采用FPGA+DSP構(gòu)成的可重構(gòu)柔性平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)探測(cè)器信號(hào)讀出、A/D采樣及掃描成像等時(shí)序生成、圖像數(shù)據(jù)排序整理、非均勻性校正、圖像增強(qiáng)等核心功能。實(shí)驗(yàn)結(jié)構(gòu)表明，該電路設(shè)計(jì)合理可行，達(dá)到了預(yù)期的目的。

【關(guān)鍵詞】長(zhǎng)波576×6元探測(cè)器 偏置電壓 模數(shù)轉(zhuǎn)換 非均勻性校正

高分辨率紅外成像系統(tǒng)在機(jī)載光電雷達(dá)、紅外搜索與跟蹤系統(tǒng)、全天候偵察監(jiān)控等領(lǐng)域的需求越來(lái)越迫切。本系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)采用了制冷型長(zhǎng)波576×6元紅外焦平面探測(cè)器，采用線列掃描的方式產(chǎn)生紅外圖像。探測(cè)器包括16 通道模擬信號(hào)輸出，平均峰值探測(cè)率D*不低于2.2×1011cmHz1/2/W，最高讀出速率5MHz，適用于各種先進(jìn)的掃描型紅外成像系統(tǒng)。

本文介紹了采用制冷型長(zhǎng)波576×6元紅外焦平面探測(cè)器設(shè)計(jì)的紅外掃描成像系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用低噪聲高精度的電壓基準(zhǔn)源提供探測(cè)器偏置電壓，用FPGA實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的時(shí)序同步及紅外信號(hào)AD轉(zhuǎn)換采集和圖像數(shù)據(jù)排序，使用DSP實(shí)現(xiàn)非均勻性校正、圖像增強(qiáng)處理以及視頻信號(hào)輸出。該系統(tǒng)最終可輸出標(biāo)準(zhǔn)的PAL制視頻信號(hào)，圖像分辨率為576×512 像元，經(jīng)試驗(yàn)?zāi)軌驖M足紅外目標(biāo)的掃描搜索和實(shí)時(shí)跟蹤需要。

1 探測(cè)器介紹

長(zhǎng)波576×6元碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器杜瓦制冷機(jī)組件，探測(cè)響應(yīng)波段為7.5μm～10.3μm，該探測(cè)器杜瓦制冷機(jī)組件（DDCA）主要包括兩大部分：高靈敏度的長(zhǎng)波576×6元紅外焦平面探測(cè)器和斯特林制冷機(jī)。光伏陣列由576列組成，每列6個(gè)像元，讀出電路對(duì)每一列的6個(gè)像元進(jìn)行時(shí)間延遲積分（TDI）。光電二極管陣列由兩組個(gè)數(shù)為288列的通道模塊組成。

探測(cè)器積分時(shí)間可調(diào)，多種增益可調(diào)，可進(jìn)行雙向TDI掃描。微杜瓦采用金屬密封結(jié)構(gòu)、吸氣劑用來(lái)保持長(zhǎng)時(shí)間的真空度、高效冷屏設(shè)計(jì)。制冷機(jī)制冷效率高，整機(jī)振動(dòng)和噪音小，可靠性高。

1.1 紅外焦平面電學(xué)接口

紅外焦平面探測(cè)器的電學(xué)接口主要包括3部分：輸入偏置電壓，輸入時(shí)序，輸出紅外模擬信號(hào)。見(jiàn)下表1。

1.2 時(shí)序要求

紅外焦平面探測(cè)器運(yùn)行需要3個(gè)時(shí)序信號(hào)：主時(shí)鐘MC，積分信號(hào)INT，串行接口設(shè)置輸入數(shù)據(jù)。主時(shí)鐘MC具有最大頻率5MHz和50%的占空比，主時(shí)鐘是整個(gè)電路同步工作的基礎(chǔ)。每個(gè)時(shí)鐘周期輸出一列信息。作為最佳選擇，最小幀周期應(yīng)為38個(gè)主時(shí)鐘周期。積分信號(hào)INT，為積分時(shí)間和讀出時(shí)間控制信號(hào)。積分時(shí)間由經(jīng)過(guò)2.5個(gè)主時(shí)鐘周期移位的INT高電平?jīng)Q定。INT的下降沿控制積分信號(hào)的采樣。2.5MC周期后，積分電容被復(fù)位到VR，積分結(jié)束。

紅外焦平面探測(cè)器的工作時(shí)序如圖1-1所示

串行接口SERDAT是在每一幀中，加載到控制寄存器的串行輸入數(shù)據(jù)。30位的控制寄存器用于建立和保持對(duì)芯片的配置。每次上電時(shí)，需要重新加載一次SERDAT信息。控制寄存器位定義見(jiàn)下表2。

2 硬件電路設(shè)計(jì)

紅外成像系統(tǒng)的硬件電路組成如圖2所示，主要包括探測(cè)器電壓偏置電路、探測(cè)器時(shí)序驅(qū)動(dòng)，紅外模擬信號(hào)預(yù)處理電路、紅外信號(hào)AD轉(zhuǎn)換電路、圖像數(shù)據(jù)FIFO暫存電路，紅外數(shù)字圖像處理電路、數(shù)字圖像輸出接口電路等。其中紅外數(shù)字圖像處理電路由DSP+FPGA紅外數(shù)字視頻處理電路實(shí)現(xiàn)探測(cè)器的時(shí)序驅(qū)動(dòng)、AD采樣時(shí)序、掃描成像時(shí)序、圖像數(shù)據(jù)排序整理、非均勻性校正、圖像增強(qiáng)等功能，設(shè)計(jì)采用FPGA+DSP相結(jié)合的方式來(lái)完成。

2.1 偏置電壓及時(shí)序驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

要得到紅外焦平面探測(cè)器的紅外輸出模擬信號(hào)，首先要給探測(cè)器提供滿足要求的偏置電壓和時(shí)序驅(qū)動(dòng)，由表1可知，探測(cè)器需要5個(gè)偏置電壓，其中Gpol電壓可調(diào)，其他電壓為固定值，所有偏置電壓都有精度高，噪聲低的要求，一般的LDO電壓轉(zhuǎn)換電路滿足不了精度和噪聲要求，需要專門(mén)設(shè)計(jì)。可調(diào)偏置電壓Gpol先用低功耗高精度的數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC7311產(chǎn)生，再濾波加射隨電路以提高驅(qū)動(dòng)能力，DAC7311的輸入端由DSP程序控制，可在調(diào)試階段通過(guò)編程改變輸出電壓值。固定偏置電壓全部采用了電壓基準(zhǔn)源供電，VDDA和VDD分別用LT1461AIS8-5提供，LT1461是一款高精度，低溫漂的電壓基準(zhǔn)源，電壓準(zhǔn)確度不超過(guò)0.04%，能夠滿足±0.05V的偏差要求，并且能提供至少50mA的輸出電流，可以滿足探測(cè)器40mA的要求，不用另外加射隨電路驅(qū)動(dòng)。VR的電壓值不是常用的電壓基準(zhǔn)值，所以先用LT1461AIS8-5產(chǎn)生5.000V的基準(zhǔn)電壓，再分別用1%精度的電阻分壓得到相應(yīng)的電壓值，再使用射隨電路提供給探測(cè)器。例如VR電壓的生成，如圖3所示。

探測(cè)器的時(shí)序信號(hào)包括兩部分，時(shí)序信號(hào)和控制寄存器，用FPGA實(shí)現(xiàn)。硬件電路設(shè)計(jì)采用ACTEL公司的A3P1000電路，輸入時(shí)鐘為20MHz，四分之一分頻后得到整個(gè)系統(tǒng)的主時(shí)鐘MC，再用Verilog編程語(yǔ)言以主時(shí)鐘為基礎(chǔ)產(chǎn)生探測(cè)器的積分信號(hào)。

探測(cè)器的控制寄存器用于增益、掃描方向、像元替代選擇，數(shù)據(jù)字及地址字。每次上電后，用DSP將設(shè)置數(shù)據(jù)寫(xiě)入FPGA的RAM寄存器，數(shù)據(jù)在MC時(shí)鐘下的同步下順序?qū)懭胩綔y(cè)器的SERDAT管腳。

2.2 AD采樣及存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)

制冷機(jī)將溫度制冷到約80K并穩(wěn)定后，給探測(cè)器送偏置電壓和時(shí)序信號(hào)，探測(cè)器會(huì)在時(shí)序信號(hào)驅(qū)動(dòng)下輸出紅外模擬信號(hào)，16路模擬信號(hào)在同一個(gè)主時(shí)鐘MC同步下同時(shí)輸出，模擬信號(hào)先使用運(yùn)放電路處理，再經(jīng)過(guò)低通濾波進(jìn)入AD轉(zhuǎn)換電路。為降低噪聲，提高信噪比，運(yùn)放電路和AD電路的供電都經(jīng)過(guò)了濾波處理，數(shù)字地與模擬地進(jìn)行隔離，防止數(shù)字地上的噪聲進(jìn)入模擬地。

本設(shè)計(jì)的運(yùn)放電路選用LT公司低噪聲低失真，高速軌至軌運(yùn)放電路LT1806，噪聲低至3.5nV/ 。AD轉(zhuǎn)換電路選用了AD公司14位的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路AD9240，最高采樣時(shí)鐘10MSPS，信噪比77.5dB，數(shù)據(jù)在輸入時(shí)鐘的上升沿采集，轉(zhuǎn)換時(shí)間需要3個(gè)時(shí)鐘周期，轉(zhuǎn)換后的16路AD數(shù)據(jù)先緩存在FIFO存儲(chǔ)器中，等待FPGA排序處理。電路設(shè)計(jì)見(jiàn)圖4所示。

AD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路選用IDT公司的IDT72T7295，IDT72T7295是高速大容量FIFO電路，能夠兼容多種數(shù)字電平，并且輸入輸出數(shù)據(jù)總線多種可選，該設(shè)計(jì)中使用了4片F(xiàn)IFO，每片使用X72inX18out的模式，這樣可以將每4路64位的AD數(shù)據(jù)合并為一路數(shù)據(jù)，16路AD數(shù)據(jù)在進(jìn)入FPGA之前最終被合并為4路，再經(jīng)過(guò)FPGA排序，形成含有576個(gè)像素的一行圖像。

2.3 數(shù)字圖像處理電路

數(shù)字信號(hào)處理器DSP選用TI公司的TMS320DM648，該處理器時(shí)鐘頻率高達(dá)1.1GHz，具有千兆以太網(wǎng)接口，外部DDR2存儲(chǔ)器接口，數(shù)據(jù)傳輸速度快。增強(qiáng)的EDMA3控制器提高了讀取數(shù)據(jù)速度。DM648對(duì)EDMA讀入內(nèi)部RAM的圖像進(jìn)行非均勻性校正，直方圖統(tǒng)計(jì)，壞像元檢測(cè)及替換，然后進(jìn)行圖像增強(qiáng)后，送到FPGA中緩存用于顯示。FPGA產(chǎn)生探測(cè)器需要的時(shí)序驅(qū)動(dòng)外，還產(chǎn)生整個(gè)系統(tǒng)的時(shí)序同步信號(hào)，并將視頻的行場(chǎng)同步信號(hào)送給掃描控制電路。

2.4 視頻顯示電路設(shè)計(jì)

數(shù)模轉(zhuǎn)換電路選用AD公司的ADV7123，ADV7123包含3路10bits的視頻D/A轉(zhuǎn)換器，行場(chǎng)同步信號(hào)，行場(chǎng)復(fù)合消隱信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)。因?yàn)榧t外圖像反映的是目標(biāo)熱輻射分布情況，只有灰度值。ADV7123的行場(chǎng)同步信號(hào)和消隱信號(hào)是疊加在綠色通道上的，所以FPGA將DSP處理好的紅外數(shù)字圖像送ADV7123電路的G[9：0]通道，紅色和藍(lán)色通道接地。DA轉(zhuǎn)換后的實(shí)時(shí)圖像如圖5所示。

3 結(jié)論

經(jīng)過(guò)實(shí)時(shí)測(cè)試和實(shí)際驗(yàn)證，設(shè)計(jì)的硬件電路完全滿足系統(tǒng)的要求，探測(cè)器偏置電壓設(shè)計(jì)產(chǎn)生的電壓噪聲低，精度高，時(shí)序驅(qū)動(dòng)信號(hào)穩(wěn)定。AD轉(zhuǎn)換及存儲(chǔ)電路能夠?qū)崟r(shí)轉(zhuǎn)換16路視頻信號(hào)并存儲(chǔ)下來(lái)，高速DSP+FPGA的數(shù)字處理電路能夠?qū)崟r(shí)完成數(shù)字紅外圖像處理，將處理好的圖像送DA電路顯示或者通過(guò)千兆網(wǎng)口送給上位機(jī)做圖像跟蹤監(jiān)控。該電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)最終輸出的圖像清晰穩(wěn)定，達(dá)到了預(yù)期的目的。

參考文獻(xiàn)

[1]簡(jiǎn)獻(xiàn)忠等. MCT1024 紅外線列掃描成像系統(tǒng)[J].紅外技術(shù)，2001.

[2] 范宏波等.288×4熱像儀掃描速度與系統(tǒng)積分時(shí)間的匹配研究[J].紅外技術(shù)，2007.

作者簡(jiǎn)介

李轉(zhuǎn)令（1979-），女，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十七研究所光電部工程師。主要研究方向?yàn)榧t外成像系統(tǒng)研究及嵌入式電路設(shè)計(jì)。

篇5

關(guān)鍵詞：LNA；匹配；共源共柵；SiGe

中圖分類(lèi)號(hào)：TN722.3

低噪聲放大器（LNA）已經(jīng)廣泛應(yīng)用于GPS接收機(jī)、雷達(dá)、電子對(duì)抗、大地測(cè)繪、遙感遙控、微波通信以及各種高精度的微波測(cè)量系統(tǒng)，是射頻微波電路和系統(tǒng)不可或缺的組成部分。

1 低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)

1.1 低噪聲放大器電路原理圖

本文利用TSMC 0.35um RF SiGe工藝庫(kù)，在cadence軟件上設(shè)計(jì)了3GHz窄帶兩級(jí)低噪聲放大器。

低噪聲放大器原理圖如圖1所示，Cin和Cout是隔直流電容，Cin，Lb和Le構(gòu)成了輸入級(jí)的匹配，而Cox相當(dāng)于增加了Q1的Cπ，在設(shè)計(jì)中使得輸入匹配有了更多的自由度，且對(duì)噪聲系數(shù)影響很小。但是由于起到了反饋的作用，故對(duì)增益有所降低，因此在設(shè)計(jì)中需要對(duì)其值進(jìn)行折中考慮。

圖1 窄帶兩級(jí)低噪聲放大器原理圖

Q1和Q2，Q3和Q4分別構(gòu)成共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)，通過(guò)級(jí)聯(lián)聯(lián)系起來(lái)。

1.2 cascode結(jié)構(gòu)

雙極晶體管一般在低噪聲放大器中有共射、共集和共基三種接法，每種接法各有優(yōu)缺點(diǎn)。共基級(jí)放大器輸入阻抗低，在很高的頻率上，一般具有寬帶電流放大能力且線性度好，而共射級(jí)放大器輸出電阻與集電極的電阻有關(guān)[1]。綜合考慮，本文中所采用的電路結(jié)構(gòu)為共基和共射組成cascode結(jié)構(gòu)一起使用。如圖2所示。

2 結(jié)論

根據(jù)現(xiàn)實(shí)問(wèn)題的應(yīng)用需要，本文設(shè)計(jì)了一個(gè)S波段窄帶低噪聲放大器。針對(duì)具體指標(biāo)性能的需求，文章首先分析了電路設(shè)計(jì)的一些問(wèn)題，如主電路結(jié)構(gòu)的選取、輸入匹配、電路偏置等的設(shè)計(jì)，提出了用兩級(jí)串聯(lián)負(fù)反饋的cascode結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)該電路。

參考文獻(xiàn)：

[1]康華光.電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分（第五版）[M].北京：高等教育出版社，2006-1：147-148.

[2]Ganguly，A.K，Webb，D.C.Microstrip Excitation of Magnetostatic Surface Waves：Theory and Experiment[J].IEEE Trans Microwave Theory Tech，1975，23（12）：998-1006.

篇6

自舉電路有著較多的功能，其可以利用電容兩端電壓無(wú)法瞬間突變的特點(diǎn)，改變電路中某點(diǎn)的瞬時(shí)電位，在射極跟隨器電路中（圖1），設(shè)輸入電阻為Ri，在偏置電路中加入的電阻為R3，加入R3后，電路中輸入電阻值會(huì)增加，用公式表示為：Ri=[R3+（R1//R2）]//[rbe+（1+β）（R4//RL）]根據(jù)公式可以得知，R3越大，輸入電阻則越大。R3的取值并不任意的，R3太大會(huì)偏離靜態(tài)工作點(diǎn)的要求，在偏置電路中，通過(guò)偏置的方式提高輸入阻抗，效能并不是無(wú)限的。在該電路中加入電容C3，可以得到如圖2所示的電路，在圖2的電路中，電容C3的容量增加后，B點(diǎn)的電壓變化與輸出端電壓變化情況一致，R3兩端電壓變化可表示為Ui-Uo，流過(guò)R3的電流為IR3，用公式表示為：IR3=（Ui-UB）/R3=（Ui-Uo）/R3有上述公式可以得知，當(dāng)Ui發(fā)生改變后，Uo也會(huì)相應(yīng)的變化，二者的數(shù)值比較相近時(shí)，流過(guò)R3的電流最小，R3對(duì)交流會(huì)呈現(xiàn)出最大的阻抗，所以，射極跟隨器的輸入阻抗會(huì)大大提高。自舉電路是利用自舉電容控制電路，提高電容一端的電位，可以控制另一端的電位。C3就屬于自舉電容，自舉也被稱為特殊形式的正反饋。

2自舉電路在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

2.1利用自舉電路提高射極跟隨器的輸入電阻

射極跟隨器有著自身的特性，其輸入阻抗比較高，而輸出阻抗卻比較低，在電子線路中有著廣泛的應(yīng)用。很多射極跟隨器電路的基極都采用的是固定偏置電路，這種電路的工點(diǎn)穩(wěn)定性一般較難保證，所以需要將其改為分壓式偏置，這一改動(dòng)有效解決了工點(diǎn)不穩(wěn)定的問(wèn)題，但是由于電阻的阻值會(huì)受到限制，所以，在分壓式偏置的射極跟隨器電路（圖3）中，輸入電阻可表示為：Ri=[R1//R2]//[rbe+（1+β）（R4//RL）]通過(guò)電路輸入電阻的公式可以得知，R1，R2的取值受到限制后，輸入電阻Ri的取值也相應(yīng)的減小了，影響了射極跟隨器輸入電阻優(yōu)勢(shì)的發(fā)揮。為了解決這一問(wèn)題，必須增加輸入電阻的大小，并保證工作點(diǎn)的穩(wěn)定性，可以在電路中增加電阻R4，或者加入電容C3，即在電路設(shè)計(jì)中合理的應(yīng)用自舉電路，利用自舉電容，改變電路中射極跟隨器的性能指標(biāo)。通過(guò)上述分析可知，將輸入信號(hào)設(shè)為Ui，射隨器的輸出電壓可表示為Uo=Au*Ui。由于射極跟隨器的電壓增益Au的近似值為1，所以，Ui與Uo的大小幾乎一致，通過(guò)電阻R3的電流可表示為IR3=（Ui-Uo）/R3流過(guò)R3的電流是比較小的，但是R3支路對(duì)交流信號(hào)的等效R3數(shù)值卻比較大，R3=Ui/IR3=R3/（1-Au）電路輸入電阻可以表示為Ri=R3//[rbe+（1+β）（R4//RL）]≈rbe+（1+β）（R4//RL）由上述公式可知，在加入電阻R3與電容C3后，射隨器的輸入阻抗值有所提高。

2.2利用自舉電路擴(kuò)大電路動(dòng)態(tài)范圍

利用自舉電路可以擴(kuò)大放大器的輸出動(dòng)態(tài)范圍。圖4所示是一個(gè)典型的OTL電路，圖中C3是自舉電容，C3、R3、R5組成自舉電路。當(dāng)未加C3(即將C3開(kāi)路)時(shí)，在輸人信號(hào)ui為正半周最大值時(shí)，可使三極管Ti臨界飽和，T3的基極電壓很低，從而使幾接近飽和，輸出電壓的最大負(fù)峰值為UCE（sat）-Vcc/2≈-Vcc/2加人自舉電容C3后，靜態(tài)時(shí)P點(diǎn)對(duì)地的電位為UP=Vcc-ICQ*R5，R5是隔離電阻，其作用是為了防止輸出信號(hào)通過(guò)自舉電容短路，通常取值很小，因此可以認(rèn)為UP=Vcc，而E點(diǎn)對(duì)地直流電位為UE=Vcc/2。因此自舉電容C上的直流電壓為Uc=Vcc/2。由于Up=Uc+uE=Vcc/2+uE，即Up會(huì)隨UE的升高而自動(dòng)抬高。當(dāng)Uo接近Vcc/2時(shí)，UE的瞬間電位可達(dá)VCC，此時(shí)Up=Vcc+Vcc/2=1.5Vcc，從而能保證供給T2基極足夠大的基極電流，使其達(dá)到飽和狀態(tài)，使輸出電壓的正、負(fù)半周幅度對(duì)稱。使負(fù)載上能夠獲得足夠大的輸出電壓，即擴(kuò)大了電路輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍。

2.3利用自舉電路提高電路增益

設(shè)T1為核心構(gòu)成共射電路，以T2為核心構(gòu)成的是射隨器，G3為自舉電容。電路輸出電壓跟隨N點(diǎn)的電位變化而變化，通過(guò)C3的反饋將輸出電壓反饋到M點(diǎn)，使M點(diǎn)的電位也跟隨N點(diǎn)電位的電位變化而變化，實(shí)現(xiàn)自舉。其結(jié)果使M點(diǎn)的電位與N點(diǎn)電位很接近，使流過(guò)Rc2的交流電流大大減少，這就相當(dāng)于提高了Rc2的交流等效阻抗，從而提高了電路的增益。利用幾管產(chǎn)生自舉作用，不僅提高了電路的增益，而且也使電路輸出的電阻大大增加，所以適用于后級(jí)放大電路輸人阻抗較高的場(chǎng)合。

3結(jié)語(yǔ)

篇7

關(guān)鍵詞： 沃爾曼電路； MOS管； 閾值電壓； 鏡像電流源

中圖分類(lèi)號(hào)： TN710?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2013）10?0125?03

0 引 言

所謂沃爾曼電路，就是將場(chǎng)效應(yīng)管縱向堆積起來(lái)，將下面器件的漏極與上面器件的源極連接起來(lái)，將上面器件的柵極交流接地，這樣連接的場(chǎng)效應(yīng)管看作一個(gè)器件、并以源極接地來(lái)使用的電路[1]。

沃爾曼電路因?yàn)槟軌虼蟠筇岣叻糯箅娐返脑鲆妫约盁o(wú)需增加額外的電流消耗級(jí)就可得到高性能的鏡像電流源，從而得到廣泛的應(yīng)用。為了減小在動(dòng)態(tài)損耗，管子最好工作于臨界飽和的區(qū)域，所以沃爾曼電路管子的偏置電壓很重要。

隨著場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)的進(jìn)步，大規(guī)模集成電路的特征尺寸越來(lái)越小，但是即使在低電壓的情況下也會(huì)帶來(lái)溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和載流子的倍增效應(yīng)等諸多問(wèn)題，而最大直流電壓增益的減小會(huì)直接影響總的放大電路的增益。用最小特征尺寸場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)的沃爾曼電路可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)輸入/輸出高隔離，高輸出電阻，寬頻帶，高直流電壓增益和良好的頻率響應(yīng)等特征。鏡像電流源任何時(shí)候它的輸出電流僅僅取決于輸入電流，而與輸出端的電壓無(wú)關(guān)。輸入電流與輸出電流的比例取決于場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸比例[2?3]。電流源電路經(jīng)常用于模擬電路中，為各級(jí)放大電路提供合適的靜態(tài)電流，或者作為有源負(fù)載取代高阻值的電阻，從而提高放大電路的放大能力。

1 常規(guī)的MOS沃爾曼電路

常規(guī)的MOS沃爾曼電路如圖1所示，場(chǎng)效應(yīng)管T3相當(dāng)于一個(gè)放大器，其引入的負(fù)反饋穩(wěn)定輸出端場(chǎng)效應(yīng)管T2偏置電壓。為了達(dá)到穩(wěn)定效果，必須讓管子工作于合適的區(qū)域，T1管開(kāi)始工作于可變電阻區(qū)，電路沒(méi)有調(diào)節(jié)功能；進(jìn)入飽和區(qū)后，當(dāng)輸出電壓接近0.5 V時(shí)，T3管開(kāi)始起調(diào)節(jié)作用[4]。即使T2進(jìn)入可變電阻區(qū)依然有調(diào)節(jié)作用，但是輸出信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍變大。

2 改進(jìn)的MOS沃爾曼電路

2.1 電路設(shè)計(jì)

可以看出，所設(shè)計(jì)的沃爾曼電路達(dá)到了減小調(diào)節(jié)閾值電壓的目的。常規(guī)沃爾曼電路開(kāi)始調(diào)節(jié)的門(mén)檻電壓接近0.5 V，而改進(jìn)的沃爾曼電路幾乎從一開(kāi)始就開(kāi)始調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)電壓接近0 V。

3 用改進(jìn)的MOS沃爾曼電路設(shè)計(jì)的鏡像電流源

電流源的電路特點(diǎn)是輸出電流穩(wěn)定，輸出交流電阻大。電流源電路經(jīng)常用于模擬電路中，為各級(jí)放大電路提供合適的靜態(tài)電流，或者作為有源負(fù)載取代高阻值的電阻，從而提高放大電路的放大能力[6?7]。

用改進(jìn)的沃爾曼電路設(shè)計(jì)的鏡像電流源如圖4所示。

當(dāng)輸入電壓為0～5 V變化時(shí)輸出電流與輸入電流的關(guān)系如圖5所示，可以看得出該電路是一個(gè)性能良好的電流源。該電路無(wú)論是正電源還是負(fù)電源情況下性能都很良好。

4 結(jié) 語(yǔ)

從仿真結(jié)果可以看出，動(dòng)態(tài)范圍不變的情況下，改進(jìn)的沃爾曼電路開(kāi)始調(diào)節(jié)的閾值電壓減小了。用改進(jìn)的沃爾曼電路設(shè)計(jì)的鏡像電流源當(dāng)是一個(gè)性能良好的電流源。改進(jìn)的沃爾曼電路可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)鏡像電流源電路和電壓放大電路從而獲得較好的性能。

參考文獻(xiàn)

[1] RAZAVI B. Design of analog CMOS IC [M]. [S.l.]： McGraw Hill， 2001.

[2] WANG Dong?hui. CMOS bandgap reference with low supply voltage [J]. Chinese Journal of Electron Devices， 2005， 28（4）： 806?808.

[3] ZHANG Duo?yun. Design of low supply voltage bandgap voltage reference with novel bias circuit [J]. CJED， 2006， 29： 169?171.

[4] YEONAM Yun， HEE?SAUK Jhon， JONGWOOK Jeon， et al. Small?signal modeling of MOSFET cascode with merged diffusion [J]. Solid?State Electronics， 2009 （53）： 520?525.

[5] 鈴木雅臣.晶體管電路設(shè)計(jì)[M].北京：科學(xué)出版社，2004.

[6] SARAO J， WANG Z J， WU Y L， et al. An improved regulated cascode current mirror [J]. Solid?State Electronics， 2002 （46）： 307?312.

[7] 任美輝，趙玉梅，梁原華.鏡像電流源原理及其應(yīng)用電路[J].電測(cè)與儀表，2006（4）：34?36.

篇8

關(guān)鍵字：電荷泵，鎖相環(huán)，自偏置共源共柵電流鏡，電壓跟隨

Design of a High-performance CMOS Charge Pump

DUAN Ji-hai , GU Ge , QIN Zhi-jie

（School of Information & Communication, Guilin University

of electronic Technology, Guilin 541004）

Abstract:A CMOS charge pump for CPPLL is designed. Through the current mirror image from three blocks of the cascade current mirrors with self-bias and wide-swing, the output impedance of the circuit is increased, and the current matching is also improved. In order to reduce the charge sharing, a semi-differential-type current switch with a voltage-follower is employed. The circuits is verified with Spectre simulator in 0.18-μm standard CMOS process, and the simulation shows that the current matching precision is up to 0.9% during 0.4V~1.3V, while the operation frequency, 250MHz.

Keywords: Charge pump; Phase-locked loop; Self-bias cascade mirrior; Voltage-follower

1引言

CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路（Charge Pump Phase-locked Loop, CPPLL）具有高速、低功耗、低抖動(dòng)、低成本等優(yōu)點(diǎn)，在頻率合成、時(shí)鐘恢復(fù)等電路中被廣泛采用。作為電荷泵鎖相環(huán)里的一個(gè)關(guān)鍵模塊，電荷泵在電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，卻往往存在著開(kāi)關(guān)延遲、充放電電流失配、電荷注入及電荷共享等非理想效應(yīng)。對(duì)于高性能鎖相環(huán)的設(shè)計(jì)而言，應(yīng)盡量減小相位噪聲及雜散[6]的產(chǎn)生，使輸出電流更平滑，輸出電壓諧波分量更低，減小開(kāi)關(guān)延遲。本文提出了一種基于偽差分結(jié)構(gòu)的具有高輸出阻抗和高充放電流匹配率的電荷泵電路。

2電荷泵設(shè)計(jì)分析

電荷泵主要功能[3]是將鑒頻鑒相器（PFD）的輸出信號(hào)UP和DOWN轉(zhuǎn)換為模擬的連續(xù)變化的電壓信號(hào)，用于控制壓控振蕩器（VCO）的振蕩頻率。當(dāng)PFD的UP輸出信號(hào)起作用時(shí)，電荷泵的電流源對(duì)環(huán)路濾波器進(jìn)行充電，VCO的壓控端電壓升高，VCO的振蕩頻率也相應(yīng)改變，反之，DOWN信號(hào)使電荷泵電流沉對(duì)環(huán)路濾波器進(jìn)行放電，VCO的壓控電壓信號(hào)降低。當(dāng)VCO振蕩頻率和相位與參考信號(hào)相同時(shí)，電荷泵的輸出信號(hào)應(yīng)該保持一個(gè)常值。但是傳統(tǒng)的電荷泵（如圖1所示）存在多種非理想效應(yīng)，比如電荷泄漏、充放電電流失配、電荷共享、泵開(kāi)關(guān)的延遲等[1][7]。一個(gè)好的電荷泵設(shè)計(jì)應(yīng)該力求把以上情況降到設(shè)計(jì)規(guī)范之內(nèi)。

2.1 電流失配

當(dāng)UP和DOWN信號(hào)控制電荷泵充放電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電流失配和泵開(kāi)關(guān)時(shí)間延時(shí)問(wèn)題。由此引起的系統(tǒng)相位偏差表達(dá)式如（1）所示[1][7]：

其中，Δton、Tref、I和ΔI分別表示PFD開(kāi)通時(shí)間、參考時(shí)鐘周期、CP電流和充放電流偏差。從上式得知： Tref不變的情況下，減小ΔI、Δton和增大I有利于減小系統(tǒng)相位偏差。但是為了克服PFD的死區(qū)效應(yīng)，我們一般需要保持一定的開(kāi)通時(shí)間,所以，減少失配電流和增大電荷泵電流是減小PLL相位誤差的行之有效的手段。

2.2 電荷共享

由于電荷泵充電電流源和放電電流源的漏極存在寄生電容，當(dāng)電荷泵電流源都關(guān)斷時(shí)，電流源漏極寄生電容分別被充電到VDD和放電到地。在下一個(gè)鑒相時(shí)刻的電荷泵電流源都打開(kāi)的狀態(tài)時(shí)，由于兩個(gè)寄生電容上的電荷變化量不可能相同，會(huì)有剩余電荷注入環(huán)路濾波器中，引起VCO壓控電壓發(fā)生變化，造成壓控信號(hào)產(chǎn)生紋波。通常減小電荷共享的手段是采用差分結(jié)構(gòu)的電荷泵電路[8]。

針對(duì)以上一般電荷泵所存在的缺點(diǎn)，本文提出了一個(gè)高電流匹配度、高穩(wěn)定輸出電壓的電荷泵電路。

3高性能電荷泵設(shè)計(jì)

現(xiàn)在CPPLL通常采用無(wú)死區(qū)的PFD。這種PFD在鎖相環(huán)鎖定的情況下依然有等脈寬的UP和DOWN輸出。這就要求電荷泵需要做到電流匹配。由于單一CMOS管實(shí)現(xiàn)的電流源的有限電阻，在不同的源漏電壓下電流存在較大的變化。為了在1.8V低壓條件下實(shí)現(xiàn)較寬電壓范圍的恒定電流輸出，本設(shè)計(jì)采用自偏置高擺幅共源共柵鏡像電流鏡[6]，如圖2所示。

自偏置共源共柵電流鏡能夠增大電流源的內(nèi)阻，其小信號(hào)模型的輸出電阻表達(dá)式如（2）所示[5]：

由（2）可以看出，共源共柵電流結(jié)構(gòu)增大了泵電流源的輸出電阻。選取合理的寬長(zhǎng)比可以增大M2管的跨導(dǎo)gm2，同時(shí)減小其溝道調(diào)制效應(yīng)，使電流源的內(nèi)阻最大化。自偏置結(jié)構(gòu)使得電流源的開(kāi)啟電壓降為VM 4on+VM 2on，比普通的共源共柵的開(kāi)啟電壓Vth+2VM 4 on更低，適合低電壓條件下的運(yùn)用。M4管的寬長(zhǎng)比和電阻R1的電阻值可以通過(guò)（3）計(jì)算出來(lái)：

需要注意的是M1、M2存在襯底偏置效應(yīng)，設(shè)其背柵為Vbs，則其閾值電壓：

電流源的電流誤差率（current error ratio）定義為：

電流鏡對(duì)MOS管的寬長(zhǎng)比及版圖的對(duì)稱性要求很高，已有大量的資料對(duì)其做了講述[2][9]。

為了減小電荷泵CMOS開(kāi)關(guān)引起的電荷共享問(wèn)題，本文采用增加啞（dummy）電路[4]來(lái)改善電路性能，如圖3所示。

其中，NM3、PM3，NM4、PM4為主電路，NM1、PM1，NM2、PM2組成啞電路，啞電路的存在使得電荷泵具有兩條支路，在同一時(shí)刻，兩條支路中總有一條支路是導(dǎo)通的，這樣就避免了電荷泵無(wú)電流流過(guò)而引起的電荷共享。Vc和Vcon之間通過(guò)一個(gè)電壓跟隨器連接起來(lái)，使得啞支路與主支路的節(jié)點(diǎn)電壓相同。因此，在鎖定情況下，電荷泵不會(huì)出現(xiàn)周期性的充放電情況。

為了在低壓下實(shí)現(xiàn)較寬動(dòng)態(tài)范圍的電壓跟隨，本設(shè)計(jì)采用了軌至軌（rail-to-rail）緩沖器作為電壓跟隨器，如圖4中虛線框內(nèi)所示。電壓跟隨器為二級(jí)放大器結(jié)構(gòu)，輸入級(jí)采用雙差分放大器并聯(lián)的軌至軌結(jié)構(gòu)，增大了輸入動(dòng)態(tài)范圍和增益，其中，PM13、NM13為電流累加管，寬長(zhǎng)比分別是PM14和NM14的兩倍，輸出節(jié)點(diǎn)用MOS管電容作為負(fù)載，目的是進(jìn)行頻率補(bǔ)償，穩(wěn)定輸出電壓信號(hào)。圖4為本文所設(shè)計(jì)的電荷泵的完整電路圖。

本文為全文原貌 未安裝PDF瀏覽器用戶請(qǐng)先下載安裝 原版全文

本設(shè)計(jì)電流鏡鏡像的恒定電流為100μA；采用對(duì)稱的共源共柵電流源實(shí)現(xiàn)對(duì)電流源和電流沉的匹配，在電壓跟隨器的輸出端增加一個(gè)20pF的電容，使得該節(jié)點(diǎn)更加穩(wěn)定。

4仿真結(jié)果

本電荷泵設(shè)計(jì)采用0.18-μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，使用Cadence軟件集成的Spectre 仿真工具對(duì)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證，從仿真結(jié)果可以看出，電荷泵的電流在0.35V到1.3V的直流掃描范圍內(nèi)CER

5結(jié)論

本論文分析了傳統(tǒng)電荷泵的工作原理及存在的問(wèn)題，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)結(jié)合了對(duì)稱自偏置高擺幅共源共柵電流源和差分泵開(kāi)關(guān)的電荷泵，電荷泵電流為100μA。在版圖面積和電路性能之間經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高精度的泵電流的匹配和較高的工作速度以及較小的電荷注入。整體上滿足了較高要求的應(yīng)用環(huán)境，適用于高速高精度低壓要求的電荷泵鎖相環(huán)路。

參考文獻(xiàn)

[1] Rhee W.Design of high-performance CMOS charge pumps in phase-locked loops. IEEE International

（下轉(zhuǎn)第15頁(yè)）

Symposium on Circuits and Systerns.1999,2:545-548

[2] R.Jacob Baker,Harry W.Li,David E.Boyce.CMOS電路設(shè)計(jì).布局與仿真[M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社,2006年1月

[3] Diego Armaroli,Valentino.Liberali,and Carla Vacchi. Be- havioural analysis of Charge-pump PLL’s. IEEE Circuits and Systems, 1995,2:893-896

[4] 王炬，來(lái)金梅等.用于高速PLL的CMOS電荷泵電路[J].復(fù)旦學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）,2005,44（6）:929-934

[5] 胡錦,龍暉,易鋒.一種高電流匹配精度電荷泵電路設(shè)計(jì)[J].宇航計(jì)測(cè)技術(shù),2007,27（2）:45-49

[6] 薛紅,李智群等.低雜散鎖相環(huán)中的電荷泵設(shè)計(jì)[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2007, 28（12）:1988-1992

[7] Jae-ShinLee, Min-SunKeel. Charge Pump with Perfect Current Matching Characteristics in Phase Locked Loops.

IEEE Electronics Letters. 2000,36（23）: 1907-1908

[8] Rhee W. Design of high-performance CMOS charge pumps in phase-locked loops. IEEE International Symposium on Circuits and Systerns.1999, 2:545-548

[9] Hastings,Alan.模擬電路版圖的藝術(shù)[M].北京:清華大學(xué)出版社,2007年4月

作者簡(jiǎn)介

段吉海，工學(xué)碩士，副教授，碩士生導(dǎo)師，主要研究方向：寬帶和超寬帶通信集成電路設(shè)計(jì)、EDA技術(shù)及應(yīng)用、專用集成電路設(shè)計(jì);

篇9

【關(guān)鍵詞】超寬帶低噪聲放大器ADS仿真噪聲系數(shù)

低噪聲放大器（LNA）是現(xiàn)代微波通信、雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)中的重要部件，它處于接收系統(tǒng)的前端，對(duì)天線接收到的微弱射頻信號(hào)進(jìn)行線性放大，同時(shí)抑制各種噪聲干擾，提高系統(tǒng)靈敏度。由于LNA在接收系統(tǒng)中的特殊位置和作用，該部件的設(shè)計(jì)對(duì)整個(gè)接收系統(tǒng)的性能指標(biāo)起著關(guān)鍵作用。本文介紹了一種超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法。設(shè)計(jì)時(shí)首先根據(jù)性能指標(biāo)要求選擇合適的有源器件，確定相應(yīng)的工作狀態(tài)和偏置條件，使器件工作在絕對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)，然后合理設(shè)計(jì)匹配電路和負(fù)反饋電路，最后對(duì)整體電路進(jìn)行優(yōu)化。設(shè)計(jì)中采用射頻電路仿真軟件ADS[1]對(duì)電路進(jìn)行CAD輔助設(shè)計(jì)并給出了仿真結(jié)果。

一、低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)

1.1放大器的各項(xiàng)指標(biāo)與設(shè)計(jì)方案

放大器需要滿足的指標(biāo)：工作頻帶100-400MHz，噪聲系數(shù)（NF）小于0.3dB，帶內(nèi)增益大于32dB，帶內(nèi)增益平坦度±0.5dB以內(nèi)，輸入輸出駐波比小于1.8。考慮到增益和噪聲系數(shù)要求較高，采用E-PHEMT晶體管（ATF54143）[2]，安捷倫公司提供了其精確的ADS模型，便于仿真，而且工作時(shí)不需要負(fù)的柵極電壓，便于單電源供電。

晶體管的功率增益在頻率高端隨著頻率的增加以6 dB/倍頻程下降，因此設(shè)計(jì)寬帶放大器時(shí)必須使用相應(yīng)的方法補(bǔ)償此增益滾降，且保證整個(gè)頻帶內(nèi)的穩(wěn)定性，所以要考慮寬帶阻抗匹配及選擇恰當(dāng)?shù)碾娐沸问健拵Х糯笃饔幸韵聨追N：①分布放大器；②平衡放大器；③有耗匹配放大器；④負(fù)反饋放大器。通過(guò)比較，雖然負(fù)反饋放大器各個(gè)特性的改良是以略微增加噪聲為代價(jià)的，但這種電路形式仍不失為所需頻段內(nèi)綜合效果最優(yōu)的方法，因此采用負(fù)反饋形式。

1.2偏置和負(fù)反饋電路

1.3穩(wěn)定性分析

因?yàn)橛性雌骷即嬖趦?nèi)部反饋，反饋的大小取決于放大器的S參數(shù)、匹配網(wǎng)絡(luò)以及偏置條件，當(dāng)反饋量達(dá)到一定程度時(shí)，將會(huì)引起放大器輸入或輸出端口出現(xiàn)負(fù)阻，產(chǎn)生自激振蕩，因此在做端口匹配前首先要判定放大器是否絕對(duì)穩(wěn)定。

通常用K-Δ的方法來(lái)判定穩(wěn)定性：

同時(shí)滿足K>1和|Δ|

如果根據(jù)晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)中的S參數(shù)進(jìn)行計(jì)算分析，則計(jì)算過(guò)程復(fù)雜，可以使用ADS中的穩(wěn)定性判定系數(shù)stab_fact（s）和stab_meas（s）直接對(duì)器件進(jìn)行穩(wěn)定性分析，只有在工作頻段內(nèi)同時(shí)滿足stab_face（s）>1，stab_meas（s）>0時(shí)，才能保證器件絕對(duì)穩(wěn)定。通過(guò)仿真得到穩(wěn)定性判定系數(shù)如圖1（b）所示。由圖可知，兩個(gè)穩(wěn)定性系數(shù)在100-400MHz頻率范圍滿足要求，所以器件絕對(duì)穩(wěn)定。

1.4匹配電路與版圖設(shè)計(jì)

考慮到頻率較低和小的尺寸，采用集總參數(shù)的電容電感進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì)[4]。32dB的增益，可以采用兩級(jí)放大的形式且都用ATF54143。為了在整個(gè)頻段內(nèi)得到良好的匹配效果，一般先選定中心頻率進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì)，然后再對(duì)電路在整個(gè)頻帶內(nèi)進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。第一級(jí)設(shè)計(jì)時(shí)，如果按最小噪聲設(shè)計(jì)，輸入端不是共軛匹配，會(huì)造成輸入駐波比差，增益低，帶內(nèi)增益平坦度也不好，所以應(yīng)該在最小噪聲、駐波比和增益之間權(quán)衡進(jìn)行輸入匹配設(shè)計(jì)。輸出按共軛匹配設(shè)計(jì)，同時(shí)加入一些電阻，增加穩(wěn)定性，改善增益平坦度。輸入輸出都匹配到50Ω，電容電感用50Ω特征阻抗的微帶短線進(jìn)行連接。第二級(jí)采用與第一級(jí)一樣的結(jié)構(gòu)，直接與第一級(jí)級(jí)聯(lián)。在確定整體電路后，畫(huà)出版圖。在版圖空白處添加大面積的通孔接地，一方面為了保證散熱和接地效果良好，另一方面是為今后調(diào)試留下焊接空間。整體電路如圖2（a）所示。

二、電路優(yōu)化與仿真結(jié)果

采用理想電容電感元件，先對(duì)第一級(jí)進(jìn)行優(yōu)化，當(dāng)?shù)谝患?jí)的各項(xiàng)指標(biāo)與預(yù)期目標(biāo)接近后，第二級(jí)采用與第一級(jí)一樣的結(jié)構(gòu)與其級(jí)聯(lián)，再對(duì)整體電路進(jìn)行優(yōu)化。在用ADS進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，先放寬目標(biāo)，進(jìn)行隨機(jī)優(yōu)化后，再進(jìn)行梯度優(yōu)化，然后收緊目標(biāo)，直到達(dá)到預(yù)期結(jié)果。按最優(yōu)的原理圖設(shè)計(jì)版圖，然后進(jìn)行原理圖-版圖聯(lián)合仿真。原理圖-版圖聯(lián)合仿真把layout中的無(wú)源電路和原理圖中的元器件有機(jī)結(jié)合在一起進(jìn)行仿真，既考慮了無(wú)源器件之間的電磁場(chǎng)效應(yīng)，又可以考慮有源元件、集總元件的效應(yīng)，這樣仿真結(jié)果和實(shí)測(cè)結(jié)果非常接近，可以縮短制版調(diào)試的輪回。得到初步結(jié)果后，用較精確的muRata電容電感模型代替理想化模型，經(jīng)過(guò)不斷地優(yōu)化和仿真，最終結(jié)果如圖2（b）（c）（d）所示。可見(jiàn)，仿真結(jié)果的各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到預(yù)期要求。

三、結(jié)論

本文討論了一種增強(qiáng)型E-PHEMT晶體管的超寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)，介紹了具體的流程與方法，應(yīng)用射頻電路仿真軟件ADS強(qiáng)大的功能對(duì)放大器進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，省去了復(fù)雜的理論分析計(jì)算，大大簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程，提高了工作效率，對(duì)低噪聲放大器的制做具有很強(qiáng)的現(xiàn)實(shí)意義。

參考文獻(xiàn)

[1]徐興福. ADS2008射頻電路設(shè)計(jì)與仿真實(shí)例.北京：電子工業(yè)出版社，2010

[2]張小兵.基于ATF54143的LNA設(shè)計(jì).現(xiàn)代電子技術(shù)，2007，30（20）：165-167

篇10

關(guān)鍵詞：紫外探測(cè)器；前置放大器；噪聲；穩(wěn)定性

中圖分類(lèi)號(hào)：TN72 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：2095-2945（2017）20-0011-03

引言

空空導(dǎo)彈系統(tǒng)中多為紅外制導(dǎo)和雷達(dá)制導(dǎo)。隨著干擾手段的發(fā)展，單一的探測(cè)手段已經(jīng)不能滿足抗干擾的需求。于是，出現(xiàn)了雙色探測(cè)器等多探測(cè)體制，如紫外/紅外、紫外/激光、紅外/激光等多種復(fù)合探測(cè)體制。繼紅外探測(cè)技術(shù)之后紫外探測(cè)技術(shù)成為又一重要的軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。相較于紅外探測(cè)系統(tǒng)，紫外探測(cè)技術(shù)因其獨(dú)有優(yōu)勢(shì)，受到了軍方的關(guān)注。

正是因?yàn)檐姺降闹睾妥贤馓綔y(cè)技術(shù)的獨(dú)特性，本文開(kāi)展紫外信號(hào)檢測(cè)放大技術(shù)的研究，以此來(lái)確定一種更適合紫外信號(hào)的前放電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)它的噪聲特性及抑制方法進(jìn)行分析和驗(yàn)證。

1 紫外探測(cè)器

紫外探測(cè)器件主要分為點(diǎn)探測(cè)器和像探測(cè)器。半導(dǎo)體紫外探測(cè)器件因其體積小、過(guò)載高在軍事中應(yīng)用較多。本系統(tǒng)中采用GaN基紫外探測(cè)器，光譜響應(yīng)區(qū)間在260～380nm，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為365nm。

在探測(cè)器應(yīng)用中多采用PIN結(jié)構(gòu)[2]，I層會(huì)加大耗盡層厚度。I層有更高的電阻相對(duì)于PN層，這里的反向偏壓形成高電場(chǎng)區(qū)，加寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域，使暗電流有所降低，提高了靈敏度，探測(cè)器的電容也有減小。

紫外探測(cè)多采取直接探測(cè)，所以在光信號(hào)功率小時(shí)，電信號(hào)輸出相應(yīng)也較小。一般在實(shí)際探測(cè)器的應(yīng)用中，為了方便后續(xù)處理，通常使用前置放大電路將信號(hào)放大。紫外探測(cè)器中就要設(shè)計(jì)合理的前置放大電路，以保證探測(cè)系統(tǒng)能夠在一定的輸出信噪比下工作。

2 前置放大電路

微弱光電信號(hào)前置放大器，信號(hào)小，輸入信噪比低，在空空導(dǎo)彈系統(tǒng)等軍用系統(tǒng)中多有專門(mén)的低噪聲放大器。

而在低噪聲放大器的設(shè)計(jì)中，噪聲水平、放大器的增益和放大器的帶寬通常要依據(jù)其中的帶寬綜合考慮。

2.1 光電二極管的等效電路模型

紫外探測(cè)為直接探測(cè)方式。光信號(hào)功率小，紫外探測(cè)器的電信號(hào)輸出也相應(yīng)較小，在本設(shè)計(jì)中所采用的探測(cè)器芯片的響應(yīng)較小，ID約為5nA左右，零偏阻抗100MΩ，結(jié)電容CJ≈50pf，等效電路[4]如圖1所示。

它包含一個(gè)被輻射光激發(fā)的電流源，一個(gè)理想的二極管，結(jié)電容和寄生串聯(lián)及并聯(lián)電阻。IL為二極管的漏電流，ISC為二極管光電流，Rpo為寄生電阻，ePD為噪聲源，結(jié)電容大致為20pf。

在本文的應(yīng)用中，紫外探測(cè)器芯片工作在零偏置即光伏模式下。

在此模式下探測(cè)器芯片作為光電二級(jí)管可以非常精確的線性工作。零偏置條件下，無(wú)暗電流，二極管噪聲等同分電路電阻的熱噪聲；反偏置條件下，則有暗電流產(chǎn)生附加噪聲源。本文就要對(duì)這種光伏模式進(jìn)行最優(yōu)化設(shè)計(jì)。

2.2 光電檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

由于探測(cè)器工作狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的是電流信號(hào)，在后續(xù)使用中要將它轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，主放大器的作用就是對(duì)光電流進(jìn)行I-V轉(zhuǎn)換，并放大到所需要的值。

2.2.1 電流-電壓轉(zhuǎn)換電路分析和設(shè)計(jì)

本文所采用的光電轉(zhuǎn)換電路為高靈敏度的電流-電壓轉(zhuǎn)換器，二極管偏執(zhí)由運(yùn)算放大器的虛地維持在零電壓，短路電流即被轉(zhuǎn)換為電壓。電流電壓轉(zhuǎn)換電路如圖2所示。

由于在最高靈敏度時(shí)該放大電路[5]必須能檢測(cè)1nA的二極管電流，采用普通結(jié)構(gòu)的電流電壓轉(zhuǎn)換器會(huì)使反饋電阻非常大，例如對(duì)于1nA的二極管電流，要求輸出0.1V的電壓，則需要100MΩ的偏置電阻，而電阻是對(duì)總輸出噪聲影響最大的因素之一。這對(duì)系統(tǒng)噪聲的影響是不可想象的。

該主放大器的輸出VO=-k1Rfid

k1=1+R1/R2+R1/Rf

可見(jiàn)這個(gè)電路是靠倍乘因子k來(lái)增加R的，于是我們基于一個(gè)合理的R值，依靠倍乘因子k來(lái)提高靈敏度。

針對(duì)本電路為了實(shí)現(xiàn)0.1nV/nA的靈敏度，由式可知k1Rf=0.1/10-9=100M？贅，這是一個(gè)相當(dāng)大的值，為了不至產(chǎn)生太大噪聲，由Rf=1M？贅出發(fā)，然后乘以100以滿足技術(shù)指標(biāo)，因此，1+R1/R2+R1/106=100。在采用R2=1k？贅時(shí)，可得R1≈99k？贅（用最接近標(biāo)準(zhǔn)值的100kΩ）

2.2.2 前置放大電路的噪聲分析

外部噪聲（系統(tǒng)的外界干擾）和內(nèi)部噪聲（光電系統(tǒng)本身產(chǎn)生的噪聲，是光電檢測(cè)器件和檢測(cè)電路的器件固有噪聲）為光電檢測(cè)電路的主要噪聲來(lái)源。

外部噪聲要通過(guò)外部手段控制，本文中我們主要研究通過(guò)選擇電路元件和合理的電路設(shè)計(jì)來(lái)減小內(nèi)部噪聲，提高系統(tǒng)的檢測(cè)精度。

光電二極管、前置放大電路構(gòu)成了光電檢測(cè)電路，它的噪聲模型如圖3所示：

Isc：光電二極管的光電流；Ins：光電二極管的散粒噪聲電流；Ind：光電二極管內(nèi)阻產(chǎn)生的熱噪聲電流；Cd：光電二極管的結(jié)電容；En、In：放大器的等效輸入噪聲電壓和等效輸入噪聲；Unf：反饋電阻Rf和R1產(chǎn)生的熱噪聲電壓。其中：

I2ns=2eIscf，f為電路的通頻帶；

I2nd=4kTf/Rd

U2nf=4kTRff

由此：

由上面的公式[6]得出，反饋電阻Rf和R1和輸出信噪比成正比。要想提高輸出信噪比和信號(hào)增益，需要提高Rf和R1的阻值。所以我們可以選擇阻值大、噪音小的金屬膜電阻。

此外，輸出信號(hào)電壓幅度的也限制Rf和R1的選擇，還應(yīng)根據(jù)光電流的最大值來(lái)確定Rf的大小。

電路的通頻帶f和輸出信噪比成反比。電容Cs與Rf并聯(lián)就是為減小電路的通頻帶。它們構(gòu)成一個(gè)高頻截止頻率為1/2？仔RfCs的濾波電路。直流和低頻，信號(hào)增益不變；頻率超過(guò)1/2？仔RfCs時(shí)，信號(hào)增益下降信號(hào)幅度線性失真，因此電路的通頻帶f=1/2？仔RfCs。

Rf和Cs和通頻帶也成反比。如果電路的通頻帶太小會(huì)造成輸出信號(hào)頻率失真；如果Cs太大，系統(tǒng)響應(yīng)會(huì)變慢；Cs也有消除自激震蕩的作用。

2.2.3 集成運(yùn)算放大器的選用

考慮集成運(yùn)放的等效輸入噪聲電壓En和等效輸入噪聲電流In，同輸出信噪比成反比。故應(yīng)選用En和In小的低噪聲和低偏置電流的集成運(yùn)算放大器。

場(chǎng)效應(yīng)管為輸入級(jí)的運(yùn)放具有開(kāi)環(huán)輸入阻抗高、輸入偏置電流小和不隨溫度變化的優(yōu)點(diǎn)，適合選用。同時(shí)，提高_(dá)環(huán)放大倍數(shù)，使光電二極管在無(wú)偏壓狀態(tài)工作；其次，選用的集成運(yùn)放的失調(diào)電壓和電流應(yīng)較小。

由于要精確測(cè)量納安級(jí)的光電流，運(yùn)算放大器的偏執(zhí)電流不應(yīng)該大于數(shù)納安，并且放大器本身引入的噪聲要非常小，這就大大縮小了選擇的余地。

我們最終采用了噪聲低，精密，輸入為FET的AD795k型運(yùn)算放大器。它具有兩種優(yōu)勢(shì)：（1）雙極型輸入運(yùn)算放大器的低電壓噪聲和低失調(diào)漂移；（2）FET輸入器件的極低偏置電流。

其性能參數(shù)為：

失調(diào)電壓：在25°C時(shí)，最大為250uv，

失調(diào)電壓漂移：最大為3uV/°C

輸入偏置電流：在25°C時(shí)，最大為1PA

0.1～10HZ 電壓噪聲2.5uVp-p

1/f轉(zhuǎn)折頻率12Hz

電壓噪聲：在100Hz處為10nV/√Hz

電流噪聲：在100Hz處為0.6fA/√Hz

在±15V時(shí)的功耗為40mW

增益帶寬乘積1MHz

2.2.4 前置放大器穩(wěn)定性分析

考慮光電二極管小信號(hào)模型后，完整的前置放大電路如圖4：

該系統(tǒng)的傳輸函數(shù)[7]為：

其中，Aol（j？棕）為放大器開(kāi)環(huán)環(huán)路增益；？茁為反饋系數(shù)，即1/（1+Zf/Zin）；Zin為分布式輸入阻抗

展開(kāi)后可得：

式中

由于Rd遠(yuǎn)大于Rf，故fz

圖中顯示了Aol（j？棕）曲線與1/？茁曲線在fx處相交，且在交點(diǎn)處|Aol？茁|=1。放大器需在工作中不振蕩、穩(wěn)定。工程應(yīng)用上，要求相位裕度？準(zhǔn)m>>4/？仔，當(dāng)？準(zhǔn)m=4/？仔時(shí)，fp=fx。放大器在系統(tǒng)穩(wěn)定的前提下，要得到最大帶寬，可令：

式中：可以求得GBW為運(yùn)放的增益帶寬積。最終可求得：

對(duì)于更大的相位裕度，這個(gè)電容值還會(huì)增大，但也會(huì)降低I-V轉(zhuǎn)換器的帶寬。

3 電路仿真計(jì)算

利用multisim10 軟件[8]對(duì)圖5所示電路進(jìn)行仿真分析。

交流仿真結(jié)果如圖6所示。

噪聲分析如圖7所示。

4 結(jié)束語(yǔ)

本文推出了光電檢測(cè)電路信噪比的公式，并對(duì)光電轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性進(jìn)行了詳細(xì)的研究，總結(jié)了設(shè)計(jì)低噪聲光電檢測(cè)電路的方法。

某預(yù)研項(xiàng)目中，根據(jù)本文討論的方法設(shè)計(jì)的前置放大器已有應(yīng)用，我們可以看到實(shí)際測(cè)試結(jié)果達(dá)到了預(yù)期效果，所以此設(shè)計(jì)方案可行。不足之處在于，本設(shè)計(jì)中印刷板本身帶來(lái)的寄生電容問(wèn)題。這就要求我們必須小心布線以控制寄生電容；另外，可在輸出端增加濾波器，以減小系統(tǒng)噪聲。

參考文獻(xiàn)：

[1]Gil Tidhar， Raanan Schlisselberg. Evolution Path of MWS technolo

gies： RF， IR and UV[J]. Proceedings of SPIE，2005，5 783：6622673.

[2]Degnan J J. Theory of op timally coup led Q2switched laser 220. [J]. IEEE J. Quantum Electron.， 1989，25（2）：2142.

[3]孫培懋，劉正飛.光電技術(shù)[M].北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1992.

[4]何俄章.線性測(cè)量系統(tǒng)中光電探測(cè)電路的設(shè)計(jì)[J].達(dá)縣師范高等專科學(xué)校學(xué)報(bào)：自然科學(xué)版，2000，10（2）：109-111.

[5]賽爾吉?dú)W?弗朗哥.基于運(yùn)算放大器和模擬集成電路的電路設(shè)計(jì)[M].

西安交通大學(xué)出版社，2005.

[6]王立剛.低噪聲光電檢測(cè)電路的研究與設(shè)計(jì)[J].電測(cè)與儀表，2007（8）：63-65.